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1.
富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
林娟  杨培志  化麒麟 《发光学报》2012,33(6):596-600
采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6 nm。  相似文献   
2.
介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装焊混成技术、热隔离技术和读出集成电路技术等。指出了混成式热释电焦平面探测器的发展趋势。  相似文献   
3.
ITO靶材黑化物的X射线光电子能谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用X射线光电子能谱(XPS)分析了ITO靶材黑化物的化学组成,结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成,相对原子百分含量In为34.35%,Sn为2.74%,O为52.65%,C为10.26%;In、Sn处于亚氧化状态;C有部分氧化。与原始靶材相比,黑化物的元素组成和化学状态发生了明显的变化。择优溅射最可能引起成分比例失常,真空残余的合C气体和泵油蒸汽被认为是污染C的直接来源。  相似文献   
4.
掺Yb3+激光晶体的研究进展   总被引:20,自引:5,他引:15  
本文简要介绍了掺Yb^3+激光晶体的发展历史:从Yb^3+离子的能级结构出发,阐述了掺Yb^3+激光材料的特点,了向种掺Yb^3+激光晶体的光谱特性,简述了近年来掺Yb^3+激光晶体激光性能的研究进展;对掺Yb^3+激光晶体未来的发展做了展望。  相似文献   
5.
Yb:YAG晶体中的荧光浓度猝灭现象   总被引:4,自引:0,他引:4  
杨培志  邓佩珍 《发光学报》1999,20(4):325-329
在Yb:YAG晶体中发现浓度猝灭现象,对猝灭机制进行了分析研究,指出退火前晶体的荧光浓度猝灭现象主要由Yb^2+、色心和由此产生的晶格畸变所致高掺杂浓度时痕量稀土杂质离子的存在也将导致浓度猝灭,确定了Yb:YAG晶体中Yb^3+的理想掺杂浓度。  相似文献   
6.
高温超导线(带)材的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
综述了高温超导线(带)材的最新研究进展。主要介绍了第一代铋系高温超导线材,第二代钇系高温超导涂层带材以及新型MgB2超导线材的研究现状,并探讨了其发展方向和研究重点。  相似文献   
7.
8.
采用双极脉冲磁控溅射系统,在不同氧气含量的氩氧混合气体中制备了单层镍-铬金属-电介质复合光谱选择性吸收薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、激光共焦显微拉曼光谱仪、椭偏仪和紫外-可见-近红外分光光度计分别对薄膜的物相结构和光学特性进行了表征。结果表明:实验获得了由金属镍和镍、铬的氧化物(NiO、Cr2O3)组成的复合膜,薄膜对300~1 200 nm波段的太阳光有较强的吸收,而对波长大于1 200 nm的太阳光则吸收较弱,具有良好的光谱选择性,可用作高效太阳光谱选择性吸收涂层。  相似文献   
9.
三层结构的Aurivillius相的Bi_(4-x)Eu_xTi_(3-y)M_yO_(12)(x=0~0.6;M=Fe/Co/Ni,y=0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)纳米颗粒,是通过共沉淀法和后续的高温煅烧处理所制备的。利用XRD,SEM,PL,Raman,PPMS等方法对样品进行表征,研究了不同掺杂浓度下的产物的物相、形貌和性能等。实验结果表明,通过掺杂,发现纳米颗粒的粒径变小,形貌更均一,分散性也更好。通过对掺杂离子浓度的优化,发现Eu~(3+)离子的掺杂浓度为x=0.4时,发光强度是最强的。此外,对Ti位进行了磁性离子(Fe~(3+),Co~(3+)和Ni~(2+))的掺杂,实验结果发现随着掺杂的磁性离子浓度的减少,发光强度是逐渐增强,而且产物具有很好的铁磁性。  相似文献   
10.
本文采用磁控溅射法, 衬底温度500 ℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge 薄膜和a-Si薄膜, 并进行后续退火, 采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征. 结果表明, Ge有诱导非晶硅晶化的作用, 并得出以下重要结论: 衬底温度为500 ℃时生长的a-Si/Ge薄膜, 经600 ℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%, 在相同的退火时间下退火温度提高到700 ℃, 晶化率达54%. 相同条件下, 无Ge填埋层的a-Si薄膜经800 ℃退火5 h薄膜实现晶化, 晶化率为46%. 通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200 ℃. Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向, 且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm. 通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.  相似文献   
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