纳米锰基普鲁士白的制备及电化学储钠性能

采用高温共沉淀法制备锰基菱方相的普鲁士白正极材料,研究合成温度对产物微结构和电化学性能的影响。研究发现,随着合成温度的提高,产物的结晶度、颗粒尺寸和嵌钠容量明显提高。当合成温度为90℃时,产物在15 mA·g^-1下首次充放电容量分别达到142和139 mAh·g^-1。在30和50 mA·g^-1分别循环300和600次时,容量仍保持在111和89 mAh·g^-1。     

MOCVD前驱物Fe(DPM)3的制备与性能表征

以FeCl₃和四甲基庚二酮(HDPM)为原料，在醇/水混合溶剂中合成β-二酮金属有机化合物Fe(DPM)₃。利用红外吸收光谱、元素分析、原子吸收光谱、差热-热重和质谱分析等技术，分析了Fe(DPM)₃的结构、纯度、热稳定性、挥发性以及热分解机理。结果显示，合成的Fe(DPM)₃在空气气氛和氮气气氛下均具有良好的挥发性，气化失重率达到98%以上，空气气氛中氧的存在对Fe(DPM)₃的气化和分解具有一定的促进作用；质谱分析结果表明：在Fe(DPM)₃的分解过程中，首先有一个DPM配体解离，然后在剩余两个DPM配体中先解离出-C(CH3)₃基团，随后分裂出剩下的-OCCH₂COC(CH₃)₃基团，最后得到+Fe(DPM)碎片。本文同时以新合成的Fe(DPM)₃作为前驱物，采用气溶胶辅助的金属有机化学气相沉积(Aerosol Assisted MOCVD，AA-MOCVD)技术在α-Al₂O₃衬底上成功沉积制备了α-Fe₂O₃薄膜。     

单一混合固态源PE-MOCVD法制备YSZ薄膜及其表征

采用等离子体增强的MOCVD技术,以均匀混合的金属β-二酮鳌合物固态源Y(DPM)3和Zr(DPM)4作为前驱物,在NiO/SDC多孔阳极和多孔-αAl2O3衬底上制备了氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜.研究了两种衬底对成膜过程和膜的结构以及微结构的影响,讨论了源区输运机制及薄膜生长动力学.XPS分析结果表明,薄膜中Y和Zr元素的摩尔比低于原始混合源中的Y和Zr元素的摩尔比,当混合源中的Y和Zr元素的摩尔比约为0.35:1时,可以获得无定形态的8%YSZ薄膜,经高温焙烧转化为单一立方相,其晶粒大小约为100nm,薄膜的生长速率约为7nm/min.