超声波辐照下N,N,N’,N’-四甲基二氨基二苯 甲烷的合成研究

本文报道了Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’－四甲基二氨基二苯甲烷的催化合成反应研究,讨论了超声空化场对氨基苯磺酸和阴离子表面活性剂等条件对该反应的催化作用。     

催化光度法测定痕量钒的研究

研究了在磷酸介质中,柠檬酸存在下,痕量V(v)催化溴酸钾氧化偶氮胂Ⅲ的退色反应及其动力学条件,建立了测定痕量钒的新方法。方法检出限为1.92×10~(-11)g·ml~(-1),线性范围0～8ng·ml~(-1)·已成功用于茶叶、花生、黄豆及中药材枸杞、灵芝中痕量钒的测定。     

非对称笼间电子迁移异构体与电场诱导电子迁移

基于密度泛函理论研究了非对称双笼型单分子溶剂化电子e^-@C₂₄F₂₂(NH)₂C₂₀F₁₈(1、2 和3), 进一步展示了我们提出的一种新型电子异构体——(非对称型的)笼间电子迁移异构体. 1、2 和3 具有显著不同的偶极矩. 由于都存在两个氧化还原中心, 它们属于一种非金属型的新型Robin-Day II-III 分子. 对于1 和3, 额外电子分别定域在C₂₄F₂₂和C₂₀F₁₈笼里(Robin-Day II); 对于2, 额外电子则离域于两个非对称的笼中(Robin-Day III). 值得注意的是, 在y 轴方向上外加-0.0004和-0.0008 a.u.的临界电场(E_c)时可分别使1 的额外电子从C₂₄F₂₂笼中部分和全部地迁移到C₂₀F₁₈笼中, 即实现从1 到2 再到3 的转化; 当E_c为0.0004 a.u.时, 3 的额外电子从C₂₀F₁₈笼中全部迁移到了C₂₄F₂₂笼中, 即3 未经过2 直接转化成了1.     

聚茚并茚及其取代衍生物的理论研究

用子洽场全略微分晶体轨道法对聚茚并茚及其取代衍生物的电子结构进行了计算研究,探讨了取代基效应。计算得到聚茚并茚及其取代物是一类具有较低带隙的半导体。取代基效应表明,吸电子基团的取代使聚合物的电子亲和势增大,而给电子基团的取代则导致电离势减小,但取代基效应不能改变聚合物的半导体性质。     

新型一维链状配位聚合物[Cd2(C23H14O6)2(C10H9N3)2(H2O)]n的研究

配位超分子聚合物的设计合成与应用研究一直是配位化学、超分子化学、生物无机化学及材料科学等领域的热点研究课题之一,具有微孔结构的配位聚合物吸引了许多科学家的目光,这不仅因为该类配合物具有新颖的结构,展现出多种诱人的拓扑结构,更主要的 是因为它们在离子交换、催化、磁性材料、光学材料及气体贮存领域的应用潜力[1～3].     

锂掺杂胺化物中氮原子配位数效应对结构和非线性光学性质的影响

采用MP2／6—311＋＋G（d,p）方法得到了含有不同氮原子配位数的系列锂掺杂胺化物的几何结构,并使用MP2／6．311＋＋G（2d,p）方法计算了该系列的非线性光学性质．结果表明：相对于未掺杂体系,锂掺杂极大地增加了体系的一阶超极化率（β0）,其中1的β0值是掺杂前的3238倍;体系的风随着氮原子配位数的增加而显著增加,具有3个配位氮原子的1的风值达到2．8×10^5a．u．另外,频率依赖的一阶超极化率（β（-ω;ω,0）和β（-2ω;ω,0））也表现了同样的趋势．     

高灵敏催化光度法测定痕量锰的研究

研究了在ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，１，１０－邻菲口罗啉存在下，痕量Ｍｎ（Ⅱ）催化高碘酸钾氧化偶氮胂Ⅲ的褪色反应及动力学条件，建立了测定痕量锰的新方法。本法检出限为６．１５×１０－９ｇ／Ｌ，线性范围为０．２～３．２μｇ／Ｌ，已成功用于茶叶、花生、黄豆及中药材枸杞、灵芝中锰的测定。     

具有光控功能的两种氮氧自由基体系磁偶合作用的理论研究

采用密度泛函结合对称性破损态(DFT-BS)方法, 通过计算具有光控磁性分子开关功能的二氮氧自由基二芳基乙烯化合物的磁偶合常数, 合理解释了其分子结构发生开环和闭环变化时, 分子磁性发生的改变．同时设计了二氮氧自由基二甲基二氢化芘分子光控开环和闭环模型, 并用同样的方法计算了模型分子的磁偶合常数, 发现这些模型分子的磁行为类似于二氮氧自由基二芳基乙烯化合物, 有可能也具有光控磁性分子开关功能．     

核-壳结构的硅烷偶联剂交联的SrTiO3/PVDF复合物薄膜的铁电和介电性能

通过溶液浇筑法制备了核-壳结构的硅烷偶联剂3-氨丙基三乙氧基硅烷（3-APTS）交联的SrTiO₃/PVDF复合物薄膜,对其进行了XRD、FTIR、TG、DSC、SEM、介电和铁电性能测试。研究发现,使用硅烷偶联剂有助于SrTiO₃在复合物薄膜中实现均匀分散,其可能与硅烷偶联剂可以被用作交联剂连接聚合物和无机材料形成核-壳结构有关。SrTiO₃（ST）的引入有助于提高复合物薄膜的结晶性,但是会导致电活性β-晶相含量的轻微减少。当ST的质量含量达到30%时,复合物薄膜的介电常数可以增大至纯PVDF的2.5倍,并且不会引起介电损耗的明显增加;同时,该复合物薄膜的剩余极化率（P_s）也可以增大到原来的2倍左右。我们的研究表明,在PVDF中引入硅烷偶联剂表面改性的ST是制备具有良好分散性的复合物薄膜以及提升其铁电和介电性能的一种有效方法。