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1.
为克服TiO2纳米管在光电转换时电子-空穴复合率高和吸收光谱范围窄的缺陷,利用多酸H4SiW12O40(SiW12)和CsPbI3量子点对其协同修饰,采用电沉积法将SiW12沉积在TiO2纳米管上,制备了SiW12/TiO2纳米管复合薄膜;使用高温热注射法合成出CsPbI3量子点,再通过化学浴沉积法沉积CsPbI3量子点到复合薄膜上,得到SiW12/CsPbI3/TiO2纳米管复合薄膜,探究SiW12沉积时间、CsPbI3沉积次数对TiO2纳米管光电性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、红外分光光度计(FT-IR)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对薄膜进行表征,使用电化学工作站测试薄膜的光电化学性能。结果表明:TiO2纳米管沉积多酸SiW12和CsPbI3量子点后,光吸收范围扩大、电荷转移电阻降低,光电转换效率得到显著提升,最高达到0.52%。说明SiW12和CsPbI3的协同作用很好地抑制了TiO2纳米管电子-空穴的复合,并拓宽了吸收光谱范围,提高了TiO2纳米管的光电转换效率。  相似文献   
2.
张博  蔺明宇  罗新泽 《化学通报》2022,85(9):1121-1126
复合薄膜可以改善TiO2纳米管在光电转换时电子-空穴易复合和吸收光谱范围窄的缺陷。用电沉积法将多酸H4SiW12O40(SiW12)沉积在TiO2纳米管表面形成SiW12/TiO2纳米管复合薄膜,再用连续离子层吸附反应法(SILAR)将PbS吸附到SiW12 /TiO2纳米管复合薄膜表面,形成PbS/ SiW12/TiO2纳米管复合薄膜,所得薄膜的光电转换效率相较于TiO2纳米管提高了57倍。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,用电沉积法和连续离子层吸附反应法实现了PbS/SiW12/TiO2纳米管复合薄膜的制备;紫外可见(UV-vis)吸收光谱测试表明,复合薄膜的光吸收带边扩展到了可见光区域,电化学阻抗测试(EIS)表明,复合薄膜具有更高的电子转移速率;荧光光谱(PL)测试表明,复合薄膜拥有更小的电子-空穴复合率。以上结果说明,SiW12、PbS与TiO2纳米管复合,很好地抑制了TiO2纳米管电子-空穴的复合,并拓宽了吸收光谱范围,能显著地提高TiO2纳米管的光电性能。本文探索了一种有效提高TiO2纳米管光电转换效率的方法,对TiO2纳米管复合薄膜的制备具有一定的参考意义。  相似文献   
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