首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   231篇
  免费   16篇
  国内免费   61篇
化学   224篇
晶体学   2篇
力学   3篇
综合类   26篇
数学   9篇
物理学   44篇
  2024年   3篇
  2023年   9篇
  2022年   12篇
  2021年   10篇
  2020年   6篇
  2019年   8篇
  2018年   3篇
  2017年   5篇
  2016年   6篇
  2015年   11篇
  2014年   16篇
  2013年   15篇
  2012年   17篇
  2011年   20篇
  2010年   16篇
  2009年   17篇
  2008年   12篇
  2007年   15篇
  2006年   12篇
  2005年   10篇
  2004年   18篇
  2003年   7篇
  2002年   7篇
  2001年   4篇
  2000年   6篇
  1999年   3篇
  1998年   3篇
  1997年   5篇
  1996年   4篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   5篇
  1991年   4篇
  1990年   2篇
  1989年   6篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
排序方式: 共有308条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
花授粉算法是一种新型启发式优化算法,算法存在易陷入局部最优、后期收敛速度慢等缺陷,为了进一步提高花授粉算法的寻优性能,在异花授粉过程中引入t分布变异算子,提出了一种基于t分布的自适应花授粉算法(tFPA).通过7个标准测试函数进行测试比较,并对改进算法的时间复杂度进行分析,仿真结果表明,改进算法是可行有效的,其寻优速度、寻优精度以及鲁棒性均有很大程度的改善.  相似文献   
2.
以镉离子做模板离子,以多巴胺为功能单体和交联剂,通过多巴胺的自聚合反应,在二硫化钼(MoS2)纳米花的表面形成一薄层镉离子印迹聚合物。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、X射线粉末衍射仪(XRD)、热重分析仪(TGA)以及比表面和孔径分布分析等表征了离子印迹材料(IIM)的形貌和结构,确证了印迹聚合层的生成。平衡吸附实验结果表明,由于IIM的印迹位点位于MoS2纳米花的表面,可接触性好,因而IIM对镉离子结合速度快,吸附25 min即可达到平衡。同时,该印迹材料具有很好的印迹效果(印迹因子为6.877),对镉离子有很强的特异性识别能力,特异性结合量为518.1μmol/g。Scatchard模型分析表明印迹材料的结合位点对镉离子的亲和力不是均一的,可以分为高亲和力和低亲和力两部分。吸附等温模型分析表明,印迹材料对镉离子的吸附行为符合Langmuir吸附等温模型,由该模型可以计算出其对镉离子的最大吸附量为1081.0μmol/g。本研究为制备对重金属离子具有高选择性吸附能力的印迹材料提供了一种简单、可靠的方法。  相似文献   
3.
以泡沫镍为骨架,通过水热法制备了Mo掺杂的NiS多级纳米花状结构(Mo-NiS)。在偏压为-0.7 V(vs RHE)下,2 h内,0.83 Mo-NiS(制备时钼、镍物质的量之比为0.83)的电催化固氮速率平均可达4.21μg·cm~(-2)·h~(-1),法拉第效率平均为18%。XPS测试和DFT计算表明,Mo掺杂增加了Ni活性位点周围的电子云密度,提高了电荷传输速率,促使*NNH_2到*N能垒大幅度降低,从而提升了电催化固氮效率。  相似文献   
4.
采用水热和低温磷化反应两步法,在无添加沉淀剂条件下成功在泡沫镍上合成纳米花状镍钴磷化物(NiCoP/NF)。研究结果表明,镍/钴元素物质的量之比为1∶1时,在1 A·g~(-1)电流密度下,Ni_(1/2)Co_(1/2)P/NF的比容量高达1 276.36 F·g~(-1),在10 A·g~(-1)电流密度下充放电循环3 000次后,比容量保持率为78.23%。此外,以Ni_(1/2)Co_(1/2)P/NF为正极,活性炭(AC)为负极组装的非对称超级电容器(Ni_(1/2)Co_(1/2)P/NF//AC/NF)在725 W·kg~(-1)的功率密度下,能量密度高达36.25 Wh·kg~(-1)。  相似文献   
5.
傅重源  邢淞  沈涛  邰博  董前民  舒海波  梁培 《物理学报》2015,64(1):16102-016102
本文以钼酸钠、硫代乙酰胺为前驱体, 硅钨酸为添加剂, 成功用水热法合成高纯度纳米花状二硫化钼. 产物特性用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)进行表征. XRD和EDS图显示实验产物为二硫化钼, 且其结晶度和层状堆垛良好. SEM图谱则表明二硫化钼为纳米花状结构, 颗粒直径300 nm左右, 由几十上百片花瓣组成, 每片花瓣厚度十个纳米左右. 通过以硅钨酸为变量的梯度实验, 研究发现, 硅钨酸对于纳米花状MoS2的形成具有重要作用, 不添加硅钨酸, 无法形成纳米花状MoS2, 此外, 硅钨酸的剂量会影响合成MoS2的大小和形貌. 本文还对纳米花状二硫化钼的形成机理做了初步的讨论.  相似文献   
6.
应变花埋丝技术在齿科修复学上的应用研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
刘杰  赵学锋 《实验力学》1996,11(2):110-114
本文通过采用三维应变花埋丝技术,对固定义齿修复的牙周应力分布进行了定量分析研究,绘制了修复前后牙周的应力分布随基牙倾斜角度的变化曲线,测得下颌第二磨牙用作固定桥基牙时近中倾斜的最大角度为70度,从生物力学的角度证明,固定义齿修复有利于倾斜基牙牙周组织健康、为齿科临床上广泛开展倾斜基牙固定修复提供了依据。  相似文献   
7.
本文以氧化石墨烯包覆泡沫镍电极(GO@NF)作为基底,采用水热法在GO@NF基底上原位生长CoO纳米花,同时GO在水热过程中被同步热还原为还原氧化石墨烯(RGO),从而一步制得还原氧化石墨烯包覆泡沫镍负载CoO纳米花电极(CoO/RGO@NF)。使用XRD和SEM对CoO/RGO@NF电极进行表征,发现CoO纳米花均匀生长在泡沫镍三维网络结构上,CoO纳米花为大量针状纳米棒围绕一个中心而成的花状结构,纳米棒的长度约为10 ~ 15 μm,直径约为100 ~ 200 nm。使用循环伏安和线性扫描法测试了CoO/RGO@NF电极电催化CO2的还原性能,在-0.76 V(vs. SHE)电位下,CoO/RGO@NF电极电催化CO2还原的电流效率达到70.9%,产甲酸法拉第效率达到65.2%,甲酸产率为59.8 μmol·h-1·cm-2,且电极可持续稳定电催化还原CO2 4 h,表明CoO/RGO@NF电极对CO2电还原有着优良的催化活性、选择性和稳定性。  相似文献   
8.
制备嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极,利用循环伏安法(CV)研究灯盏花素在嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极(ESCFE)上的电化学氧化行为,结果表明,灯盏花素在修饰电极上出现一对明显的准可逆氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.17 V和Epc=0.05 V(△E=0.12 V),峰电流分别为ipa=42.79μA,ipc=...  相似文献   
9.
张珺  刘翠格  魏永巨 《化学通报》2011,(10):957-960
研究了伞形花内酯在不同酸度下的荧光光谱,测量了荧光量子产率和电离常数。伞形花内酯有2种荧光型体,分别存在于弱酸性和弱碱性溶液中。在pH 3~6的溶液中,伞形花内酯以中性分子型体存在,最大激发波长λex=325nm,最大发射波长λem=455nm;在pH 9~10.5的溶液中,伞形花内酯主要以阴离子型体存在,λex/λe...  相似文献   
10.
采用水蒸气蒸馏法提取姜味草挥发油,用气相色谱法-氢火焰离子化检测器测定挥发油中橙花醛和香叶醛的含量。橙花醛和香叶醛的线性范围分别为0.0971~0.5826g·L~(-1)和0.1152~0.6912g·L~(-1)方法用于测定4批次姜味草挥发油中橙花醛与香叶醛的含量,橙花醛与香叶醛的质量分数分别为25.00%,29....  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号