14.7MeV中子在C和Be核上小角弹性散射测量

利用快中子位置灵敏谱仪和伴随粒子飞行时间方法、测量了14.7 MeV中子在C和Be核上的弹性散射微分截面。用蒙特卡罗方法对中子在样品中的通量衰减、多次散射作了修正。实验数据与他人结果作了比较和讨论。     

14.7MeV中子在C和Be核上小角弹性散射测量

利用快中子位置灵敏谱仪和伴随粒子飞行时间方法、测量了14.7MeV中子在C和Be核上的弹性散射微分截面.用蒙特卡罗方法对中子在样品中的通量衰减、多次散射作了修正.实验数据与他人结果作了比较和讨论.     

Mo(d,x)95mTc,Mo(d,x)96gTc和Mo(d,x)97mTc反应的激发函数

用活化法和迭靶技术,测量了入射氘核能量从3.2到13.3MeV范围内,Mo(d,x)^95mTc,Mo(d,x)^96gTc和Mo(d,x)^97mTc反应的激发函数,并与复合核统计模型理论计算作了比较.     

多用小型磨损试验机

为了评定薄层硬质材料(如离子注入,离子束混合技术表面改性等得到的)的耐磨性研制了一台小型磨损试验机。本文介绍了该试验机的设计指标、基本结构、用途和磨损测量方法—等深划痕法等。该试验机还设有可测量摩擦系数的往复式摩擦试验装置和球柱试样磨损试验装置。並对试验结果进行了讨论。     

采用薄靶方法测量低能电子致Al,Ti,Cu,Ag,Au元素K壳层电离截面与L壳层特征X射线产生截面

使用5—27 keV能量范围内的单能电子束轰击薄碳衬底上的薄Al (Z=13),Ti (Z=22),Cu (Z=29),Ag (Z=47),Au(Z=79)靶,使用硅漂移型探测器(SDD)收集产生的特征X射线,测量了Al,Ti,Cu的K壳层电离截面以及Cu,Ag和Au的L壳层特征X射线的产生截面,并且使用蒙特卡罗PENELOPE程序对实验结果进行了修正.本文给出了Cu的L壳层特征X射线产生截面.与半相对论扭曲波玻恩近似(semi-relativistic distorted-wave Born approximation,DWBA)理论值相比,本文的大多数实验值在7%的范围内与理论值符合.研究表明,中重元素的L壳电离截面的理论计算以及相应的原子参数有待更精确的确定.     

原子碰撞四参数获取及高压控制微机在线系统

本文介绍一种微机“在线”系统的结构及功能、并对其硬件接口和软件设计作了讨论。     

H3+立体化学结构的测量

本文报道了用“库仑爆炸”技术对H₃⁺分子离子的立体化学结构测量。实验表明:H₃⁺的结构为正三角形,其最可几质子间距的平均值为0.98±0.03?。文中还介绍了我们的高分辨实验装置。 关键词：     

求解流函数方程Cauchy问题的一种迭代投影方法

本文提出了求解流函数方程Cauchy问题的一种优化迭代方法——迭代投影法。此法具有较高的迭代收敛速度且宜于计算带有极向偏滤器等离子体平衡问题的外部解。计算了几种带偏滤器的等离子体平衡位形。此外,还将另一些计算结果与解析解进行了比较,结果是满意的。 关键词：     

氢离子与碳膜相互作用的实验研究

此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应.     

辐照损伤模拟中的Zr 原子势函数

以金属Zr 的一种嵌入原子形式(EAM) 的势函数为基础,通过引入一个调制函数的办法,在不同范围内修改了EAM 势函数的对势部分和原子电子密度分布部分,然后采用分子动力学方法计算点缺陷(间隙原子(SIA) 和空位) 形成能和初级离位原子(PKA) 的阈值能,从而探讨这些物理量对势函数的不同部分的敏感程度。计算结果表明:势函数的对势部分长程范围内的形式对缺陷的形成影响较小,其短程范围的形式对SIA 的形成比对空位的形成影响程度更大;对于PKA 的阈值能,其敏感区域来自于势函数的对势部分和原子电子密度分布的短程范围部分,但在不同晶向上的PKA 的阈值能对势函数的敏感程度有所不同。这些研究结果对于在研究Zr 金属的辐照损伤中势函数的选择或构建有指导意义。For the purpose of detecting the sensitive parts of an embedded atom method(EAM) potential which is considered to be used in molecular dynamics simulation of radiation effects of Zirconium, we introduce a modulation function to modify the pairwise potential and the atomic electron-density distribution of the EAM potential. Based on the modified potential function, the formation energies of the self-interstitial atom (SIA) and the vacancy atom are calculated as well as the displacement threshold energy of primary knock-on atom (PKA). The results indicate that the short range part of the pairwise potential has more greater influence on the SIAs formation than the vacancy formation. The defect formation energies are also very sensitive to the behavior of the atomic electron-density function in the range which is close to the cutoff distance. The displacement threshold is sensitive to the short range behaviors of both the airwise potential and the atomic electron-density function, however, the sensitivity is strongly dependent on the crystal-direction.