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1.
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因. 相似文献
2.
3.
采用低温水热法制备了Ni2+掺杂的ZnO阵列膜,研究了Ni2+掺杂对样品形貌、晶相结构和光谱特性的影响,并对可能的影响机理进行探讨。结果表明:Ni2+浓度增加不会改变ZnO的纤锌矿结构,但在一定程度上可以起到控制其形貌及均匀度的作用。Ni2+掺杂量x≤0.007 mol/L时,有助于ZnO纳米棒沿c轴方向生长,提高结晶度,但ZnO的生长机理保持不变。Ni2+掺杂量较多时(x0.007 mol/L),ZnO纳米棒的生长习性发生变化,其六方结构被破坏,水热膜由垂直于基片表面排列的纳米棒阵列转变为由结构不规则的多边形晶粒组成的密堆积排列。由于Ni2+固溶入ZnO晶格产生晶格畸变,引起薄膜内应力以及载流子浓度的变化,使得ZnO拉曼光谱的特征峰出现明显的降低和移动。光致发光谱表明,Ni2+掺杂使ZnO纳米棒的紫外发光峰强度IUV与绿光发光峰强度IGR之比值IUV/IGR增大。 相似文献
4.
5.
6.
环Z/p~kZ上的两类矩阵方程 总被引:1,自引:0,他引:1
利用环上矩阵方法,研究了环Z/pkZ上的两类矩阵方程,确定了这两类矩阵方程的解数. 相似文献
7.
18-冠-6与Eu(fod)3+在CCl4中的化学平衡及其配合物的结构 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温下测定了CCl_4溶液中,18-冠-6的亚甲基、Eu(fod)的t—丁基质子的PMR化学位移与溶液组成的相互关系。提出了生成配合物RS,R_2S,R_2,R_3(S为18-冠-6,R为Eu(fod)_3)的模式。求得了平衡常数值(升/摩):K_1=[RS]/([R][S])=2.O×10~5,K_2=[R_2S]/([R][RS])=1.0×10~3,Q_1=[R_2]/[R]~2=4.2×10~2,Q_2=[R_3]/([R_2][R])=4.0×10~1。并测得在配合物RS,R_2S中18-冠-6质子的平均化学位移分别为4.90,10.84(ppm,相对于纯18-冠-6); 在配合物R,R_2,R_3,RS,R_2中t-丁基质子平均化学位移分别为1.53,2.33,0.54,1.02,2.42(ppm,相对于TMS)。 根据配合物的化学位移值,并考虑分子及分子轨道的对称性、位阻等因素提出了配合物R_2,RS,R_2S的可能的结构模型。 相似文献
8.
金纳米粒子在氨基表面上的组装-pH值的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
用原子力显微镜(AFM)和表面增强喇曼光谱(SERS)研究了pH值对金纳米粒子在Au/巯基苯胺自组装膜表面上组装效果的影响.AFM结果表明,金纳米粒子在表面上的覆盖度随pH值表现出规律性的变化,巯基苯胺自组装膜的SERS强度随pH值的变化也有类似的趋势.在磁性环境下,氨基未质子化,金粒子难以组装上,而在酸性条件下,氨基质子化带正电,金粒子与基底容易结合.我们认为金纳米粒子和氨基之间的作用属于静电力,pH值同时影响膜表面氨基的质子化程度和金纳米粒子表面的带电量. 相似文献
9.
10.
Lagrange方法中,当流场发生大变形时,跟踪流体运动的Lagrange网格发生扭曲,使计算无法进行下去,此时必须重分网格,把网格修复成较好的形状。另外,网格自适应技术中的重构、合并与加密,以及同一问题不同程序相继计算的连接,并行计算中相邻块边界区域的数据传递等,这些情况都需要利用旧网格上的物理量来确定新网格上的物理量,是一个物理量重映过程。质点重映方法是基于物理上守恒规律的一种离散的物理量守恒映射方法,既可实现分片常数分布的一阶精度重映计算,又可实现分片线性分布的二阶精度重映计算。这种方法可严格保证守恒量的守恒性,且可以实现任意多边形网格以及节点上物理量的守恒重映。但是,基于分片线性分布的二阶精度重映方法,如果新网格的守恒量没有进行保界调整,那么相应的强度量有可能在其局部的限制范围之外,破坏了原网格物理量的单调性。因而,对二阶精度的质点重映方法进行了进一步研究。在分片线性分布的基础上,将基于结构网格的保界算法扩展到非结构网格上,给出了二阶保界的质点守恒重映方法。 相似文献