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利用程序升温电导法(TPEC)和程序升温还原法(TPR),研究比较了还原气氛下Pt/MoO_3和Pt/Co_3O_4体系中不同类型的半导体氧化物和吸附氢之间电荷和物种交换的规律.发现微量Pt通过吸附解离H_2成为原子氢,在较低温度下大大加快n型半导体氧化物MoO_3和氢之间电子传递速度,显著地降低MoO_3的还原温度,但在同样条件下却不能有效地活跃p型半导体氧化物Co_3O_4和氢之间的电子传递,因而不能明显地促进Co_3O_4的还原.导致此现象的原因,可能与不同类型的半导体导电机构不同而引起的对氢的敏感程度不同有密切关系. 相似文献
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随着Si/Al比的增加,1-已烯逐渐与小笼羟基发生作用,至Si/Al为8.87时,可完全作用,这与吡啶吸附实验结果一致。低Si/Al比时,1-已烯可与部分剩余超笼羟基作用形成“氢键”,在约3300cm~(-1)产生吸收谱带;在高Si/Al比时,1-已烯亦可与硅终端羟基作用,使其伸缩振动谱带发生位移,在3700cm~(-1)处产生红外吸收。结炭过程中,1-已烯首先脱氢、环化形成低环芳烃,并进一步发生加成、环化反应;到结炭反应后期,环缩合、氢转移和支链化反应加强,使焦炭发生“老化”,具有了多支链、贫氢、多环芳烃的性质。随着Si/Al比的增加,结炭反应变缓,饱和结炭量减少,焦炭的“老化”程度降低。 相似文献
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应用红外光谱研究了异己烷、正己烷、己烯-1、环己烯、苯等碳六烃在Y沸石表面的吸附过程。发现烃吸附后,超笼羟基消失;不饱和烃吸附后,同时还在3400—3000cm~(-1)区出现一个峰巅频率不同的大峰包,系烃类的离域π电子与表面羟基作用形成氢键的结果。小笼羟基程度不等地向低频位移,这些作用随不饱和烃π键增强而加剧。小笼羟基强度有增强的现象,这可能是由于吸附的烃类使超笼羟基指向小笼或质子迁移所引起。小笼羟基增强程度与烃的H/C比、烃吸附量及烃结构有明显的依赖关系。 相似文献
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以脉冲微型反应技术研究了脱铝八面沸石对异丙苯的催化裂化行为,并与反应条件下表面酸性进行了关联。样品裂化活性随骨架Si/Al比增加呈山峰形变化,Si/Al=5.38时最大;反应条件下酸中心数随脱铝深度增加却单调降低。动力学数据表明,样品裂化反应速度常数与强质子酸中心数随骨架Si/Al比增加具有平行的山峰形变化规律,Si/Al比为8.87附近的样品最高。 相似文献
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用离子共聚法合成了硅锆层柱蒙脱石(SiZrPILM)和铁锆层柱蒙脱石(FeZrPILM),考察了它们对1,2,4三甲基苯(1,2,4TrMB)歧化反应的催化性能.1,2,4TrMB在催化剂样品上可发生歧化反应和异构化反应,歧化反应选择性达80%以上.随着催化剂预处理温度的提高,1,2,4TrMB转化率下降,歧化反应选择性和四甲基苯(TeMB)中1,2,4,5TeMB含量则升高.催化剂对1,2,4TrMB歧化反应有择形催化作用,1,2,4,5TeMB和间二甲苯、邻二甲苯为主要产物,并且其含量偏离其热力学平衡组成,TeMB中1,2,4,5TeMB的含量在85%以上. 相似文献