无机固体材料中的忆阻效应

缺陷调控是固体化学中的基本问题,也是决定材料性能的核心要素。基于缺陷调控的忆阻效应将给未来电子信息领域带来全新的变革。本文综述了无机固体材料中忆阻效应的研究进展,主要总结了忆阻效应的产生机制和忆阻材料的类型,结合原子级p-n结的相关工作,提出深入明确电场下缺陷迁移机制将是从无机固体化学角度研究忆阻效应的重要方向。     

Fe掺杂DyInO_3黄色颜料的合成、结构及光谱性质

采用高温固相法合成了一系列黄色颜料Dy In_(1-x)Fe_xO_3(x=0,0.1,0.2,0.3),并利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱和漫反射光谱等对产物结构和性质进行了表征.结果表明,所得产物均为六方相(空间群:P6_3cm).随着Fe元素含量的增加,产物的颜色逐渐由浅黄色变为橘黄色.漫反射光谱结果显示,所得黄色颜料在近红外区具有较高的反射率,表明该系列颜料能有效减少太阳能热.     

MoRe合金超导微波平面腔的制备

超导微波平面腔作为多种量子比特的读出方式及实现多比特长程耦合的媒介，已成为固态量子信息处理领域的研究热点。相比于传统的Al腔，MoRe腔不容易氧化，使得MoRe腔能够更加方便地用于机械振子、石墨烯超导结等实验研究中。同时由于第二类超导体MoRe合金具有临界温度高、临界磁场大等优异性质，这使得MoRe合金超导微波平面腔可以在4.2 K的液氦环境下工作，而且这种腔能够工作在更高磁场的环境下。因此本文设计并且仿真了MoRe合金微波平面腔的结构，探索了MoRe微波平面腔的微纳加工工艺（包括磁控溅射镀膜、光刻及干法刻蚀），解决了制备过程中出现的金属孤岛等工艺问题，成功制备出在20 mK的环境下Q值高达28000的MoRe合金超导微波平面腔。     

土壤中一种新的尿素衍生物的电喷雾萃取电离质谱分析

采用电喷雾萃取电离串联质谱(EESI-MSn)技术直接分析马尾松根际土壤溶液,发现了一种不稳定的尿素衍生物3,3-二氨基-3-羟基丙酸.为确证其结构,以尿素为原料合成了该衍生物,并采用EESI-MSn分析合成产物.结果表明,合成产物与土壤溶液中的3,3-二氨基-3-羟基丙酸的EESI-MSn分析结果相吻合,说明土壤中确实存在该衍生物,其可能是一种尿素在土壤里代谢过程的中间体.本文结果表明,EESI-MS技术可以直接分析复杂基体样品中痕量物质的信号,为研究尿素在土壤中的氮素转化机理提供了新的思路.     

缓蚀剂复合乙醇胺捕集CO_2及缓蚀作用研究

乙醇胺(MEA)是一种常用的CO2吸收剂,具有较强的碱性和对金属的腐蚀性。高纯度的MEA对碳钢的腐蚀性很小,但吸收CO2后腐蚀性增强。通过在MEA捕集CO2溶液中加入钼酸钠(a)、乙酸锌(b)和乙二胺四乙酸四钠(c)三种缓蚀剂,采用失重法研究了不同的缓蚀剂对60#钢的缓蚀性能。结合MEA吸收剂对CO2的吸收速率和吸收量的测试,通过正交试验筛选出适宜的复配缓蚀剂组成。结果表明,当复配缓蚀剂为60mg/L a、5mg/L b和20mg/L c时,吸收液对60#钢的缓蚀率为73.10%。与单一缓蚀剂相比,复配缓蚀剂具有更显著的缓蚀性能。利用XRD测试出腐蚀产物主要是α-FeO(OH),应用SEM观察了60#钢试片的表面形貌,根据测试结果探讨了腐蚀机理。     

脉冲激光沉积制备非晶La0.75Sr0.25MnO3薄膜用于半透明阻变存储器

用脉冲激光沉积方法制备非晶La_0.75Sr_0.25MnO₃（a-LSMO）薄膜作为阻变器件（Ag/a-LSMO/ITO）的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。     

脉冲激光沉积制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3薄膜用于半透明阻变存储器（英文）

用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。     

取代石榴石型铁氧体Nd3-xSrxFe5O12（0.2≤x≤0.8）的水热合成与磁性研究

通过水热合成得到石榴石型铁氧体材料Nd3-xSrxFe5O12(x=0.2,0.4,0.6,0.8),经X射线粉末衍射分析确定样品属于立方晶系,Ia3d空间群,晶格常数a>1.2600 nm.Mssbauer谱数据显示Sr2+离子和Nd3+离子共同占据十二面体C位,晶格中有少量Fe4+离子生成.通过扫描电子显微镜观察到样品晶粒为菱形十二面体.高温M-T曲线和磁滞回线表明,4个样品的居里温度均在570 K左右,不因Sr2+离子含量不同而改变;但是随着Sr2+离子在晶格中含量的增加,样品的饱和磁化强度(Ms)下降,矫顽力(Hc)增大.     

无机固体材料中的忆阻效应

缺陷调控是固体化学中的基本问题,也是决定材料性能的核心要素。基于缺陷调控的忆阻效应将给未来电子信息领域带来全新的变革。本文综述了无机固体材料中忆阻效应的研究进展,主要总结了忆阻效应的产生机制和忆阻材料的类型,结合原子级p-n结的相关工作,提出深入明确电场下缺陷迁移机制将是从无机固体化学角度研究忆阻效应的重要方向。     

籽晶层制备方式对氧化锌纳米棒阵列的影响

采用3种不同的方式制备ZnO薄膜籽晶层:旋涂、喷雾热解和脉冲激光沉积。对于每一种制备方式,其薄膜的晶体结构、形貌、表面粗糙度等性能分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。之后,通过水热合成方法,在3种籽晶层衬底上制备得到具有不同结构和形貌特征的ZnO纳米棒阵列。结果表明,ZnO纳米棒生长和籽晶层制备方式具有极强的相关性。最后,对两者相关性的生长机理进行了解释。