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采用3种不同pH值的去离子水,NH_4NO_3和H_2C_2O_4溶液对富锂层状正极材料Li[Li_(0.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)]O_2进行表面化学侵蚀改性,旨在改善其整体电化学性能。ICP结果表明pH值对材料中Li的析出具有显著影响。X射线衍射(XRD)表明表面化学侵蚀对材料的结构有影响。拉曼光谱(Raman spectroscopy)表明材料表面结构发生了变化。H_2C_2O_4溶液侵蚀过的样品的首次效率有了极大提高,但同时中值电压和循环性能显著恶化。NH4NO3溶液侵蚀过的样品的首次效率从63%提高到了85%,1C倍率下的放电比容量从149 mAh·g~(-1)提高到194 mAh·g~(-1),同时保持了温和的中值电压变化曲线。通过高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和电化学阻抗谱(EIS)对改性机理进行了研究。 相似文献
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采用3种不同pH值的去离子水,NH4NO3和H2C2O4溶液对富锂层状正极材料Li[Li0.2Mn0.54Ni0.13Co0.13]O2进行表面化学侵蚀改性,旨在改善其整体电化学性能。ICP结果表明pH值对材料中Li的析出具有显著影响。X射线衍射(XRD)表明表面化学侵蚀对材料的结构有影响。拉曼光谱(Raman spectroscopy)表明材料表面结构发生了变化。H2C2O4溶液侵蚀过的样品的首次效率有了极大提高,但同时中值电压和循环性能显著恶化。NH4NO3溶液侵蚀过的样品的首次效率从63%提高到了85%,1C倍率下的放电比容量从149 mAh·g-1提高到194 mAh·g-1,同时保持了温和的中值电压变化曲线。通过高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和电化学阻抗谱(EIS)对改性机理进行了研究。 相似文献
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针对一种折反式光学系统相机遇到的消杂光问题,根据杂光计算结果对相机进行了消杂光设计,通过试验对杂光计算结果进行了验证,试验结果与计算结果吻合,验证了消杂光设计的正确性。进行消杂光设计后,相机的杂光系数满足设计指标要求,有效地减小了杂光对图像质量的影响。 相似文献
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引入了随机环境中双移民生灭过程的概念,定义了过程的模态指示函数,在此基础上研究了其转移矩阵的平稳分布,给出了平稳分布众数的位置与模态指示函数之间的关系.研究了平稳分布的众数与边界关系. 相似文献
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采用3种不同pH值的去离子水,NH4NO3和H2C2O4溶液对富锂层状正极材料Li[Li0.2Mn0.54Ni0.13Co0.13]O2进行表面化学侵蚀改性,旨在改善其整体电化学性能。ICP结果表明pH值对材料中Li的析出具有显著影响。X射线衍射(XRD)表明表面化学侵蚀对材料的结构有影响。拉曼光谱(Raman spectroscopy)表明材料表面结构发生了变化。H2C2O4溶液侵蚀过的样品的首次效率有了极大提高,但同时中值电压和循环性能显著恶化。NH4NO3溶液侵蚀过的样品的首次效率从63%提高到了85%,1C倍率下的放电比容量从149 mAh·g-1提高到194 mAh·g-1,同时保持了温和的中值电压变化曲线。通过高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和电化学阻抗谱(EIS)对改性机理进行了研究。 相似文献
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讨论了-般环境中二重随机游动的强泛函大数定律,给出了当过程几乎处处趋向于正无穷时的泛函大数定律成立的几个充分条件. 相似文献
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