对一个大单轴磁各向异性镍(Ⅱ)配合物中的磁跃迁的直接观察

最近Ruamps和同事发现三角双锥构型的Ni（Ⅱ）配合物[Ni（Me₆tren）Cl]ClO₄（1，Me₆tren=tris（2-（dimethylamino）ethyl）amine）具有大的单轴磁各向异性（J.Am.Chem.Soc.，2013，135：3017-3026）。他们利用HF-EPR研究获得横向零场分裂（ZFS）参数E=1.56（5）cm^-1但未能确定轴向零场分裂参数D。在本工作中，我们利用0~17.5 T和5 K的变磁场远红外光谱（FIRMS）来检测自旋基态S=1中的M_S=±1和M_S=0态之间的磁跃迁。在FIRMS中直接观察到Zeeman分裂态之间的跃迁，得出轴向ZFS参数D=-110.7（3）cm^-1。我们对1的晶体结构进行了Hirshfeld表面分析，揭示了1分子中的阳离子与阴离子之间以及分子之间的相互作用。     

钨卡宾化合物与水的不寻常反应——含氧配体三聚体的合成、表征和晶体结构

烷基卡宾化合物W（CH2CMe3）3（/CSiMe3）（1）与水在四氢呋喃（THF）中,或者与重水在苯-d6中的反应分别生成两个新的含氧配体的三聚物W3O3（μ=O）3（CH2CMe3）6（THF）3（2）和[W3O3（μ=O）3（CH2CMe3）6（D2-O）3]·2benzene-d6（3·2benzene-d6）.这两个产物中每个钨原子均含两个烷基配体,与以前报道过的从类似的烷基卡宾化合物W（CH2CMe3）3（/CCMe3）与水反应所生成的二聚物W2O2（μ-O）（CH2CMe3）6有很大不同.化合物1与重水在四氢呋喃的反应中,观测到一个不稳定的中间体W2O2（μ-O）（CD2SiMe3）2（CH2CMe3）4（4-d4）.对1与水或者与重水在THF-d8中的反应生成4及4-d4进行了动力学研究,在298（1）K,动力学同位素效应（KIE）为3.46（3）,显示1的消失是一个速率决定步骤.     

金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程

金属氧化物薄膜如HfO₂（被称为高k电介质）是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机（平板电脑,笔记本电脑和台式机）、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数（k）的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO₂（k=3.9）,从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中被广泛用作前体,通过与O₂、H₂O或O₃的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d⁰过渡金属配合物与O₂反应的研究。     

过渡金属催化的氢氨烷基化反应

烯烃的氢氨烷基化反应作为一种原子高效反应在过去十多年中受到广泛的关注,它通过一步反应把烷基氨上N的α位的C-H加成到不饱和C-C上形成新的氨分子,反应没有副产物。本文综合介绍金属催化的氢氨烷基化反应近年来的研究进展,并对其机理的研究作出概括。     

含吡啶鎓阳离子的氮杂环卡宾Pd(Ⅱ)配合物的合成、结构及催化性能

合成了四个含吡啶鎓阳离子的氮杂环卡宾钯(II)三碘配合物. 通过核磁共振谱和元素分析对它们进行了表征. 同时利用X射线单晶衍射确定了其中两个配合物的晶体结构. 研究表明该系列配合物对Suzuki-Miyaura偶联具有催化活性.     

更正：对一个大单轴磁各向异性镍(Ⅱ)配合物中的磁跃迁的直接观察

We have found following errors in the article“Direct Observation of Magnetic Transitions in a Nickel(Ⅱ)Complex with Large Anisotropy”(Chinese J.Inorg.Chem.2020,36(6):1149-1156):For Fig.3-Top,0 and 17 T spectra are reversed and the wavenumber range should be adjusted.For Fig.3-Bottom,“B∥z”is shown twice.Fig.3 should be replaced by the following figure.Supporting information(Fig.S1 and S2)should be revised as well.     

金属氧化物与现代微电子学:过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程

金属氧化物薄膜如HfO₂（被称为高k电介质）是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机（平板电脑,笔记本电脑和台式机）、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数（k）的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO₂（k=3.9）,从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中被广泛用作前体,通过与O₂、H₂O或O₃的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d⁰过渡金属配合物与O₂反应的研究。     

胍基锆酰胺配合物与四氯化碳的反应生成氯化锆胍基衍生物

四氯化碳与Zr（NMe₂）₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（1）反应先生成中间体ZrCl（NMe₂）₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（2）,然后生成ZrCl₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（3）。该反应可能是自由基反应。另外,配合物2可由ZrCl（NMe₂）₃与二异丙基碳二亚胺ⁱPr-N=C=N-ⁱPr反应制备。对配合物2进行了核磁共振（NMR）和元素分析。