关于平面图（3，1）＊-可选性的一个注记

给出了平面图的一个结构性定理,并证明了每个没有5-圈,相邻三角形,相邻四边形的平面图是（3,1）＊-可选色的．     

基于二乙醇胺配体的[Dy2Co8]型配合物的合成、晶体结构和磁性分析

以二乙醇胺为配体合成了一种具有[Dy_2Co_8]核结构的配合物[Dy_2Co_8(L)_4(HL)_4(HCOO)_4(OH)_2Cl_2(CH_3OH)_2]Cl_2·4CH_3OH·2H_2O(1)(H_2L=二乙醇胺),并对其进行了X射线单晶衍射、红外光谱、元素分析和磁性表征。该配合物属于三斜晶系,P1空间群。晶体学数据:a=1.160 4(8)nm,b=1.322 7(9)nm,c=1.465 3(9)nm,α=71.181(7)°,β=67.638(7)°,γ=65.939(7)°。在晶体结构中,每一个Dy(Ⅲ)都是九配位,而每一个Co(Ⅱ)均为六配位。     

含Nb或Ge的锆合金表面氧吸附行为的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 研究了纯锆表面和含Nb或Ge锆合金表面上氧的吸附性质. 结果表明, Nb和Ge对Zr(0001), (1120)和(1010)表面吸附性质的影响各不相同. 根据计算得到的偏聚能结果, Nb和Ge迁移到Zr(0001)表面比迁移到其他两个表面更容易, 而Nb和Ge 都可以降低Zr(0001)表面对氧原子的吸附能力, 因此这两种元素都能抑制锆合金的初始氧化. 进一步的电子结构分析发现, Nb和Ge改变表面对氧原子的吸附能力是通过改变表面d能带的分布来实现的.     

~(60)Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究

通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系.证实由于复合中心上的电子浓度增加,导致界面态浓度和散射几率的略微增大,从而造成其I-V和L-V特性的略微衰减.同时由于重离子辐照可直接产生位移效应,使界面态浓度明显上升,因此其对发光二极管的影响较电离辐照大很多.     

关于平面图(3,1)~*-可选性的一个注记(英文)

给出了平面图的一个结构性定理,并证明了每个没有5-圈,相邻三角形,相邻四边形的平面图是(3,1)*-可选色的.     

基于二乙醇胺配体的[Dy2Co8]型配合物的合成、晶体结构和磁性分析

以二乙醇胺为配体合成了一种具有[Dy₂Co₈]核结构的配合物[Dy₂Co₈（L）₄（HL）₄（HCOO）₄（OH）₂Cl₂（CH₃OH）₂]Cl₂·4CH₃OH·2H₂O（1）（H₂L=二乙醇胺）,并对其进行了X射线单晶衍射、红外光谱、元素分析和磁性表征。该配合物属于三斜晶系,P1空间群。晶体学数据：a=1.160 4（8）nm,b=1.322 7（9）nm,c=1.465 3（9）nm,α=71.181（7）°,β=67.638（7）°,γ=65.939（7）°。在晶体结构中,每一个Dy（Ⅲ）都是九配位,而每一个Co（Ⅱ）均为六配位。