超声搅拌磁流变抛光液的声场仿真分析

为了探究超声搅拌磁流变抛光液的制备及优化工艺,利用多物理场数值计算方法,建立了超声搅拌磁流变抛光液的声场仿真模型,并进行了频域分析。研究了不同液位深度、超声变幅杆探入深度,不同功率下磁流变抛光液的声场分布。通过测量磁流变抛光液的声场强度对声场仿真进行了验证。结果表明：随着距变幅杆距离的增加,声强逐渐减弱,高声强区域主要分布在换能器轴线附近。声强在距变幅杆20mm范围内急剧衰减,变幅杆最佳探入深度为10mm,增大功率有助于空化区域的扩大。声场仿真结果与实验测量结果基本一致,对磁流变抛光液的制备提供了数值计算基础。     

电位滴定法测定抛光液中的三酸含量

探讨了利用自动电位滴定仪对抛光液中磷酸、硫酸及硝酸的分析方法,以及对溶剂的标定方法。电位滴定法测定三酸,先用硫酸亚铁铵滴定硝酸,再用氢氧化钠滴定磷酸和硫酸,从而计算三酸含量。结果表明,与传统滴定法相比,电位滴定法标定硫酸亚铁铵的相对标准偏差(RSD)从1.1%降至0.13%,标定氢氧化钠的RSD从0.72%降至0.06%。电位滴定法测定自配样品及工厂抛光产品中的硝酸,回收率分别在96%及93%以上。电位滴定法测定自配样品及工厂抛光产品中磷酸和硫酸的回收率偏差在3%以内。手动滴定法测定磷酸和硫酸的回收率偏差在5%～10%,回收效果不如电位滴定法。电位滴定法测定工厂抛光液的三酸加标回收率偏差均小于3%。自动电位滴定法比手工滴定的准确性和精密度明显提高,弥补了手工滴定法只能分析磷酸和硫酸,而无法测定硝酸的缺陷。     

白宝石(Al2O3)晶体基片用抛光液的研制及加工工艺

1　引　言白宝石 (Al2 O3)晶体基片是制备蓝色发光二极管及蓝色激光器的基础材料 ,其表面质量的好坏直接影响到器件的性能和成品率。因此Al2 O3晶体基片加工技术 ,如同其它半导体晶片加工技术一样 ,经历了不断发展和完善的过程 ,且成为晶体基片加工的一个新亮点。国内随着晶体衬底加工设备的引进 ,也引进了Al2 O3晶体基片的加工工艺。但是 ,其成本很高 ,受控于人。能否用国产设备和国产材料加工出合格的Al2 O3晶体基片 ,成为一个新的课题。本文就这一课题 ,将介绍Al2 O3晶体基片加工设备的选择、工艺特点、工艺流程、核心技术及原理 ,抛…     

铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究

应用电化学测试技术研究了介质浓度（包括pH值）和成膜剂浓度对铜表面成膜及铜抛光过程的影响，探讨了成膜厚度及其致密性与抛光压力、抛光转速的关系，考察了压力及转速对抛光过程的作用，找出影响抛光过程及抛光速率的电化学变量。用腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化解释了抛光过程的电化学机理，通过成膜速率及除膜速率的对比得出抛光过程的控制条件。证明了在氨水溶液介质中、以铁氰化钾为成膜剂、纳米γ-Al2O3为磨粒的抛光液配方是可行的，其抛光控制条件为压力10psi、转速300r/min。     

半球蓝宝石整流罩制造技术研究

整流罩在高速飞行中既要对空气进行整流,同时又起光学窗口的作用。蓝宝石材料硬度高,加工非常困难。分别从精磨模、精磨磨料、抛光膜层、抛光辅料、机床速度和压力等方面介绍了一种加工蓝宝石整流罩的工艺方法。     

磁性复合流体分散性及其对BK 7光学玻璃抛光性能的影响

针对BK7光学玻璃材料去除率和抛光质量不断提高的需求,提出通过减少磁性复合流体(MCF)抛光液颗粒的团聚、提高MCF分散性,配制性能优良的抛光液,提高BK7光学玻璃的MCF抛光性能.MCF中添加不同质量分数的高分子类分散剂聚乙烯醇(PVA),采用激光粒度分布仪测试MCF抛光液中颗粒的粒径分布和中位粒径,探究不同PVA浓度的抛光液对BK7光学玻璃抛光性能的影响.试验结果表明:当PVA质量分数为3%时,中位粒径达到最小值5.854μm,MCF的分散性最好,对光学玻璃的抛光性能大幅提高,当PVA质量分数为5%时,经MCF抛光10min后材料去除率达到最大值26.4×10~(-4)g/min,表面粗糙度达到最小值8.23nm.MCF中添加适量PVA能够减少抛光液颗粒的团聚,提高MCF的分散性,提升BK7光学玻璃的磁性复合流体抛光性能.     

促进知识素养化的教学——以“硝酸的性质”为例

以“铜制品抛光液”为情境素材,设计一系列的情境问题,旨在探究浓度、温度、酸度等因素对硝酸强氧化性的影响、硝酸的不稳定性及硝酸的贮输等核心内容。开展以化学实验为主的多种探究活动,学生在问题解决和探究过程中结构化“硝酸的性质”知识,利用结构化的知识评价铜制品抛光液的优缺点,并对此种抛光液提出合理的改进方案,促使知识素养化,落实学生的化学学科核心素养。     

化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析

化学机械抛光（chemical mechanical polishing, CMP）是用于获取原子级平面度的有效手 段.目前，CMP的抛光液通常使用纳米级颗粒来加速切除和优化抛光质量.这类流体的流变性 能必须考虑微极性效应的影响.对考虑微极性效应的运动方程的求解，有助于了解CMP的作用 机理.数值模拟表明，微极性将提高抛光液的等效黏度从而在一定程度上提高其承载能力， 加速材料去除.这在低节距或低转速下尤为明显，体现出其具有尺寸依赖性.通过改变抛光液 中粒子的微极性，用实验研究了微极性效应对CMP中材料去除速率的影响，证明了分析的合 理性. 关键词： 化学机械抛光 微极流体 抛光液 流变特性 材料去除速率     

大直径铌酸锂晶片的化学机械抛光研究

本文采用化学机械抛光方法,以SiO2作为抛光液的研磨介质,对76mm Z切向的铌酸锂晶片的抛光进行了深入的研究.分析了影响铌酸锂晶片抛光效果的因素,通过优化工艺参数,使铌酸锂的表面粗糙度Ra达到0.387nm,平面面形误差小于4μm.     

C面蓝宝石抛光液组分优化

本文利用单因素及正交试验探究磨粒种类、抛光液pH值、表面活性剂种类、磨粒粒径对C面蓝宝石化学机械抛光材料去除率的影响,试验结果表明: 采用二氧化硅作为磨粒能得到较高的材料去除率及较好的表面形貌;材料去除率随抛光液pH值的增大呈现先增大再减小的趋势,其中pH值在9附近能得到较好的去除率;材料去除率还随着磨粒粒径的增大而增大;使用三乙醇胺(TEA)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作表面活性剂能得到较高的材料去除率;各试验因素对蓝宝石晶片材料去除率的主次顺序为磨粒粒径、表面活性剂、抛光液pH值;其中当磨粒粒径为50 nm,表面活性剂选CTAB,抛光液pH值为9既能得到较高的材料去除率又能获得较好的表面质量。