AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究

以AlN作为靶材，使用射频磁控溅射法在Si（100）和玻璃衬底上，在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜，并研究了衬底温度对溥膜的结构，形貌和性质的影响．实验表明，衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向，薄膜表面均匀、致密和平整，均方根粗糙度为4．83nm．随着基片温度的增加，溥膜的折射率增加，对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变．     

近距离升华薄膜装置的研制及特性

详细介绍了近距离升华（CSS）薄膜装置的研制及其特性，并对利用该装置及利用射频溅射沉积的CdTe膜的结构进行了XRD分析。结果表明，CSS方法所得的CdTe膜具有较大的晶粒尺度，结晶效果更好。     

水热合成NiS2粉晶及Rietveld结构精修

采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用XRD、SEM对样品进行了表征并使用Rieteveld粉末衍射峰形全谱拟合方法对不同水热反应条件下合成二硫化镍粉晶的晶体结构进行了研究.并用多相全谱拟合相定量分析法对水热合成二硫化镍粉晶中的杂相质量百分比进行了计算,分析了NiS2粉晶的合成机理.     

水热法合成FeS2粉晶及其生长热动力学的研究

采用溶胶_凝胶水热法合成了单相黄铁矿结构的FeS2₂粉晶. 用x射线衍射、傅 氏变换红外光谱等分析手段对FeS2₂粉晶进行了表征，以简化的数学模型及相 变理论讨论了晶体 生长过程. 结果表明：FeS2₂晶粒的生长过程属于相变与扩散的混合机制，符 合经时间 指数修正的二次方动力学方程，是一个生长速率随时间变化的过程；水热晶化温度高于453 K、反应时间超过18 h且有适量的硫参与反应时，可得到单相的黄铁矿型的FeS2₂关键词： 溶胶_凝胶水热法 2粉晶')" href="#">FeS2₂粉晶 晶粒生长 热动力学     

反应条件对水热合成二硫化镍NiS2粉晶的影响

本文采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜讨论了样品N iS2粉晶的晶体结构及形貌,研究了X射线衍射峰积分强度以及半峰宽等随反应条件的变化,并分析了N iS2粉晶的合成机理.     

不同形貌氧化锌纳米棒的CVD法制备及生长机制讨论

采用CVD技术制备了不同形貌的ZnO纳米棒.并利用XRD、SEM、能谱仪、荧光光谱仪对比研究了其表面结构、成份、相结构及光致发光特性.结果表明,样品形貌随着沉积位置的变化而变化,其生长遵循金属自催化机制.并且表明离子化氧空位的存在有利于ZnO的绿光发射.     

铷蒸气密度对光抽运讯号的影响

在铷蒸气密度为1×10~(10)～3.4×10~(11)cm~(-3)的范围内,测量了光抽运讯号。随着密度的增加,讯号先是增大然后减小,并在密度为5.3×10~(10)cm~(-3)时达到最大值。当密度增加到26.7×10~(10)cm~(-3)时,讯号出现负值。     

天然树脂局部结构的径向分布函数研究

本工作用x射线衍射技术分析计算了二种天然树脂的局部结构参数,由测得的衍射强度数据求出了它们的结构因子I(r)和径向分布函数RDF(r),并由此得到了分子链内临近原子和次临近原子平均间距、配位数和短程有序畴。     

固相反应法合成黄铜矿型CuInSe2多晶粉末及其蒸发薄膜的光电性能分析

本文用室温固相反应法和真空蒸发法分别合成了黄铜矿型CuInSe-2多晶粉末和制备了富Cu的Cu-xIn-{l-x}Se-2薄膜用XRD,ICP HALL和UVVIS波段光透射技术分别测量了样品的原子结构,化学成分及光电性能发现在两元固相反应中,InSe反应很不完全而CuSe就不能反应,而三元固相反应的粉末样品中即使有些杂质,但黄铜矿型CuInSe-2的衍射峰非常突出,而且所得粉末样品都是富Cu的,说明在固相反应过程中In有损失化学配比固相反应合成的样品在基片温度较低时其真空蒸发薄膜是非晶,高温时则是择优取向非常明显的多晶样品的禁带宽度变化不大(1.47~{1.58}eV)不同配比样品在基片温度300℃时蒸发样品的禁带宽度变化很大(1.58~1.97eV),而且电学数据变化也较大,霍尔迁移率从几十到几百cm 2/V.s,面载流子浓度从10 6到10 9/cm 2     

pH值对溶剂热合成FeS2粉体的影响

采用FeSO₄与NH₂CSNH₂为反应前驱物, 通过溶剂热反应合成了高纯度的FeS₂ (pyrite)粉体. 实验表明,在聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作保护剂的乙醇水溶液中, 200 ℃下反应36 h, 适当调节溶液的pH值, 即可在酸性环境(pH=5)和碱性环境(pH=10)下制得单一相的黄铁矿型FeS₂粉体. 讨论了溶液pH值对溶剂热合成FeS₂粉体物相组成、晶粒度及光学性质的影响.