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采用水热法制备出了均匀有序的球形YVO4∶Eu3+发光材料,并用该法在其表面包覆一层基质材料GdVO4。XRD分析表明包覆前后的样品均为四方晶系锆英石结构的YVO4,且晶体发育良好。FTIR谱图观测到了V-O、Y-O伸缩振动吸收峰。SEM照片表明包覆前后样品均为均匀分散的纳米片组装的有序球形结构。XPS分析进一步证明形成了核壳结构的YVO4∶Eu3+@GdVO4发光材料。荧光光谱表明,YVO4∶Eu3+表面包覆GdVO4之后,发射光强度比未包覆的YVO4:Eu3+有所增强。 相似文献
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采用均相沉淀法制备了均匀球形的Gd2O3:Eu3+@Y2O3核壳结构纳米发光材料.XRD结果表明经过800℃焙烧后样品为立方晶系的Gd2O3,并且晶体发育良好,包覆Y2O3之后Gd2O3的衍射峰位置无明显变化,但随着包覆厚度的增加,出现了立方晶系Y2O3的衍射峰.FTIR谱图观测到了Gd-O,Y-O伸缩振动吸收峰,随着包覆厚度的减少吸收峰增强,认为当包覆层的厚度适当时,颗粒表面的悬空键(断键)变少,Gd(Eu,Y)-O键增多所致.SEM表明包覆前后样品为均匀分散的球形结构.XPS分析进一步证明了表面包覆上了Y2O3.荧光光谱表明:纳米Gd2O3:Eu3+表面包覆不同厚度的基质Y2O3后,均观测到Eu3+离子的特征红光发射,当包覆厚度R=4:1时的发光强度比未包覆的Gd2O3:Eu3+增强,认为核-壳型样品降低了纳米Gd2O3:Eu3+的表面效应给发光强度带来的负面影响. 相似文献
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