Syntheses,Crystal Structures and Thermal Properties of Two Dicadmiun（Ⅱ） Complexes CdeLeX2 （HL = N-（3-Methoxylsalicylidene）-3- dimethylaminopropylamine,X = Cl （1）, NCS （2））

Two Cd（Ⅱ） complexes, Cd2L2Cl2 （1） and Cd2L2（NCS）2 （2） （HL = N-（3-methoxylsalicylidene）-3-dimethylaminopropylamine） were synthesized and determined by EA, IR, TG and single-crystal X-ray diffraction. The crystallographic data are as follows： monoclinic, space group P21/n, a = 9.2710（9）, b = 18.0069（18）, c = 18.5562（19） A^°, β= 99.741（4）°, V = 3053.1（5）, Z = 4,μ = 1.605, F（000） = 1536, R = 0.0264 and wR = 0.0699 for 1; orthorhombic, space group Pca21, a = 16.196（3）, b = 11.506（2）, c = 36.126（7） A^°, V = 6732（2）, Z = 8,μ = 1.428, F（000） = 3264, R = 0.0376 and wR = 0.0877 for 2. There are two geometrically different octahedral Cd（Ⅱ） atoms, with N4O2 and O4Cl2 donor sets for 1 while N4O2 and N2O4 for 2. In the dinuclear Cd（Ⅱ） centers, the Cd（Ⅱ） atoms are held together by two deprotonted phenolate oxygen atoms from tetradentate L^- ligands. The thermal gravity data show two step decompositions with the residues of CdO for two complexes.     

CdO—SnO2复合氧化物的组成与性能

通过控制共沉淀时溶液中Ｃｄ／Ｓｎ摩尔比的方法，合成了物相组成不同的ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物粉料，探讨了相组成与材料电导及气敏性能之间的关系。     

Ce1-xGdxO2-x/2的溶胶-凝胶法合成及其性质

利用溶胶-凝胶法合成了Ce1-xGdxO2-x/2(x=0.1～0.6)系列固体电解质, 系统地研究了其结构、热膨胀系数和导电性. XRD结果表明, 160 ℃即完全形成立方萤石结构. 由于溶胶-凝胶法合成的物质粒度均匀, 颗粒小, 故在较低温度(1 300 ℃)时即可形成高致密样品, 此温度明显低于传统的高温固相法烧结温度(1 600～1 650 ℃). 高温X射线衍射测得Ce0.8Gd0.2O1.9的热膨胀系数为8.125×10-6 K-1. 阻抗谱表明, 溶胶-凝胶法合成可减少或消除固体电解质的晶界电阻, 600 ℃时Ce0.8Gd0.2O1.9的电导率为5.26×10-3 S/cm, 活化能Ea=0.82 eV.     

CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关,蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂,研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应。我们从缺陷化学的角度,分析了Cd^2+在BaTiO3基材料中的行为,推断表明这种现象可能是由于铁电相变时,处于晶界区的Cd^2+在Ba位和Ti位之间转换造成的。     

Paths for the Non-radiative Recombination Occurring in CdS：CdO/Si Multi-Interface Nanoheterostructure Array

A CdS：CdO/Si multi-interface nanoheterostructure array （CdS：CdO/Si-NPA） is prepared by a chemical bath deposition method, and three emission bands are observed in the as-grown CdS：CdO film. By measuring its temperature-dependent photoluminescence （PL） spectrum, the variation trends of the peak energies and intensities with temperature for the three bands are obtained. Based on the theoretical analyses and fitting results, the non-radiative recombination processes corresponding to the PL quenching for the three emission bands are attributed to the thermally activated transition between heavy-hole and light-hole levels （at low temperature） and the thermal escape due to the scattering from longitudinal optical phonons （at high temperature）, the transition from acceptor levels to surface states, and the transition related to surface defect states, respectively. The clarification of the non-radiative recombination processes in CdS：CdO/Si-NPA might provide useful information for promoting the performance of optoelectronic devices based on CdS/Si nanoheterostructures.     

空气中含 17O、18O的氧分子在CdO表面的富集

利用热脱附-离子捕获检测器（TPD-ITD）、四极质谱（QMS）、 X光电子能谱（XPS）、 X光衍射（XRD）等方法, 研究了在CdO表面层中 17O、 18O的富集现象。所获结果显示, CdO表面 Cd(OH)2-CdCO3层在形成过程中对含 17O、 18O的氧分子有选择包结能力。     

Structural and Optical Characterization of Zn1—xCdxO Thin Films Deposited by dc Reactive Magnetron Sputtering

Zn1-xCdxO crystal thin films with different compositions were prepared on silicon and sapphire substrates by the dc reactive magnetron supttering technique. X-ray diffraction measurements show that the Zn1-xCdxO films are of completely (002)-preferred orientation for x≤0.6. For x=0.8, the film is a mixture of ZnO hexagonal wurtzite crystals and CdO cubic crystals. For pure CdO, it is highly (200) preferential-oriented. Photoluminescence spectrum measurement shows that the Zn1-xCdxO(x=0.2) thin film has a redshift of 0.14eV from that of ZnO reported previously.     

介观结构SiO2/CdO纳米复合物为前驱体原位水热合成半导体CdSe和CdS纳米晶

以高度有序的介观结构SiO2／CdO纳米复合物为前驱体，在硒源或硫源存在的还原性条件下，利用原位水热反应，合成了介观结构SiO2／CdSe及SiO2／CdS纳米复合物，除去SiO2后，得到半导体CASe及CAS纳米晶．通过X射线衍射(XRD)，高分辨率透射电镜(HRTEM)，X射线能散射谱(EDX)及选区电子衍射(SAED)等手段对产物进行了组成和结构表征．结果表明，介观结构SiO2主体材料在合成过程中起到了一定的形貌和尺寸限制作用，得到的CdSe和CdS均为直径在8nm左右的类球形六方相纳米晶．     

高压下氧化镉弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理研究

 运用基于密度泛函理论的平面波赝势方法（PWP），计算研究了氧化镉NaCl结构（B1结构）和CsCl结构（B2结构）在不同压力条件下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质。交换关联能分别采用广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）。通过比较计算和实验得到的晶格常数和体模量不难发现，LDA的计算结果更符合实验值。在高压的作用下，两种结构的导带能级有向高能级移动的趋势，而价带能级有向低能级移动的趋势，因此直接带隙变大。同时，对照态密度分布图及高压下能级的移动情况，分析了CdO两种结构在高压作用下的光学性质。