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使用廉价的硅铝合金前驱体,通过简单的化学沉积方法制备了新型双金属(Sn/Ni)掺杂多孔硅微球(pSi@SnNi)。pSi@SnNi复合材料的三维多孔结构可以缓冲硅在锂化过程中的巨大体积膨胀,增加储锂活性位点。双金属(Sn/Ni)的掺杂可以提高硅的电子导电性,改进pSi的结构稳定性。由于其独特的组成和微观结构,具有适当Sn/Ni含量的pSi@SnNi复合材料显示了较大的可逆储锂容量(0.1 A·g-1下为2 651.7 mAh·g-1)、较高的电化学循环稳定性(1 A·g-1下400次循环后为1 139 mAh·g-1)和优异的倍率性能(2.5 A·g-1下为1 235.8 mAh·g-1)。 相似文献
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使用廉价的硅铝合金前驱体,通过简单的化学沉积方法制备了新型双金属(Sn/Ni)掺杂多孔硅微球(pSi@SnNi)。pSi@SnNi复合材料的三维多孔结构可以缓冲硅在锂化过程中的巨大体积膨胀,增加储锂活性位点。双金属(Sn/Ni)的掺杂可以提高硅的电子导电性,改进pSi的结构稳定性。由于其独特的组成和微观结构,具有适当Sn/Ni含量的pSi@SnNi复合材料显示了较大的可逆储锂容量(0.1 A·g-1下为2 651.7 mAh·g-1)、较高的电化学循环稳定性(1 A·g-1下400次循环后为1 139 mAh·g-1)和优异的倍率性能(2.5 A·g-1下为1 235.8 mAh·g-1)。 相似文献
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