Fe2+∶ZnSe晶体制备及光学吸收

本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达φ20 mm×2.0mm的晶体样品.光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0 μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85;;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5 ×1017 cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素.     

大尺寸掺铥铝酸钇晶体生长工艺研究

通过提拉法制备了直径50 mm,长度144 mm的大尺寸、高质量的Tm:YAP激光晶体,研究了不同的温场结构对于晶体完整性以及晶体质量的影响,结果表明上空腔温度梯度较小,温度均匀性较高的温场设计能够有效的解决Tm:YAP晶体开裂、解理、弥散状散射和絮状物现象.     

新型大孔有机膦酸锆的合成及其表征

论文以草甘膦锆(ZrGP)为原料、乙二醇和乙醇混合物为共撑物,介绍了一种新型孔材料的合成方法。利用乙醇将草甘膦锆层板撑开后,乙二醇两端的羟基与草甘膦锆内不同层板上的羧基发生脱水成酯反应,进而生成窗口型孔材料。扫描电镜和XRD分析表明,合成得到的材料内部孔径大约为55 nm左右,是典型的大孔。由于所形成的孔壁由无机骨架和有机链共同组成,该孔材料具有较大的比表面积,达到260 m2.g-1。此外,该孔材料孔内存在大量的可配位基团,因而该材料在吸附、催化等领域会有广阔的应用前景。     

Nd∶YAG透明陶瓷制备与激光性能

采用化学沉淀法分步制备了分散性好、团聚少的纳米Y2O3、Nd2O3和Al2O3粉体,经球磨混合和喷雾干燥后,获得了颗粒形貌为球形、粒径在20 ～ 40 μm间的混合陶瓷粉体.粉体经成型后,采用真空烧结工艺制备出了直径为75 mm、厚度5 mm的高透明Nd∶ YAG陶瓷,其在1064 nm和400 nm处的透过率均高于80;,接近于Nd∶ YAG单晶的理论透过率.应力和干涉条纹测试结果表明,所制备的Nd∶ YAG透明陶瓷应力分布均匀,干涉条纹平直,具有良好的光学均匀性.FESEM和XRD测试结果表明,陶瓷的晶粒尺寸在10 ～ 20 μm之间,晶界干净,没有残留气孔和杂质相.对从Nd∶ YAG陶瓷圆片上选切出的3 mm×3mm×5 mm和3mm×3 mm×10mm的Nd∶ YAG激光陶瓷元件进行激光性能测试,实现了连续瓦级激光输出,在泵浦注入功率为18.6 W时,分别获得了7.78W和7.75 W激光输出,光光转换效率分别为41.8;和41.7;.     

群体控制的媒介干预模型

为了全面模拟对抗性人群行为,控制策略的效能评估是必不可少的.建立群体控制的媒介干预模型,通过引入社会不满模型和情绪模型,揭示媒介干预下个体行为由聚集到逃离的心理机制和行为规律.在粒子群算法中对粒子个体受力分析,仿真结果能够体现控制策略与控制效果的关系.参数分析表明,媒介属性与驱散率呈正比;媒介放置队形中间位置,驱散率大于两侧位置;个性特征值越大驱散率越低.最后设计仿真实验,验证建立模型的有效性.模型可以对群体控制策略进行效能评估,为控制人群提供一定决策支持.     

草甘膦锆:干燥方法对微形貌的影响及甲醛吸附行为

本文运用扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪等手段对在不同干燥方法下得到的层状材料草甘膦锆分子聚集体的形貌及其对甲醛吸附性能进行了深入研究,探讨了干燥条件对材料形态的影响以及化合物形态对甲醛吸附不同的内在因素。研究结果表明:干燥方法不同,所得草甘膦锆的形貌有明显差别,应用超临界干燥技术得到的产物是具有大比表面(445m2·g-1)和大比孔容(5.32cm3·g-1)的三维网状结构,应用冷冻干燥技术得到的产物具有介孔结构,而使用喷雾干燥技术得到的产物为微孔与介孔共存微球。在对4种不同干燥产物对甲醛吸附性能的研究发现,甲醛分子在不同形态载体上的吸附能力差距很大,超临界干燥得到的草甘膦锆对甲醛吸附最大百分率(被吸附甲醛的质量占吸附组装体的百分含量)达到7.8%,且甲醛被吸附后热稳定性较好,具有较好的应用前景。     

聚苯胺类/n-Si(111)单晶硅复合电极:制备与光电性质

在过氧化月桂酰作用下,于n-Si(111)型单晶硅表面上分别嫁接苯胺及烷基取代苯胺,进而实现晶体硅表面上聚苯胺和烷基取代聚苯胺的原位聚合,制备得到了系列聚苯胺(或烷基取代聚苯胺)/n-Si(111)单晶硅复合电极。此外,对上述合成电极表面苯胺链进行磺化,得到系列磺酸基化的单晶硅复合电极。电化学研究结果显示,聚苯胺直接嫁接于晶体硅表面所得到的复合电极光电转化效率最高,苯胺聚合链通过碳碳双键桥连于单晶硅表面所得到复合电极的光电转化效率高于通过碳碳单键桥连得到的复合电极,但其光电转化效率低于苯胺聚合链直接桥连于晶体硅表面而得到的复合电极。另外发现,苯环磺酸基化有利于提高复合电极的光电转化效率。     

聚苯胺类/n-Si(111)单晶硅复合电极:制备与光电性质

在过氧化月桂酰作用下,于n-Si(111)型单晶硅表面上分别嫁接苯胺及烷基取代苯胺,进而实现晶体硅表面上聚苯胺和烷基取代聚苯胺的原位聚合,制备得到了系列聚苯胺(或烷基取代聚苯胺)/n-Si(111)单晶硅复合电极。此外,对上述合成电极表面苯胺链进行磺化,得到系列磺酸基化的单晶硅复合电极。电化学研究结果显示,聚苯胺直接嫁接于晶体硅表面所得到的复合电极光电转化效率最高,苯胺聚合链通过碳碳双键桥连于单晶硅表面所得到复合电极的光电转化效率高于通过碳碳单键桥连得到的复合电极,但其光电转化效率低于苯胺聚合链直接桥连于晶体硅表面而得到的复合电极。另外发现,苯环磺酸基化有利于提高复合电极的光电转化效率。