用"更相减损术"求最大公因式

“更相减损术”是我国古代数学中求二整数最大公因数的方法 .古典名著《九章算术》卷一在谈到分数分子分母约去公因数有“置分母子之数 ,以少减多 ,更相减损求其等也 .以等数约之 .”这里的“等数”就是所说分母分子的最大公因数 .所谓“更相减损求其等”就是置两个整数 ,以少减多 ,反复相减 ,直到二数相等就得到它们的最大公因数 .例如 ,求 91 ,49的最大公因数(91 ,49) .我们有(91 ,49) =(91 -49,49) =(4 2 ,49)=(4 2 ,7) =…… =(7,7) =7刘徽说 :“其所以相减者 ,皆等数之重叠 .”数91 ,49都是等数 7的重叠 .对于初学者来说 ,“更相减损求…     

走近纳米科技

 纳米科技于20世纪70年代兴起,进入21世纪越来越被大家耳熟。纳米科技在促进科技进步,提高社会文明程度,改善人类生存质量,更新对物质世界的认知及观念上扮演了举足轻重的角色。纳米是长度单位。一纳米为一米的十亿分之一,如果你的拇指指甲盖宽14毫米,这个比例就相当于拇指指甲盖宽度与地球直径间的比例。纳米科技所接触、研究、开发的是100纳米～0.1纳米范围内物质的性质和应用。一个分子或一个原子大小的数量级大致在10纳米。因此,纳米科技也可以说是在分子水平上观察、分析、研究物质的物理、化学性质并加以开发利用。     

第二届物理奖简介

 第二届“胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训物理奖”评审结果,共有4个项目7名同志光荣获奖.他们是:一 胡刚复物理奖(实验技术)获奖项目:高功率激光物理实验技术的发展获奖人:林尊琪主要贡献:在激光等离子体相互作用和球靶内爆动力学基础研究方面做了大量实验物理技术发展工作,包括:成功建立了国内适用于激光等离子体基础研究的七项先进配套诊断系统,其中多分幅X光背景照明诊断设备是国际首创,为相关联地研究激光内爆球靶两维动力学过程提供了重要技术基础.     

Nd—Ba—Cu—O高温超导体的高分辨电子显微术研究

用电子衍射和高分辨电子显微术研究了Nd-Ba-Cu-O高温超导体,主相属正交晶系,具有畸变钙钛矿亚结构的三倍超结构,晶胞参数为a=3.84,b=3.87,c=11.7,样品中存在大量的缺陷,用点阵象技术观察到刃位错,反向畴,并借助结构象确定了NdBa_2Cu_3O_(-)的结构模型。在不同成象条件下,高分辨电子显微象上或者重原子为白点,或者氧原子为白点,当成象条件适当时,可以在象上区分氧原子和氧空位。     

Fe0.5Cu0.5BaSrYCu2Oy化合物的结构和超导电性研究

实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy（x= 0～1）系列化合物，本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示，高压合成的样品均具有超导电性，对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)～57K， Tc(0)～40K，而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此，我们利用透射电子显微镜（TEM）研究了该体系的微观结构特性，并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品，证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析.     

扫描力显微术在高聚物薄膜玻璃化转变研究中的应用

简述了高聚物薄膜玻璃化转变的复杂性，并结合文章作者的的一些研究结果介绍了扫描力显微术(SFM)在研究高聚物玻璃化转变中的一些方法，包括观察高聚物薄膜形貌的变化，测量其摩擦力、粘附力和弹性模量等物理量的变化，最后指出SFM是研究高聚物薄膜玻璃化转变的有力工具。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

全息散斑条纹的提取及图像处理

介绍了一种新的全息散斑条纹的提取方法.理论和实验表明:对全息散斑底片逐点再现时,两伴生亮斑条纹是全息散斑底片一级衍射光的杨氏干涉条纹,与中央的杨氏条纹是一致的,有较高的条纹对比度且没有背景光晕的影响.利用计算机数字图像处理技术对伴生散斑条纹进行处理,定量测试了受静载物体的面内位移.