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在50 ~ 340 K不同温度下,利用紫色激光(λ=405 nm)对银/铋锶钙铜氧2223异质结界面进行辐照,观测到明显的光生电压效应,发现光生电压的极性分别在超导转变温度TC与320 K附近发生了反转,排除了激光产生的热电势是产生光生电压的原因,分析表明银/铋锶钙铜氧2223异质结界面处存在内建电场:光生电压由异质结界面处的内建电场分离光生电子-空穴对产生的.超导转变温度TC之下以及320 K以上,内建电场方向从超导体指向金属电极;超导转变温度TC与反向温度320 K之间,内建电场从金属指向超导体. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射方法制备了纳米WO3薄膜,研究了溅射气压对WO3薄膜的表面形貌和微结构的影响.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对WO3的微结构进行了表征.采用紫外-可见分光光度计和循环伏安测试系统对样品的电致变色及响应时间性能进行了研究.结果表明,纳米WO3薄膜的微孔结构特征具有较大的比表面积,有利于改善其电致变色性能.当溅射气压为4Pa时,WO3薄膜在可见光区的电致变色平均调色范围达到了71.6;,并且其着色响应时间为5 s,漂白响应时间为16 s. 相似文献
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Ferron逐时比色法中Al-Ferron体系反应动力学常被视为准一级反应,由此可推得相应的拟合方程并测得相应的反应速率常数kb,显色剂Ferron作为反应物之一其用量必然直接影响测量的结果。以不同OH/Al比的聚合氯化铝溶液为研究对象,抓住Ferron浓度这一核心要素,对Al-Ferron体系反应动力学过程进行了系统研究。结果表明,[Ferron]≥2.0×10^(-3)mol/L是确保动力学速率常数kb准确测量的基本保证。 相似文献
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采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷. 实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%—35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小. 氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加. 在氧含量δ=2.99时电子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大. BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解. 相似文献
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利用脉冲回波重迭方法,测定了新型高温超导陶瓷Bi1.7Ph0.3Sr2Ca2Cu3O10+x及Bi1.7Pb0.3Sr2CaCu2O8+x单相多晶样品的超声声速,并进而决定了其弹性常数。在200K附近,横波和纵波声速均出现反常突变,并伴随有衰减峰出现,表明存在某种结构变化或相变,与此同时还出现了显著的模量软化,由声速导出的Bi系各弹性模量值远小于YBa2Cu3O7-y超导体及BaTiO3等具有类似结构陶瓷的相应值,而它们的泊松比却十分相近,表明这几种钙钛矿结构陶瓷有着类似的原子间结合力;而当C轴变长,其层间耦合减弱。在考虑空洞影响并加以修正后,得到材料的德拜温度为270±20K,并进而首次得到该材料的德拜温度随温度变化的曲线。 相似文献
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采用快速液相烧结法制备BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3 (x=0, 0.05, 0.1, 0.15)陶瓷样品. 实验结果表明: 所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相符合且具有良好的晶体结构, 随着Co3+掺杂量的增大, Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品的主 衍射峰由双峰(104)与(110)逐渐重叠为单峰(110), 当掺杂量x>0.05时, 样品呈现正方晶系结构; SEM形貌分析可知: Dy3+, Co3+共掺杂使BiFeO3晶粒尺度由原来的3—5 μ减小到约1 μ. 室温下, BiFeO3样品表现出较弱的铁磁性, 随着Dy3+和Co3+掺杂, BiFeO3样品的铁磁性显著提高. 在外加磁场为30 kOe的作用下, Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3 (x=0.05, 0.1, 0.15)的Mr分别为0.43, 0.489, 0.973 emu/g; MS分别为0.77, 1.65, 3.08 emu/g. BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品磁矩M随着温度T的升高而逐渐减小, Dy掺杂使BiFeO3样品的TN由644 K升高到648 K, 而TC基本没有变化. Dy和Co共掺杂导致BiFeO3样品磁相变温度TC由870 K降低到780 K, 其TC变化主要取决于Fe-O-Fe反铁磁超交换作用的强弱和磁结构的相对稳定性.
关键词:
铁磁电材料
磁滞回线
磁相变温度 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率. 其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格. 计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO. 掺杂后ZnO的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO. 相似文献