高居里温度铁电单晶PIN-PT的机电性能

弛豫铁电单晶Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃-PbTiO₃(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT 单晶的三方-四方相变温度(T_RT)约为160 ℃,居里温度(T_C)约为260 ℃,室温压电系数d₃₃、d₃₁、d₁₅分别为1 340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数ε^T₃₃、ε^S₃₃、ε^T₁₁、ε^S₁₁分别为2 700、905、2 210、1 927,机电耦合系数 k₃₃、k₃₁、k₁₅、k_t分别为 87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d₃₃)和纵向机电耦合系数(k₃₃)小于 PMN-PT 单晶,但是横向压电性能(d₃₁)和剪切压电性能(d₁₅)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150 ℃以下有较好的温度稳定性。     

新型弯曲形双偶氮苯类液晶合成及光致异构性能研究

弯曲形偶氮苯液晶由于其偶氮键独特的光致可逆异构化性能,已成为光电子信息材料研究的热门课题,但光响应速度慢已成为制约其发展的关键因素.目前报道的弯曲型偶氮类液晶化合物的偶氮键都距离中心核较远的位置,光致异构的响应时间较长,大都在分钟以上,不利于光敏器件应用研究.本工作试图以2-甲基-1,3-间苯二胺为中心核,将偶氮键紧挨中心核两边,末端为直链烷基,设计合成了一系列新型弯曲形双偶氮苯类液晶化合物,以期缩短光响应时间.通过IR, 1H NMR, 13C NMR和ICP-MS光谱鉴定这些化合物的分子结构,经差示扫描量热仪(DSC)和偏光显微镜(POM)测定其液晶相变温度和相态织构;并通过测定2-甲基-1,3-双(4-((4-庚基苯基)酯基)-1-(E)-偶氮苯基)苯(2c)的紫外-可见光的吸收光谱研究其光致异构化性能,通过UV-Vis光谱仪和偏光显微镜(POM)测定其液晶化合物以及掺杂向列相液晶材料的光致异构现象和响应时间.实验结果表明,所有设计合成的弯曲形双偶氮苯类液晶化合物均具有近晶相相态,且相态温度范围较宽,当近晶相态化合物2c掺杂到向列相混合液晶中时,其光致异构响应时间为2~3 s,在日光下液晶态恢复时间为3~4s,在乙酸乙酯稀溶液中时10s可达到光稳态.说明这类弯曲形双偶氮液晶化合物具有较快的光致异构响应速度.     

基于几何非协调分解的区域分解方法误差分析

对三维可压线弹性问题采用一种基于几何非协调分解的区域分解方法进行求解,证明了数值解具有最优误差估计.     

白光LED用红色荧光粉Cs2SiF6:Mn4+的软化学法制备及性能

采用了一种软化学制备方法合成了Cs_2SiF_6:Mn~(4+)红色荧光粉。通过粉末X射线衍射XRD、扫描电镜SEM对样品的物相和形貌进行了表征。并测试了不同Mn4+掺杂浓度下的样品的荧光光谱、变温光谱、荧光寿命、量子效率等来评估其性能。同时,进行了LED器件封装并完成了光电性能测试。结果表明,所合成的纯相红色荧光粉Cs_2SiF_6:Mn~(4+)表面呈现不规则的形貌。激发光谱中,位于360和460 nm的宽带激发峰分别归属于4A2g→4T1g和4A2g→4T2g跃迁。发射光谱中,位于630 nm处的窄带发射峰可归结为2Eg→4A2g跃迁。温度从25℃升高到150℃,发光强度基本保持不变,150℃时的发光强度是25℃时的100.03%。不同Mn4+掺杂浓度下的样品的发光寿命均在8.0 ms以上。最佳样品Cs2Si F6∶0.06Mn4+的量子效率是88%。此外,采用Cs2SiF6∶0.06Mn4+作为红色组份封装成的LED器件,当Cs2SiF6∶0.06Mn4+的添加量为24%(质量分数)时,器件的色坐标是(0.411 3,0.412 9),色温CCT=3899 K,显色指数Ra=88,R9=84.2,流明效率为123.84 lm·W-1,同时器件发出暖白光。