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1.
高效率钙钛矿型太阳能电池的化学稳定性及其研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
近几年来,钙钛矿太阳能电池器件光电转换效率的最高纪录不断被刷新,但是关于钙钛矿太阳能电池稳定性的研究报道比较缺乏.钙钛矿太阳能电池稳定性问题已经成为制约钙钛矿太阳能电池继续发展的瓶颈.简要讨论了水氧气氛、温度变化、湿法制备、紫外光照等不同敏感环境条件下钙钛矿太阳能电池的化学稳定性问题,进而对一定环境条件下钙钛矿太阳能电池的化学稳定性及其调控的研究现状进行了综述,旨在更好地理解钙钛矿太阳能电池稳定性的基础理论问题,为实现钙钛矿太阳能电池稳定性的调控提供基本依据.  相似文献
2.
以双极性小分子4,9-二(4-(2,2-二苯乙烯基)苯基)萘并[2,3-c][1,2,5]噻二唑(BDPNTD)为发光层, 制备得到了单层非掺杂红色荧光有机发光二极管. 通过在阳极ITO与有机层BDPNTD之间插入1 nm厚的WO3或MoO3薄膜, 获得了单层有机发光二极管: 起亮电压为2.4 V, 最大发光亮度为4950 cd·m-2, 发光波长为636 nm, CIE坐标约为(0.65, 0.35). 这证明了作为修饰层的WO3或MoO3薄膜可以改进ITO/BDPNTD界面的空穴注入, 进而在器件中实现空穴与电子的平衡.  相似文献
3.
使用Al2O3和N3染料制备了一种交替组装的结构, 该结构能够提高染料敏化太阳能电池(DSCs)的开路电压(Voc), 短路电流(Jsc)和转换效率(η). 为了研究(染料/Al2O3)交替组装结构的作用机理, 使用电化学阻抗谱技术分析了电池的界面电阻. 分析结果表明, 随着交替组装结构中(染料/Al2O3)单元的增加, 光阳极/染料/电解质界面的电阻降低, 电池性能随之提高. 基于电化学阻抗谱分析结果, 建立了一系列的等效电路模型, 从理论上解释了(染料/Al2O3)交替组装结构的作用机理.  相似文献
4.
合成了CdSe/ZnS核壳结构量子点(QDs), 将其作为光敏剂吸附在TiO2纳米晶薄膜上, 组装成量子点敏化太阳能电池(QDSSCs), 从电子注入速率和电池性能两方面对QDSSCs进行了表征. 为了定量研究ZnS层包覆对电子注入的影响, 运用飞秒瞬态光谱技术, 测试了包覆ZnS前后, CdSe-TiO2体系的电子注入速率. 实验测得ZnS包覆前后电子注入速率分别为7.14×1011s-1和2.38×10-11s-1, 可以看出包覆后电子注入速率明显降低, 仅为包覆前的1/3. 电池器件J-V性能测试表明, ZnS作为绝缘层包覆在CdSe的表面有效提高了QDSSCs的填充因子和稳定性, 但同时也导致了效率的降低. 上述结果说明了电子注入速率的降低是导致电池电流和效率下降的重要原因, 为今后优化核壳结构QDSSCs的电流和效率提供了依据.  相似文献
5.
研究了染料敏化太阳能电池(DSCs)中N3/Al2O3/N749交替组装结构的作用. 该结构使用Al2O3作为介质层吸附第二层染料, 可以有效拓宽DSCs的光响应范围, 提高电池的光电转化效率. UV-Vis 吸收光谱和单色光转换效率(IPCE)谱测试结果表明, 相对于单一染料, 使用交替组装结构的电池光响应范围变宽. 电流-电压(I-V)曲线结果表明, 该结构有效增加了DSCs 电池的光电转化效率, 从单一N3 和N749 染料的4.22%和3.09%增加到了5.75%, 分别增加了36%和86%. 为了研究该结构的作用机理, 本文对其界面修饰作用及界面电子过程进行了讨论. 暗电流测试结果表明交替组装结构可以有效阻止电荷复合过程; 电化学阻抗谱(EIS)结果表明在黑暗条件下, N3/Al2O3/N749结构可以提高界面电阻, 从而抑制电荷复合过程; 本文建立了等效电路模型, 并使用该模型讨论了交替组装结构的界面电子过程; 调制强度光电流谱(IMPS)和调制强度光电压谱(IMVS)的结果表明该结构可以提高电子寿命和改善电子扩散.  相似文献
6.
通过S2-中间态将有机配体三辛基氧膦(TOPO)转化为ZnS保护层,显著改善了CdSe量子点(QDs)器件的转换效率.配体交换后的傅里叶变换红外(FTIR)光谱结果表明,有机配体已被S2-离子配体取代;离子反应后的X射线光电子能谱(XPS)结果表明S2-离子配体反应生成了ZnS,紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱结果表明量子点溶液吸收峰位没有发生明显改变,透射电子显微镜(TEM)结果表明配体交换后量子点粒径减小.电化学阻抗谱(EIS)结果表明光照条件下有机配体转化为ZnS保护层后TiO2/QDs/电解质界面电阻减少,证明该条件下正向电子传输增强;强度调制光电压谱(IMVS)和强度调制光电流谱(IMPS)结果表明电子寿命和扩散速度增加.相比于有机配体,形成ZnS保护层后的量子点敏化太阳能电池(QDSC)效率由0.98%提高到1.75%,相对提高了1.78倍.  相似文献
7.
使用Al2O3和N3染料制备了一种交替组装的结构, 该结构能够提高染料敏化太阳能电池(DSCs)的开路电压(Voc), 短路电流(Jsc)和转换效率(η). 为了研究(染料/Al2O3)交替组装结构的作用机理, 使用电化学阻抗谱技术分析了电池的界面电阻. 分析结果表明, 随着交替组装结构中(染料/Al2O3)单元的增加, 光阳极/染料/电解质界面的电阻降低, 电池性能随之提高. 基于电化学阻抗谱分析结果, 建立了一系列的等效电路模型, 从理论上解释了(染料/Al2O3)交替组装结构的作用机理.  相似文献
8.
研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质, 通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式, 并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件. 通过对器件性能与沟道形态的研究, 我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变, 从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5 cm2?V-1?s-1量级提高到10-3 cm2?V-1?s-1量级. 顶接触结构单晶器件获得了7.8×10-2 cm2?V-1?s-1的迁移率. 未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.  相似文献
9.
通过旋涂法, 采用不同浓度的前躯体制备了氧化锌多层膜, 并制备了基于此多层膜的薄膜晶体管器件. 实验证明, 基于按照氧化锌前躯体浓度顺序为0.25、0.10和0.05 mol·L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的晶体管器件的载流子迁移率为0.02 cm2·V-1·s-1, 高于按照浓度顺序为0.05、0.10和0.25 mol·L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率(0.013 cm2·V-1·s-1). 原子力显微镜(AFM)结果表明, 前一种薄膜粗糙度的均方根值(rms)为3.95 nm, 而后一种薄膜粗糙度的rms远远高于前者, 为4.52 nm, 这就说明了氧化锌薄膜的粗糙度对薄膜的半导体性质有很大的影响, 这是由于平整的薄膜有利于形成理想的源/漏电极与半导体层的接触. 在晶体管中, 起传输作用的半导体层是靠近ZnO/SiO2界面处的几纳米的半导体层中的氧化锌晶粒, 因此起始形成的氧化锌薄膜的结晶度影响着晶体管的性能. 采用X射线衍射(XRD)测试了多层膜中起始形成的薄膜的结晶性能. 对于前一种薄膜,起始形成的薄膜为多晶薄膜, 而对于后一种薄膜, 起始形成的薄膜是无定形薄膜. 因此, 粗糙度以及起始形成的薄膜的结晶度影响着多层半导体薄膜的性质.  相似文献
10.
通过旋涂法, 采用Zn(OAc)2·2H2O和聚环氧乙烷(PEO)的水溶液为前驱体在不同的热处理温度下制备了ZnO薄膜. PEO的加入增加了溶液的成膜性, 其较低的热分解温度有利于制得纯净的ZnO薄膜. 文中考察了在不同热处理温度下制备的ZnO薄膜的形貌、结晶性、带隙(Eg)以及电导性. 原子力显微镜(AFM)测试表明在热处理温度为400、450和500 ℃制备的ZnO薄膜的粗糙度均方根值分别为3.3、2.7和3.6 nm. 采用透射电子显微镜(TEM)测试发现ZnO薄膜中含有大量纳晶粒子. 通过测试ZnO薄膜的UV-Vis吸收光谱, 根据薄膜位于373 nm处的吸收带边计算得到ZnO的带隙为3.3 eV. 通过对薄膜的电流-电压(I-V)曲线的测试计算得到在热处理温度为400、450和500 ℃制备的ZnO薄膜的电阻率分别为3.3×109、2.7×109和6.6×109 Ω·cm. 450 ℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最小, 主要是由于较高的热处理温度有利于提高薄膜的纯度、密度和吸附氧. 而纯度较高、密度较大的薄膜电阻率比较小; 吸附氧含量增加, 晶界势垒增大, 电阻率增大. 因此在纯度和吸附氧的双重作用下450 ℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最小, 而500 ℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最大.  相似文献
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