PEG接枝氧化石墨烯的制备与细胞成像

通过酯化反应将不同分子量的聚乙二醇（PEG）接枝到氧化石墨烯（GO）表面,得到系列GO-PEG。利用傅里叶变换红外光谱（FTIR）、拉曼光谱（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）对GO-PEG的结构和形貌进行了表征,用热重分析（TGA）测定了GO-PEG中PEG的接枝量。SEM结果表明GO-PEG的剥离程度高于GO。GO-PEG在磷酸盐缓冲溶液中具有良好的分散稳定性,稳定性与接枝量呈正相关。GO-PEG通过非共价键合作用对荧光素（Flu）的负载量可达1.75mg·mg^-1,且负载量受接枝量影响;另外,GO-PEG对Flu的释放行为具有pH值触发药物释放性能。将接枝PEG的端羟基与Flu共价键合,所得GO-PEG₆₀₀₀-Flu荧光探针实现了对HepG₂细胞的成像。     

PEG接枝氧化石墨烯的制备与细胞成像

通过酯化反应将不同分子量的聚乙二醇(PEG)接枝到氧化石墨烯(GO)表面,得到系列GO-PEG。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)对GO-PEG的结构和形貌进行了表征,用热重分析(TGA)测定了GO-PEG中PEG的接枝量。SEM结果表明GO-PEG的剥离程度高于GO。GO-PEG在磷酸盐缓冲溶液中具有良好的分散稳定性,稳定性与接枝量呈正相关。GO-PEG通过非共价键合作用对荧光素(Flu)的负载量可达1.75 mg·mg-1,且负载量受接枝量影响;另外,GO-PEG对Flu的释放行为具有pH值触发药物释放性能。将接枝PEG的端羟基与Flu共价键合,所得GO-PEG6000-Flu荧光探针实现了对HepG2细胞的成像。     

纳米FinFET器件的单粒子效应研究(英文)

Fin FET器件比主流CMOS技术表现出更多优势,如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性,基于ISE TCAD,考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响,建立了一种纳米Fin FET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响,并探讨了其影响机制。基于此分析,找到了一些潜在的工艺加固技术,如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。     

旋转光滑U形通道内换热的三维模拟

数值模拟了旋转状态下涡轮叶片U形内冷通道湍流流场和温度场,分析了其换热的变化规律。结果表明,旋转状态下哥氏力、离心力和浮升力的共同作用使得流场相对于静态发生了较大的变化。总体上讲,旋转强化了换热。但是旋转使得换热能力在各个面分布不均,增加了温度梯度。     

进口雷诺数影响RP-3结焦特性实验研究

实验研究了RP-3沿流向结焦分布规律以及进口质量流量对其产生的影响.实验将RP-3加压至5 Mpa,使用2.1 m长不锈钢管(1:8 mm I.D.、2.2 mm O.D.、1Cr18Ni9Ti)中将流经其中的RP-3从127℃等热流加温至427℃.在定质量流量前提下,改变进口质量流量0.39、0.78、1.17和1.56 g/(s·mm~2),研究了进口雷诺数对结焦规律的影响.实验结果表明:随着质量流量的增加,RP-3结焦峰值位置逐渐向后推移;管壁平均结焦速率受与进口雷诺数的0.89次方成正比关系;单位质量RP-3结焦生成量随进口雷诺数的增加先减少后增加.     

Ti-PILC负载Ga-Fe的CH4-SCR脱硝性能研究

为解决柱撑粘土（PILC）系催化剂在CH4作还原剂条件下选择性催化还原（SCR： selective catalytic reduction）NO效率较低、抗水蒸气、抗SO2毒化能力较差等问题,提出了一种较为新颖的催化剂制备方法。利用TiCl4作为Ti源对Na化蒙脱土进行柱撑得到Ti-PILC,之后以浸渍法和离子交换法分别负载活性金属Ga和Fe得到xGa/Ti-PILC系列和yFe-14Ga/Ti-PILC系列催化剂。采用多种方法对催化剂的基础物理化学性质进行了表征,并在固定床微反应器上进行了CH4-SCR脱硝实验。结果表明, 14Ga/Ti-PILC于500℃达到了77%的NO还原率,引入Fe后,催化剂的抗水抗硫性能得到了提高,如10Fe-14Ga/Ti-PILC,在含5%水蒸气和200ppmSO2条件下,NO脱除效率的下降不超过10%和8%。对催化剂进行N2吸附-脱附、H2-TPR、XRD、XPS、UV-vis、Py-FTIR等相关表征及分析后发现,Ga在Ti-PILC上分散度较高的情况下能有效提升催化剂对NO的还原性能;通过引入适量的Fe增加14Ga/Ti-PILC的孔径从而可较为有效的降低水蒸气和SO2对催化剂脱硝活性的负面影响;催化剂表面存在的Lewis酸的含量与催化剂的脱硝活性呈正相关关系。     

进气方式对冲击与气膜组合冷却效果的影响

通过数值模拟的方法,研究了涡轮叶片弦中区所采用的新型双层腔冷却结构的冷却特性,系统分析了冲击与气膜组合冷却的流动与换热特性,讨论了冷气进口雷诺数Re、吹风比M以及进气方式对组合冷却效果的影响.计算参数范围是:冷气进口雷诺数Re=2000～5000,吹风比M=0.6～2.0.计算结果表明:冷气进口雷诺数、吹风比以及冷气的进气方式对组合冷却效果均有很大影响.(1)冷气进口雷诺数越高、吹风比越大,组合冷却效果越好.(2)反向进气时的组合冷却效果明显好于正向进气时的组合冷却效果.     

含电活性界面层有机铁电纳米薄膜的疲劳性能

采用3种类型的电活性界面层材料,如高介电常数材料酞菁铜（CuPc）、电子导体原位合成的聚（乙撑二氧噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT-PSSH）以及离子导体聚乙烯基磷酸（PVPA）和商业的PEDOT-PSSH（BaytronP）,研究了界面层对铁电共聚物薄膜的疲劳特性的影响。研究结果表明,三种类型的电活性界面层材料,包括电子、离子导体和含偶极子的高介电常数材料都能为铁电薄膜提供补偿电荷从而提高器件的铁电疲劳性能。     

混凝土硫酸钠腐蚀产物的高光谱检测方法研究

目前混凝土化学腐蚀损伤程度的检测主要是扫描电镜、能谱、XRD衍射等方法,这些方法对于在役的混凝土结构来说,易造成破坏,检测时间长,连续性差。提出了一种基于高光谱的混凝土腐蚀产物无损检测新方法。高光谱检测具有非接触、方便快捷、连续无损的优点,但是受腐蚀混凝土实测光谱的解混模型和分析方法是实际应用的难点。该研究根据混凝土遭受硫酸钠侵蚀生成产物的特点,将硫酸钠侵蚀后混凝土的光谱划分成两个组分光谱的线性混合,一个组分是水泥的水化产物光谱反射率,另一个组分是硫酸钠侵蚀下生成主要产物钙矾石和石膏的光谱反射率。在光谱比值导数模型的基础上,建立混凝土腐蚀产物的光谱解混模型。以在清水和10%Na₂SO₄溶液中连续浸泡的混凝土试块为研究对象,按照15 d的采集周期,在30～120 d连续测量两组混凝土的反射光谱。数据经过平滑、包络线去除后,利用混凝土腐蚀产物的光谱解混模型进行处理。数据一次解混后,分析解混后光谱曲线光谱特征和变化规律,与钙矾石和石膏混合物的标准光谱曲线进行SFF匹配拟合分析。并结合扫描电镜和X射线衍射方法检测此次试验中钙矾石和石膏腐蚀产物的生成情况。利用混凝土比值后的光谱曲线除以石膏光谱曲线,完成了实测光谱的二次解混处理,分析了钙矾石的生成量在30～120 d腐蚀过程中变化趋势。试验结果表明,（1）试验中清水和10%Na₂SO₄溶液中不同龄期的两组混凝土,反射光谱特征随着腐蚀时间的增加区分度明显。两组试块均在1 445和1 945 nm附近有较强吸收特征,但吸收深度不同,10%Na₂SO₄溶液混凝土光谱曲线的吸收深度、吸收面积明显大于清水中的混凝土;（2）实测光谱曲线经过混凝土光谱解混模型一次处理后的曲线,在1 450和1 945 nm左右处有明显的吸收深谷,与石膏和钙矾石混合物标准光谱的光谱特征一致,两者光谱曲线的SFF匹配拟合数值达到了0.96;（3）利用比值后的光谱除以石膏光谱后的曲线很好的突出了腐蚀产物钙矾石的光谱特征。发现随着腐蚀龄期的增长,钙矾石在30～120 d生成量的丰度呈现先降后升趋势。（4）根据混凝土试块腐蚀状态下的高光谱数据分析、扫描电镜和X射线衍射的检测结果,验证了混凝土光谱解混模型在混凝土检测中能够正确解算出腐蚀产物的类型和丰度,为混凝土高光谱无损检测提供了理论基础。