试谈微机汉字库的建库方法及其基本程序

本文介绍了各种微机汉字库的造字建库方法和基本程序,所给出的6个IBMBASICA造字源程序,都是行之有效的。本文介绍的造字建库方法包括点阵汉字的点阵法、单模法和双模法、通用向量汉字的点阵法、转换法、单模法和双模法以及AutoCAD汉字的格栅法和移植法。最后,本文提供了绘图汉字库的开发过程。     

HNO自由基与O2反应机理的理论研究

采用密度泛函理论（DFT）和从头算方法,在B3LYP/6-311++G（d,p）水平上对反应HNO+O₂做了理论计算研究。优化得到了反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型以及相应的能量值、振动频率。通过分析反应路径的能量差异,以及异构化难易程度,发现HNO+O₂反应有2种产物通道：HOONO和HNO₃。其中过氧亚硝酸HOONO是主要产物,有3种稳定的构象。     

单分散球形CaWO_4∶Re~(3+)(Sm~(3+),Eu~(3+))红色荧光粉的制备及其发光性能

目前使用的白光LEDs荧光粉,主要是适于蓝光GaN芯片激发的黄、绿、红色稀土荧光粉。黄、绿光荧光粉技术已经相对完善,而发光良好、性能稳定的红色荧光粉比较少。因此,需要开发新型的蓝光激发型红色荧光粉。相对于传统的高温固相法制备荧光粉体,本文利用水热法在较低温度160℃成功制备出了发光性能良好的单分散球形钨酸钙红色发光材料CaWO4∶Sm~(3+)和CaWO_4∶Eu~(3+)。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、荧光光谱仪(PL)等表征手段,研究了所制备材料的晶体结构、表面形貌以及光学特性。讨论掺杂稀土离子浓度、反应时间等条件的改变对样品形貌以及发光性能的影响。结果显示,掺杂浓度不仅影响材料的形貌,还影响其发光强度。当Sm~(3+)和Eu~(3+)掺杂量分别为6%和4%时,CaWO_4∶Sm~(3+)和CaWO_4∶Eu~(3+)材料的发光性能最优。研究结果表明,Sm~(3+)和Eu~(3+)掺杂的CaWO_4材料可以作为荧光灯和蓝光芯片LED用荧光粉的备选材料。     

HNO自由基与O2反应机理的理论研究

采用密度泛函理论(DFT)和从头算方法,在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上对反应HNO+O_2做了理论计算研究。优化得到了反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型以及相应的能量值、振动频率。通过分析反应路径的能量差异,以及异构化难易程度,发现HNO+O_2反应有2种产物通道:HOONO和HNO_3。其中过氧亚硝酸HOONO是主要产物,有3种稳定的构象。     

制备聚合物基/纳米SiO2复合材料的几种方法

聚合物基纳米SiO2复合材料由于兼具无机二氧化硅和有机硅的特性而具有广阔的应用前景。将纳米SiO2和有机硅聚合物有效地复合,形成无机-聚合物复合材料,是一个非常活跃的领域。本文总结了几种常用的制备聚合物基纳米SiO2复合材料的方法。     

室温射频磁控溅射制备纳米晶ZnSX薄膜及其性能研究

为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、分光光度计、光谱椭偏仪重点研究了不同射频功率对制备的纳米晶ZnS_X薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:射频功率对ZnS_X薄膜晶相形成和结晶度具有重要影响;随着溅射功率的增加,ZnS_X薄膜中Zn和S元素的比例、特征拉曼峰的强度以及折射率的值都先增大后减小,薄膜的光学带隙从3.86 eV降低至3.76 eV;当溅射功率为150 W时,为ZnS_X薄膜具有立方相结构及高结晶度的最优条件,薄膜的Zn/S比接近于标准化学计量比,达到1.23,可见光平均透过率大于80%,550 nm下ZnS_X薄膜的光学折射率为2.03。