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采用溶剂热法-旋涂法构建了Sb2O3/BiVO4/WO3半导体异质结,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等手段表征了其物化性质。在1.23 V(vs RHE)电位下,BiVO4/WO3的光电流密度相对于BiVO4提高了2倍。进一步复合Sb2O3之后,虽然Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜的光电流密度有所下降,但其光电催化产H2O2的法拉第效率和产生速率得到明显提升。在1.89V(vs RHE)电位下,3c-Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜产H2O2的法拉第效率提高到约19%;1c-Sb2O 相似文献
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采用溶剂热法-旋涂法构建了Sb2O3/BiVO4/WO3半导体异质结,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等手段表征了其物化性质。在1.23 V(vs RHE)电位下,BiVO4/WO3的光电流密度相对于BiVO4提高了2倍。进一步复合Sb2O3之后,虽然Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜的光电流密度有所下降,但其光电催化产H2O2的法拉第效率和产生速率得到明显提升。在1.89V(vs RHE)电位下,3c-Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜产 H2O2的法拉第效率提高到约 19%;1c-Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜 H2O2产生速率从约2.1 μmol·h-1·cm-2提高到约3.6 μmol·h-1·cm-2。此外,Sb2O3的复合显著提高了BiVO4/WO3电极材料的光电催化稳定性。 相似文献
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