ICP-AES法测定萘磺酸系染料中间体中无机元素的含量

本文用ICP-AES法测定了萘磺酸系染料中间体中的无机元素含量。结果表明,该类产品含有较多种类的无机元素,含量高低与产品品质存在一定关系。本法为适时控制产品质量提供了一种切实可行的分析手段。     

适合裂尖穿越界面行为分析的断裂模拟方法研究

分析了线弹性断裂力学在模拟裂尖垂直穿越弹性界面行为时存在的理论缺陷;对理想化的层状弹性材料,采用内聚力模型研究了界面前方材料的内聚强度对裂尖穿越界面行为的影响;根据有限元计算结果,讨论了内聚力模型与线弹性断裂力学在模拟裂纹垂直于界面扩展时的差别.计算结果显示,界面前方材料的内聚强度大小对裂尖穿越界面行为有重要影响,是导致内聚力模型与线弹性断裂力学模型计算结果差异的关键因素.计算结果分析表明:研究复杂材料中裂纹扩展行为时,不仅需要一个基于能量的断裂准则,还需要补加一个强度准则,内聚力模型在理论上符合这一要求.     

NiB和NiP超细非晶合金的退火晶化行为及催化性能

 采用X射线吸收精细结构（XAFS）,X射线衍射（XRD）和差热分析（DTA）等方法研究了以化学还原法制备的NiB和NiP超细非晶态合金催化剂在退火过程中的结构变化．XRD结果表明,在300℃下退火时,NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni3B亚稳物相,NiP超细非晶态合金则主要晶化生成金属Ni和部分晶态Ni3P的混合物相;在500℃退火且近于完全晶化的条件下,大部分超细非晶态合金都晶化为金属Ni．XAFS结果定量地说明,对于NiB和NiP初始样品,第一近邻Ni－Ni配位的平均键长Rj分别为0.274和0.271nm,其结构无序度σS很大,分别为0.033和0.028nm,其热无序度σT分别为0.0069和0.0060nm．300℃退火后,晶化生成的Ni3B的Ni－Ni配位的σS降低到初始样品的33％,仅为0.011nm．500℃退火后,NiB样品的结构参数与金属Ni基本一致,但NiP样品的Ni－Ni配位的σS还远大于σT,仍为0.0125nm,表明NiB和NiP超细非晶态合金的退火晶化行为有很大的差别．纳米晶Ni3B催化苯加氢反应的转化率比超细Ni－B非晶态合金或多晶金属Ni更高,表明纳米晶Ni3B中的Ni与B原子组成了苯加氢催化反应的活性中心．     

微量铈对Ni—P非晶态合金催化剂的苯加氢性能及热稳定性的影响

采用化学还原法制备了不同铈含量的Ｎｉ－Ｐ－Ｃｅ超细非晶态合金催化剂,测试了其苯加氢活性。应用Ｘ射线衍射和差热方法对经不同温度退火后的样品进行了结构分析,并和其苯加氢活性相关联。实验发现,微量铈的加入可大大提高催化剂的热稳定性,进而提高共加氢活性。     

利用有裂纹与无裂纹J积分之差分析裂纹扩展能量释放率

用有裂纹与无裂纹时的远场J积分之差分析了无限大平面中心裂纹的能量释放率,材料形式分别为均匀和层状材料,裂纹垂直于拉伸方向,层状材料界面平行于拉伸方向.有裂纹与无裂纹J积分之差表示载荷作用下的无裂纹材料引入裂纹所导致的J积分变化.对于均匀材料无限大平面中心裂纹,能量释放率等于对称轴处应变能密度释放量沿对称轴的积分,其值等于无裂纹时的应变能密度乘以一个以裂纹半长为半径的圆周长.对于层状材料无限大平面中心裂纹,能量释放率等于对称轴处应变能密度释放量沿对称轴的积分减去界面J积分的改变量.     

XAFS研究Ni-P和Ni-Ce-P超细非晶合金的退火晶化

采用原子配位分布函数为Gaussian函数Ｐ_G和指数函数P_E直积的非 对称模型进行拟合计算,XAFS定量地研究化学还原法制备的Ni-P和Ni-Ce-P超细非晶合金大 无序度体系中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化.结果表明Ni-P和Ni-Ce-P 原样的Ni-Ni配位的平均键长Ｒ_j、配位数N、热无序度σ_T、结构无 序度σ_S分别为0271nm,100,00060nm,0028n 关键词： XAFS Ni-P Ni-Ce-P 超细非晶合金 局域结构     

草酸根·(1R, 2R-环己二胺)合铂(Ⅱ)的质谱和热分析研究

铂配合物是目前最为广泛使用的抗肿瘤药物。自１９６５年Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇ等人发现顺铂具有强烈抑制大肠杆菌细胞分裂的作用后［１］,对抗癌药物的研究和开发已成为生物无机化学的重要领域之一［２－４］。迄今为止,现已有四个铂配合物获准临床使用,其中之一就是草酸根·（１Ｒ,２Ｒ一环己二胺）合铂（Ⅱ）,它是由四氯合铂酸钾与反式－１, ２环己二胺的光学异构体作用,然后与草酸反应而制得的。为了深入研究该药物的物理性质,我们采用几种质谱方法和热分析仪对该化合物的分解机制和热稳定性进行了研究,探讨了分解的可能途径。１…     

层状非均匀材料边裂纹引起的J积分变化量分析

均匀材料无裂纹时沿封闭路径的J积分为零,层状非均匀材料无裂纹时沿封闭路径的J积分通常不为零且与路径相关。在位移载荷保持不变条件下引入裂纹会使J积分改变,本文分析引入裂纹所导致的远场J积分变化量,即有裂纹时与无裂纹时沿同一远场路径的J积分之差,其值等于裂尖J积分与界面J积分变化量之和。对于层状非均匀材料,虽然无裂纹时和有裂纹时的远场J积分、界面J积分都与路径相关,但当积分路径远离裂尖后,有裂纹与无裂纹时的远场J积分之差、界面J积分之差与路径无关,引入裂纹所引起的远场J积分变化量等于边界应变能密度释放量沿边界的积分。对于均匀材料半无限大平面的边裂纹,裂纹能量释放率等于无裂纹时应变能密度与8倍裂纹长度的乘积;对于层状材料的边裂纹,裂纹能量释放率等于应变能密度释放量沿边界的积分减去界面J积分变化量。     

铜分子筛Cu(Ⅰ)物种上吸附CO的漫反射红外光谱

应用漫反射红外光谱测定了不同的铜分子筛经真空自还原后吸附ＣＯ的基频,组频和泛频谱带,结果表明,ＣＯ压力较低时,形成Ｃｕ（Ⅰ）（ＣＯ）吸附物种,其种类与分子筛的结构特性有关。随ＣＯ２压力增高,部分吸附物种转变为Ｃｕ（Ⅰ）（ＣＯ）２,分析Ｃｕ（Ⅰ）（ＣＯ）基频和组频谱带可得到比Ｃ－Ｏ伸缩振动更灵敏的反映Ｃｕ（Ⅰ）和ＣＯ作用的Ｃｕ（Ⅰ）－Ｃ伸缩振动频率。     

层状陶瓷的材料力和裂纹力评估方法

用J积分理论分析了层状陶瓷受弯曲载荷作用时J_(far(0)),J far(a),J_(far(a))-J_(far(0))和J_(tip)的特点,这里J_(far(0)),J_(far(a))分别表示无裂纹时和裂纹长度为a时的远场J积分,J_(tip)表示裂尖J积分.裂纹是垂直于界面的表面裂纹,基本假设是裂纹只影响局部应力应变场.由于积分路径所包围的材料界面长度随积分路径变化,导致J_(far(0))和J_(far(a))都随积分路径变化,但当积分路径远离裂纹影响区域时J_(far(a))-J_(far(0))不再随路径变化.J_(far(a))-J_(far(0))可作为非均匀材料断裂的远场驱动力参量,J_(tip)-(J_(far(a))-J_(far(0)))可用来评价材料非均匀性对裂纹扩展驱动力的促进或抑制作用.