PW11M(M=Cu、Co)@TiO2多相催化剂的制备及氧化脱硫性能

摘要：以过渡金属(Cu, Co)取代磷钨酸为模板剂，硫酸钛为钛源，通过一步模板法合成出一类多酸基PW11M(M=Cu、Co)@TiO2材料，采用FT-IR、XRD、XPS、Raman、SEM和TEM表征手段对材料进行了结构表征. 结果表明，PW11M(M=Cu、Co)被引入到TiO2中，形成了球形核壳结构. N2吸附-脱附测试表明，PW11Co@TiO2具有介孔结构:孔径大小为3.3 nm，比表面积为72.4 m2/g. 在以H2O2为氧化剂，乙腈为溶剂的氧化脱硫反应体系中考察了其催化活性，结果表明：复合材料PW11M(M=Cu、Co)@TiO2表现出良好的催化性能. 其中催化剂PW11Co@TiO2在投入量为40 mg，反应底物为500 ppm，反应温度60 oC，反应40 min后，DBT的脱硫率达到99.7%. 中断和循环实验表明，催化剂PW11Co@TiO2具有良好的稳定性，在相同的反应条件下，循环反应5次后，催化剂的催化活性没有明显下降.     

新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点.本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向.     

大学与中学物理实验教学衔接问题研究

分析了中学物理实验教学现状，指出大学物理实验教学与中学物理实验教学衔接存在的问题，根据现代教育理论，提出了解决该问题的具体办法．     

碳纳米管/杂多酸/聚吡咯复合催化剂的制备及催化烯烃环氧化性能

以磷钼酸(PMo)、吡咯(Py)和碳纳米管(CNTs)为原料,通过原位聚合方法制备了PPy-PMo@CNTs复合材料.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对材料进行了结构表征.结果表明,磷钼酸和聚吡咯被引入到碳纳米管载体上,且聚吡咯在碳纳米管表面形成了一层薄层.N2吸附-脱附测试结果表明,PPy-PMo@CNTs为介孔材料.将以乙腈为溶剂,过氧化氢为氧化剂的烯烃环氧化反应作为模型反应,考察了催化剂PPy-PMo@CNTs的催化活性.结果表明,在60℃,反应底物为1 mmol,催化剂投量为10 mg的条件下,该催化剂表现出较好的催化活性.中断和循环实验结果表明,催化剂具有较好的稳定性,在相同的反应条件下经过5次循环后,环辛烯的转化率依然保持在约65%.     

轴弯曲与不平衡柔性转子共振稳态响应随机分析

系统参数随机性是影响准确预测转子动力学行为的重要因素。为此,研究了具有初始轴弯曲的不平衡柔性转子在故障参数随机情况下的不确定性分析问题。首先,基于转子动力学梁元有限元理论,推导了不平衡和轴弯曲故障共同作用下的系统稳态动力学方程,并以轴心轨迹长半轴作为关键响应量建立了柔性转子共振稳态响应与输入参数间的模型函数;其次,联合广义多项式混沌展开、留一法交叉验证以及最小角回归技术实现了柔性转子共振稳态响应的非嵌入式自适应稀疏多项式混沌展开,并与基于普通最小二乘法的多项式混沌展开和基于Monte Carlo仿真的结果作了对比分析,验证了自适应稀疏展开方案的有效性、精度和效率;最后,以构建的自适应稀疏多项式混沌展开式作为近似模型,重点分析了转子圆盘处一阶共振稳态响应的随机特性,并基于Sobol指标获得了响应对各故障参数的全局灵敏度指标。     

PW_(11)M(M=Cu、 Co)@TiO_2多相催化剂的制备及氧化脱硫性能

以过渡金属(Cu, Co)取代磷钨酸为模板剂,硫酸钛为钛源,通过一步模板法合成出一类多酸基PW_(11)M(M=Cu、 Co)@TiO_2材料,采用FT-IR、 XRD、 XPS、 Raman、 SEM和TEM表征手段对材料进行了结构表征.结果表明, PW_(11)M(M=Cu、 Co)被引入到TiO_2中,形成了球形核壳结构. N_2吸附-脱附测试表明, PW_(11)Co@TiO_2具有介孔结构:孔径大小为3.3 nm,比表面积为72.4 m~2/g.在以H_2O_2为氧化剂,乙腈为溶剂的氧化脱硫反应体系中考察了其催化活性,结果表明:复合材料PW_(11)M(M=Cu、 Co)@TiO_2表现出良好的催化性能.其中催化剂PW_(11)Co@TiO_2在投入量为40 mg,反应底物为500 ppm,反应温度60℃,反应40 min后, DBT的脱硫率达到99.7%.中断和循环实验表明,催化剂PW_(11)Co@TiO_2具有良好的稳定性,在相同的反应条件下,循环反应5次后,催化剂的催化活性没有明显下降.     

Gd3(Al,Ga)5O12:Ce闪烁晶体缺陷对其发光性能的影响

新型闪烁晶体Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce(GAGG:Ce)在制备过程中易出现包裹体及反格位缺陷等问题,严重影响晶体的性能.为了抑制这些缺陷以得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,本文以Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂为基质、Ce3+为掺杂离子,采用提拉法生长得到了GAGG:Ce晶体,并对不同晶体部位的物相结构、微区成分、透光性质、发光及时间性能进行了测试和对比分析.结果表明,GAGG:Ce晶体的透过谱中存在340和440 nm两处Ce³⁺特征吸收带,且位于550 nm处的直线透过率为82%.晶体尾部因杂相包裹体等宏观缺陷的影响,导致其透过率下降至70%左右.微区成分分析进一步表明GAGG:Ce晶体中存在三种类型的包裹体,分别为富Gd相、富Ce相及(Al,Ga)₂O₃相.GAGG:Ce晶体的X射线激发发射谱中在550 nm附近存在Ce³⁺宽发射带,且380 nm处还存在GdAl/Ga反格位缺陷引起的发射.晶体中存在的杂相包裹体及GdAl/Ga反格位缺陷等因素导致Ce³⁺在GAGG基质的发光强度下降12.5%;GdAl/Ga反格位离子与近邻Ce的隧穿效应使得GAGG:Ce晶体的衰减时间由117.7 ns延长至121.9 ns,且慢分量比例由16%增加至17.2%.