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1.
The aromatic character of divalent three, five and seven-membered rings C2H2M, C4H4M and C6H6M(M=C, Si, Ge, Sn and Pb) is investigated through magnetic and geometric criteria by Density Functional Theory (DFT)method using 6-311++G(3df,2p) basis set of the GAUSSIAN 98 program. The result of Nucleus-independent Chemical Shifts (NICS)(0.5) calculations show an aromatic character for singlet state of C2H2M(M=C, Si, Ge, Sn and Sn) and nonaromatic character for triplet states of C2H2M(except M=Ge and Pb). NICS (0.5) calculations show nonaromatic character for the singlet state of C4H4C and antiaromatic character for C4H4M(M=Si, Ge, Sn and Pb). In contrast, NICS (0.5) calculations indicate antiaromatic character for the triplet state of C4H4C and nonaromatic character to C4H4M(M=Si, Ge, Sn and Pb). NICS (0.5) calculations show a slightly homoaromatic character for the singlet state of C6H6M and anti-aromatic character for triplet state of C6H6M.  相似文献
2.
我们对sp+sp~2杂化的碳同素异形体—石墨炔,以及锡烯等层状体系的电子结构、形变势、电声耦合和电荷输运性质进行了回顾。有些二维石墨炔具有类似石墨烯的狄拉克锥,同时石墨炔电子结构可通过将其沿不同方向裁剪成不同宽度一维纳米带来调节。采用玻尔兹曼输运方程和形变势近似,结合第一性原理计算,我们预测石墨炔电荷载流子室温迁移率可达10~4–10~5 cm2?V~(-1)?s~(-1),尤其6,6,12-石墨炔,因有两个狄拉克锥及比石墨烯弱的电声耦合,其室温迁移率甚至能高于石墨烯。因此具有独特电子结构和高迁移率的石墨炔能成为继石墨烯之后未来的纳米电子器件材料。此外我们着重分析了形变势方法的适用性:密度泛函微扰理论和瓦尼尔插值技术能精确计算任意波矢和模式的声子对载流子散射,该方法在石墨烯和石墨炔上的运用表明二维平面碳材料中对载流子输运起主导作用的是长波长纵声学声子散射,因而形变势方法是适用的;但通过对锡烯等二维非平面buckling结构的材料声子散射和迁移率的计算,发现此类不具备σh对称性的材料有较强的面外声子散射和横声学声子谷间散射,使得常用的形变势失效。  相似文献
3.
廖浦鸿  包伟良 《合成化学》1997,5(4):374-376
在金属锡促进下,烯丙基溴与二硒醚或二硫醚反应,生成烯丙基硒醚或烯丙基硫醚 。  相似文献
4.
曹福臣  贺天平 《化学通报》2022,85(8):1009-1015
2011年,中科院物理研究所的姚裕贵教授从理论上对二维锡进行了研究,首次预测了二维锡是一种拓扑绝缘体。至2013年,二维锡的理论研究已较为成熟,美国斯坦福大学的张首晟教授基于锡的拉丁文stannum和二维烯材料2D-Xene后缀组合正式提出了锡烯(Stanene)的概念。2015年,上海交通大学的贾金锋教授等人利用分子束外延技术在Bi2Te3(111)衬底上首次成功地生长出了二维锡烯。随后,锡烯在不同衬底上相继生成,其制备方法取得了一定的进展。人们也在制备探究中逐渐发现,锡烯具有优异的物化性质,在众多领域内有良好的应用前景。锡烯的发展史重新诠释了二维材料的发展机制,为新型二维材料的预测、制备与应用提供了新的视角和思路。  相似文献
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