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1.
李聪  胡斌  胡宗军  牛忠荣 《力学学报》2021,53(4):1038-1048
研制了一种适用于二维正交各向异性位势问题的高阶单元(线性单元和二次单元)快速多极边界元法. 在快速多极边界元法中, 源点对于远场区域的积分采用快速多极展开式计算, 而对于近场区域的积分则直接进行计算. 高阶单元的使用使得近场积分, 尤其是奇异积分和几乎奇异积分的计算更加复杂. 通过引入复数表达对其进行简化, 若边界采用线性单元插值, 近场积分可直接解析计算; 若采用二次单元插值, 则给出一个半解析算法计算近场积分. 高阶单元奇异积分和几乎奇异积分计算难题的解决, 使得高阶单元快速多极边界元法不仅能够计算一般结构, 也能被应用于超薄体结构, 拓宽了高阶单元快速多极边界元法的适用范围. 数值算例表明, 若计算精度一定, 高阶单元快速多极边界元法较常值单元快速多极边界元法使用的单元数量显著减少, 且高阶单元快速多极边界元法计算时间与自由度数量成线性关系, 其计算效率仍处于$O(N)$量级, 因此高阶单元快速多极边界元法可更加高效求解大规模问题.   相似文献   
2.
利用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,通过第一性原理对La掺杂与Zn空位(V_(Zn))及La掺杂与S空位(V_S)共存的ZnS体系的电子结构、磁性机理、形成能及吸收光谱进行了研究.结果表明, La掺杂与空位(V_(Zn)或V_S)的空间位置最近时,掺杂体系的形成能最低,体系最稳定.另外,La掺杂与Zn空位共存时,体系具有磁性,且体系的净磁矩与La原子与Zn空位的相对位置有关;La掺杂与S空位共存时,掺杂体系无磁性,但此时体系的禁带宽度最窄且吸收光谱红移最显著.  相似文献   
3.
By partially doping Pb to effectively suppress the superstructure in single-layered cuprate Bi_2Sr_2CuO_(6+δ)(Pb-Bi2201) and annealing them in vacuum or in high pressure oxygen atmosphere, a series of high quality Pb-Bi2201 single crystals are obtained with T_c covering from 17 K to non-superconducting in the overdoped region. High resolution angle resolved photoemission spectroscopy measurements are carried out on these samples to investigate the evolution of the Fermi surface topology with doping in the normal state. Clear and complete Fermi surfaces are observed and quantitatively analyzed in all of these overdoped Pb-Bi2201 samples. A Lifshitz transition from holelike Fermi surface to electron-like Fermi surface with increasing doping is observed at a doping level of ~0.35. This transition coincides with the change that the sample undergoes superconducting-to-non-superconducting states.Our results reveal the emergence of an electron-like Fermi surface and the existence of a Lifshitz transition in heavily overdoped Bi2201 samples. This provides important information in understanding the connection between the disappearance of superconductivity and the Lifshitz transition in the overdoped region.  相似文献   
4.
Two new coordination complexes[Mn(L)2(DNSA)](1) and[Co(L)(1,4-bdc)]_n (2) have been achieved under hydrothermal conditions (H2DNSA=3,5-dinitro-salicylic acid,1,4-bdc=1,4-benzenedicarboxylic acid and L=2-(2-fluoro-6-fluorophenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline).1 crystallizes in monoclinic,space group P2_1/c with a=15.871(3),b=17.274(4),c=16.078(3)A,β=113.03(3)o,V=4056.6(16)A3,Z=4,C45H22Cl2F2Mn N10O7,Mr=978.57,Dc=1.602 g/cm3,F(000)=1980,μ(Mo Ka)=0.536 mm–1,R=0.0437 and w R=0.1065.2 belongs to the monoclinic system,space group C2/c with a=14.665(2),b=30.856(4),c=11.237(2)A,β=111.166(2)o,V=4742.0(12)A3,Z=8,C27H14Cl Co FN4O4,M_r=517.80,Dc=1.602 g/cm3,F(000)=2312,μ(Mo Ka)=0.889 mm–1,R=0.0364 and w R=0.0862.The central Mn(II) ion in 1 is six-coordinated by four nitrogen atoms from two L ligands and two oxygen atoms from one DNSA anion.In 2,the two kinds of 1,4-bdc ligands link neighboring Co(II) atoms to yield a two-dimensional layer structure.The luminescence of 1 has been studied in detail.Moreover,thermal behaviors of 1 and 2 are also investigated.  相似文献   
5.
李聪  徐昭  陈洁  倪洋  周昕 《应用光学》2021,42(2):262-267
针对在成像物体没有超出散射介质记忆效应范围的情况下,提出一种结合数字离轴全息术减少散射介质成像中散斑自相关噪声的方法。当成像目标经过散射介质时,使用自相关技术结合相位恢复算法能够从散斑中重建成像目标。但在实际成像的过程中,为了有效抑制环境噪声和热噪声等对重建效果的影响,设计利用离轴全息中的相移法消除噪声项中静态噪声项的干扰,再利用散斑自相关与相位恢复算法重建去噪后效果更好的成像目标。采用结构相似度对重建效果进行定量评估,仿真结果表明对于给出的成像目标,去噪前后的结构相似度从0.8796提高到0.9875,验证了该方法的有效性。说明所提出的方法能够改善散斑自相关法重建效果。  相似文献   
6.
通过极差分析研究了不同浓度的硝酸镧和生长素组合对长柄扁桃试管苗生根的影响。结果表明:对长柄扁桃生根影响的主次因素为硝酸镧(La(NO3)3)>吲哚丁酸(IBA)>吲哚乙酸(IAA),最优组合为La(NO3)320 mg·L-1+IBA 0.2 mg·L-1+IAA 0.2 mg·L-1。在此条件下培养42 d后,长柄扁桃试管苗根的诱导频率达到89%,平均根长达到9.2 cm,每株根的平均个数为9.7个。对长柄扁桃的根组织活力进行测定,结果表明添加镧的处理组根系还原力是对照(不加镧)组的1.57倍。经过移栽驯化2个月后,长柄扁桃组培苗的移栽成活率达到94%,株高是对照的1.53倍。  相似文献   
7.
基于第一性原理计算,建立了含有不同Ce与O空位配比的锐钛矿TiO2模型.对各个体系的稳定性、磁性、电子结构及吸收光谱进行了计算.结果表明:Ce与近邻O空位间的自旋电子交换是锐钛矿TiO2净磁矩的来源,因此体系的磁性与Ce和O空位的相对位置有关.Ce或O空位浓度增加在费米能级附近形成的施主能级使得带隙宽度进一步减小,因此体系对可见光的吸收系数进一步增加.与局域性更强的Ce-4f电子相比,Ti-3d电子更易受激参与光催化反应,因此Ce掺杂引起的O空位及其浓度是影响锐钛矿TiO2光催化性能的主要因素.  相似文献   
8.
用半经验量子化学AM1方法对天然苝醌化合物痂囊腔菌素A(EA)的分子构型和分子内氢键进行了研究;从EA可能的64种构型中选择16种进行了计算.结果表明,EA的X射线晶体结构对应的构型是II型左旋(A)a,a型(II-L-A-a,a);小的生成热差值可以使得异构体间的转换容易进行,有利于发生分子内质子传递.尽管采用AM1方法计算得到的EA各种构象的平面性有所差别,但都很接近晶体的平面性.此外,EA分子内氢键键能的平均值为22.9kJ/mol;II型的氢键键能比I型的大,(9,10)位的氢键键能比(3,4)位的大;EA的平面性是由苝醌环上的侧链取代所决定,而与分子内是否存在氢键无关.  相似文献   
9.
李聪  侯清玉  张振铎  张冰 《物理学报》2012,61(7):77102-077102
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了不同Eu掺杂量的锐钛矿相TiO2超胞模型,计算了其态密度、差分电荷密度、能带结构和吸收光谱.结果发现:掺杂后Eu在TiO2的禁带中产生杂质能级.通过对比两种不同Eu掺杂量(1.39at%和2.08at%)下的锐钛矿TiO2的能带结构,发现掺杂量越高,杂质能级越向深能级方向移动,说明电子复合率随杂质浓度增加而增加,即电子寿命变小,同时吸收光谱红移越显著,强度越强.根据实际需要,可在锐钛矿TiO2中适量掺杂Eu,在适当减少电子寿命情况下,使吸收光谱红移.  相似文献   
10.
A two-dimensional analytical subthreshold behavior model for junctionless dual-material cylindrical surrounding- gate (JLDMCSG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is proposed. It is derived by solving the two-dimensional Poisson's equation in two continuous cylindrical regions with any simplifying assumption. Using this analytical model, the subthreshold characteristics of JLDMCSG MOSFETs are investigated in terms of channel electro- static potential, horizontal electric field, and subthreshold current. Compared to junctionless single-material cylindrical surrounding-gate MOSFETs, JLDMCSG MOSFETs can effectively suppress short-channel effects and simultaneously im- prove carrier transport efficiency. It is found that the subthreshold current of JLDMCSG MOSFETs can be significantly reduced by adopting both a thin oxide and thin silicon channel. The accuracy of the analytical model is verified by its good agreement with the three-dimensional numerical simulator ISE TCAD.  相似文献   
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