钕掺杂Ti基Sn-Sb涂层电极的制备及性能评价

以SnCl4·5H2O, Sb2O3和Nd(NO3)3·6H2O为前驱体, 纯钛板为基体, 采用涂层热解法制备了Nd掺杂Ti基Sn-Sb氧化物涂层电极. 通过对所制备电极的析氧电位和含阴离子表面活性剂污水降解效果的考察, 优化出最佳Nd掺杂量为SnSbNd=10062.5(摩尔比), 最佳热处理温度为550 ℃. 通过SEM, XRD和EDX等检测手段对制备的电极的表面形貌、晶体结构及元素组成进行了表征和分析, 结果证明, 适量Nd的掺杂使Ti/Sn-Sb电极的析氧电位明显提高, 达到1.72 V, 对阴离子表面活性剂的去除率达到97.4%, 使电极表面晶粒细化, 对基体覆盖较好. 掺杂过量会使SnO2晶格破坏, 使电极性能降低, 甚至低于未掺杂电极.     

Ti基化学镀Ni-P和Ni-P-Cg镀层晶化动力学

利用化学镀技术在Ti基体材料表面制备了Ni-P合金镀层和Ni-P-Cg复合镀层。利用SEM、XRD和EDS等分析了镀层的晶化过程,用差热分析仪研究了Ni-P合金镀层和复合镀层的晶化动力学,运用Ozawa、Freeman-Carroll、Achar和Coats-Redfern方法对非等温动力学数据进行了分析和比较。结果发现,复合镀层的特征温度T_m和晶化激活能E均高于Ni-P合金镀层,而热焓值｜ΔH｜却低于Ni-P镀层;计算出Ni-P合金镀层和Ni-P-Cg复合镀层晶化激活能分别为308.9 kJ·mol^-1和412.99 kJ·mol^-1、指前因子A分别为58.03 s^-1和77.84 s^-1,确定了Ni-P合金镀层和复合镀层晶化动力学方程。