微波耦合四能级原子系统二维电磁感应光栅

提出一种利用微波场在四能级原子系统中实现二维电磁感应光栅的理论研究方案,此原子系统中两个偶极禁戒的亚稳态之间采用微波场来耦合。分析了微波场存在与否对弱探测场夫琅禾费衍射图样的影响。讨论了有微波场存在时,探测场失谐量、控制场强度、相互作用长度等对二维电磁感应光栅衍射效率的影响。结果表明,通过合适地调节系统参数,在所研究的系统中可以实现高衍射效率的二维电磁感应光栅。该方案可应用于全光分束和光开关,对光信息处理及光网络通信研究有一定帮助。     

基于COLLATE融合多图谱的心脏电影MRI右心室分割

右心室分割对肺动脉高压等疾病的心功能分析具有重要的临床意义.然而，右心室心肌薄、易变且不规则，其传统的医学图像分割方法仍然未能取得突破性进展.本文提出基于COLLATE（Consensus Level，Labeler Accuracy and Truth Estimation）的多图谱分割方法，首先以归一化互信息为相似测度对目标图像和图谱集进行B样条配准以获取粗分割结果；然后利用COLLATE对粗分割结果进行融合；最后采用基于形状约束的区域生长算法修正出现错误的数据.10例临床心脏磁共振短轴电影图像被用于算法验证.本文还将使用基于COLLATE的多图谱分割方法得到的结果与深度学习算法及手动分割进行了比较.结果显示与深度学习算法比较，使用本文算法得到的射血分数（Ejection Fraction，EF）与手动分割更加一致和相关，表明该算法的分割结果有望辅助临床心脏功能诊断.     

飞秒激光冲击AZ31B镁合金过程的数值模拟

采用有限元分析法对飞秒激光冲击AZ31B镁合金进行数值模拟,研究了激光冲击处理对镁合金变形过程的影响,分析了单脉冲激光冲击下材料内部的位移、动能、应力和应变的分布情况,得到了材料的瞬态速度和应变率变化过程.仿真结果表明,单脉冲飞秒激光冲击镁合金产生的塑性变形,可在材料表面形成微米级凹坑,中心点处最大位移为34μm,最大变形速度390m/s;在冲击初期,材料表面的应力和应变主要分布在冲击区域中心节点和边缘附近,并且得到镁合金的最大应力和最大应变率分别为955 MPa和1.8×106 s-1.研究结果能够为深入分析飞秒激光与镁合金作用时材料变形参量的变化规律提供数值理论依据.     

一个超混沌六阶蔡氏电路及其硬件实现

文章构建了一个新的超混沌六阶蔡氏电路，计算了该系统的Lyapunov指数和维数，给出了系统的数值仿真相图.同时，设计了相应的电子电路并进行了硬件实现，实验结果与仿真结果完全吻合，由此证实了该系统不仅存在而且可物理实现. 关键词： 六阶蔡氏电路 超混沌 硬件实验 混沌发生器     

船尾伴流场-导管-螺旋桨互作用噪声预报研究

研究了导管螺旋桨低频离散谱噪声辐射机理和预报方法.依据线性声学原理,导管螺旋桨噪声场为螺旋桨直接辐射噪声与导管散射噪声之和,并利用速度势面元法分析流场,得到导管螺旋桨非定常力,将其作为FW-H方程的源项,求解得到螺旋桨直接辐射声.导管散射声通过Kirchoff积分方程求解获得.由于导管桨的导管是短导管,其算例分析计算表明,低频情况下导管散射声级远小于螺旋桨直接辐射声级.并将导管螺旋桨离散谱噪声级与测量所得的实桨离散谱噪声级进行了比较,证实导管螺旋桨离散谱噪声理论预报结果能够较合理的反映实桨离散谱噪声的量值.     

不同粒径球阻抗理论计算方法及其实验验证

建立不同粒径球阻抗理论计算方法,提出球阻抗理论计算公式为6ρ/pd(ρ和d分别为球材料电阻率和球粒径),球阻抗理论计算数值与球粒径呈反比。通过实验测量3种不同粒径钢球阻抗数值,实验结果与理论计算相近。为计算不同粒径阻抗编码微球的理论阻抗数值提供数学公式。     

Influence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Based on our previous work,the influence of annealing conditions on impurity species in in-situ arsenic (As)-doped Hg 1 x Cd x Te (x ≈ 0.3) grown by molecular beam epitaxy has been systematically investigated by modulated photoluminescence spectra.The results show that (i) the doped-As acting as undesirable shallow/deep levels in as-grown can be optimized under proper annealing conditions and the physical mechanism of the disadvantage of high activation temperature,commonly assumed to be more favourable for As activation,has been discussed as compared with the reports in the As-implanted HgCdTe epilayers (x ≈ 0.39),(ii) the density of V Hg has an evident effect on the determination of bandgap (or composition) of epilayers and the excessive introduction of V Hg will lead to a short-wavelength shift of epilayers,and (iii) the V Hg prefers forming the V Hg-As Hg complex when the inactivated-As (As Hg or related) coexists in a certain density,which makes it difficult to annihilate V Hg in As-doped epilayers.As a result,the bandedge electronic structures of epilayers under different conditions have been drawn as a brief guideline for preparing extrinsic p-type epilayers or related devices.     

纺锤形BiVO_4微米管:低温离子熔盐合成及光催化性能

以Bi(NO_3)_3·5H_2O和NH_4VO_3为原料,以氯化胆碱和尿素组成的低温离子熔盐为反应介质,采用离子热合成法成功制备出了具有纺锤状外形的BiVO_4微米管。利用XRD,SEM,UV-Vis DRS,光催化测试等手段考察了BiVO_4颗粒的物相、形貌和光催化性能。结果表明,在离子熔盐环境下可以制备出结晶良好的BiVO_4纺锤形微米管,该BiVO_4微米管长10～15μm,直径为1.5μm左右,管壁厚约为200 nm。同时,研究了pH值对BiVO_4颗粒物相与形貌的影响,发现随着pH值的变化可分别合成出具有柱状、纺锤形微米管、柱状微米管和针柱状单斜相BiVO_4颗粒。光催化测试结果表明,这些单斜白钨矿BiVO_4颗粒在可见光范围都具有一定的光催化活性,其中纺锤状微米管对罗丹明B的降解效果最佳,可见光照射4.5h后罗丹明B的降解率可达到93%。     

一维化合物[Gd2(PDC)3(phen)(H2O)·H2O]n的合成、晶体结构及热性质

A one-dimensional complex, [Gd2(PDC)3(phen)(H2O) ? H2O]n (H2PDC=pyridine-3,4-dicarboxylic acid, phen =l,10-phenanthroline), has been synthesized under hydrothermal conditions and characterized by elemental analysis, IR, TG analysis, and X-ray single-crystal structure analysis. Crystallographic data for the title complex:C33H21Gd2N5O14, Mr=l 026.05, Triclinic, space group P1, a=0.751 07(15) nm,b=1.256 5(3) nm, c=1.825 7(4) nm, α=70.80(3)°,β=79.00(3)°, γ=76.05(3)°, V=1.567 4(5) nm3, the final refinement gave R =0.022 4 and wR =0.047 5 for The current version does not support copying Cyrillic text to the Clipboard.The current version does not support copying Cyrillic text to the Clipboard.extended to a 3D supramolecular network through H-bonds interaction. CCDC: 671430.