旋涂法制备掺杂BiOX薄膜及光催化性能研究

采用旋涂的方法在基底材料表面原位生长BiOX(X=C1、Br、I)薄膜材料.样品的晶体结构和光学性质等通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)进行了表征.结果表明旋涂法制备的BiOX薄膜是纯净的,无其他杂质,均匀性好.通过对BiOX薄膜材料的光催化性能和瞬态表面光电压技术(TPV)进行了研究,发现卤素掺杂的BiOBr0.48I052具有较好的光催化性能.其结果表明催化性能提高的原因可能是BiOBr0.48I0.52薄膜在光照下可以产生更强的光生载流子并具有更长的光生载流子寿命.     

In situ study of calcite-III dimorphism using dynamic diamond anvil cell

The phase transitions among the high-pressure polymorphic forms of CaCO₃ (cc-I, cc-II, cc-III, and cc-IIIb) are investigated by dynamic diamond anvil cell (dDAC) and in situ Raman spectroscopy. Experiments are carried out at room temperature and high pressures up to 12.8 GPa with the pressurizing rate varying from 0.006 GPa/s to 0.056 GPa/s. In situ observation shows that with the increase of pressure, calcite transforms from cc-I to cc-II at ～ 1.5 GPa and from cc-II to cc-III at ～ 2.5 GPa, and transitions are independent of the pressurizing rate. Further, as the pressure continues to increase, the cc-IIIb begins to appear and coexists with cc-III within a pressure range that is inversely proportional to the pressurizing rate. At the pressurizing rates of 0.006, 0.012, 0.021, and 0.056 GPa/s, the coexistence pressure ranges of cc-III and cc-IIIb are 2.8 GPa-9.8 GPa, 3.1 GPa-6.9 GPa, 2.7 GPa-6.0 GPa, and 2.8 GPa-4.5 GPa, respectively. The dependence of the coexistence on the pressurizing rate may result from the influence of pressurizing rate on the activation process of transition by reducing the energy barrier. The higher the pressurizing rate, the lower the energy barrier is, and the easier it is to pull the system out of the coexistence state. The results of this in situ study provide new insights into the understanding of the phase transition of calcite.     

与"求线性规划问题可行基的一种方法"的再商榷

再次说明文[1]提出的方法不能直接使用，仍须按文[2]的修正结果实行才是正确的。同时指出最近提出的某些算法的不实之处，以飨读者，避免误导。     

铜锌锡硫硒太阳能电池Mo/CZTSSe界面调控研究进展

Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4太阳能电池制备过程中Mo基底硒(硫)化反应产生较厚的Mo(Sx,Se1-x)2,以及SnS(e)与ZnS(e)的生成与挥发在Mo/CZTSSe界面处产生的孔洞,是限制器件性能提升的重要原因.针对这些问题,总结了Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞的生成原因及其对器件性能的影响.此外,还综...     

Non-depletion floating layer in SOI LDMOS for enhancing breakdown voltage and eliminating back-gate bias effect

A non-depletion floating layer silicon-on-insulator (NFL SOI) lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) is proposed and the NFL-assisted modulated field (NFLAMF) principle is investigated in this paper. Based on this principle, the floating layer can pin the potential for modulating bulk field. In particular, the accumulated high concentration of holes at the bottom of the NFL can efficiently shield the electric field of the SOI layer and enhance the dielectric field in the buried oxide layer (BOX). At variation of back-gate bias, the shielding charges of NFL can also eliminate back-gate effects. The simulated results indicate that the breakdown voltage (BV) is increased from 315 V to 558 V compared to the conventional reduced surface field (RESURF) SOI (CSOI) LDMOS, yielding a 77% improvement. Furthermore, due to the field shielding effect of the NFL, the device can maintain the same breakdown voltage of 558 V with a thinner BOX to resolve the thermal problem in an SOI device.     

某型飞机发动机故障诊断专家系统设计

针对某型飞机发动机故障诊断困难以及视情维修对维修技术提出的更高要求,利用专家系统人工智能技术设计了该型飞机发动机故障诊断专家系统。该系统利用自动检测技术获得发动机状态参数,通过智能诊断实现故障定位。系统利用模块化设计思想进行了人机交互界面设计、故障知识数据库建立、推理机制设计、获取知识程序设计、解释程序设计,实现了发动机故障的快速定位,提高了发动机诊断维修的时效性,保证了发动机的完好率。     

D-π-A型三联吡啶衍生物的合成、结构和光学特性

以2,2'∶6',2″-三联吡啶为电子受体(Acceptor,A)基元,通过Wittig成烯反应引入N-己基-3-甲酰基咔唑电子给体(Donor,D)基元,合成了一种D-π-A型三联吡啶衍生物,对其进行了质谱、核磁共振波谱、红外光谱及X射线单晶结构分析.光学性质研究结果表明,目标产物具有单、双光子吸收和荧光特性,荧光量子产率(Ф)高达0.46,最大双光子吸收截面(δ)为120 GM.     

离子液体萃取光度法测定铜和铁

1引言 离子液体具有蒸汽压低、不可燃、热稳定性好、可溶解多种有机物及无机物等特点,被誉为绿色溶剂.以离子液体代替有毒、易燃、易挥发的有机溶剂用于金属离子的萃取分离,不但可以得到较高的萃取率,而且绿色环保, 是目前相关化学领域研究热点.     

HF酸刻蚀提升熔石英亚表面划痕抗损伤性能的机理

用HF酸刻蚀熔石英元件,研究刻蚀对元件后表面划痕的形貌结构及损伤性能的影响,探索损伤阈值提升的原因.时域有限差分算法理论计算结果表明:对于含有50nm直径氧化锆颗粒的划痕,对入射光调制引发场增强的最大值是入射光强的6.1倍,且最强点位于划痕内部氧化锆颗粒附近,而结构相同但不含杂质的划痕引发的最大场增强为入射光强的3.6倍,最强区位于划痕外围;HF酸刻蚀能够有效去除划痕中的杂质,改变划痕结构,增加其宽深比值,经刻蚀的划痕对入射光调制引发场增强降低到入射光强的2.2倍.实验结果表明,经过深度刻蚀的划痕初始损伤阈值较刻蚀之前提高一倍多;光热弱吸收测试仪测试刻蚀后划痕对1 064nm激光的吸收最大值仅为230ppm.HF酸刻蚀同时可以提升元件整体损伤阈值,由于元件上无缺陷区域损伤阈值随刻蚀的深入先增加后降低,因此HF酸刻蚀应进行到元件损伤阈值提升到最大值为止.     

Ag3PO4/Ag2CO3 p-n异质结复合光催化剂的制备及增强的可见光催化性能

半导体光催化氧化技术作为一种“绿色技术”,被广泛应用于环境污染物治理和太阳能转化领域.高效、稳定、可回收利用的催化剂的开发是光催化技术发展的一个重要方向. Ag系半导体光催化剂因在可见光分解水制氢及降解有机污染物等方面表现出优异的催化性能而广受关注.然而,该催化剂失活快制约了其应用.因此,提高Ag系半导体材料的光催化稳定性成为近年来研究的一个热点.研究发现,在半导体的表面或者界面形成p–n异质结是提高催化剂光催化性能和稳定性的有效途径.理论上讲,当p型半导体和n型半导体形成p–n结以后,在两种半导体接触边缘的附近处存在着正、负空间电荷分列两边的偶极层,产生了从n型半导体指向p型半导体的内建电场.内建电场的存在使得p型半导体与n型半导体之间产生了电位差,即内建电势差.这种电势差能够有效促进电子和空穴的分离,达到光生电子和空穴对分离、转移和传递的目的,从而抑制电子和空穴的复合,提高光催化效率. Ag2CO3是p型半导体,其导带为0.21 eV,价带为2.83 eV; Ag3PO4是n型半导体,其导带为0.43 eV,价带为2.86 eV.两者能带结构匹配,能形成p–n异质结.因此,本文采用简单的共沉淀法,制备了不同比例的Ag3PO4/Ag2CO3复合光催化剂,并通过X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、紫外-可见漫反射光谱以及瞬态光电压谱等对其进行了表征.透射电镜照片显示,粒径较小的Ag3PO4颗粒均匀的分布在粒径较大的Ag2CO3周围. P元素和C元素的摩尔比接近于投料比. Ag3PO4/Ag2CO3复合催化剂的吸收光谱体现出两种催化剂的混合特征,在可见光区的吸收强度增加.瞬态光电压表征不仅证实了Ag2CO3是p型半导体, Ag3PO4是n型半导体,更说明了40%-Ag3PO4/Ag2CO3复合光催化剂的载流子寿命较长.罗丹明B(RhB)的降解实验证实40%-Ag3PO4/Ag2CO3(Ag3PO4与Ag2CO3的摩尔比为40%：60%)复合催化剂的光催化效率最高,500 W氙灯(附加420 nm截止波长的滤光片)照射15 min后, RhB就能被完全降解,而纯的Ag3PO4和Ag2CO3对RhB的降解率只有40%和10%.循环实验发现,前两次循环中由于单质银的生成导致催化剂活性下降,但从第三次循环开始其催化活性趋于稳定.此外,还通过添加草酸钠(空穴的清除剂)、异丙醇(羟基自由基的清除剂)和对苯醌(超氧自由基的淬灭剂)等来判断光催化过程中起主要作用的活性自由基.实验证实空穴是Ag3PO4/Ag2CO3光催化剂在降解RhB过程中产生的主要活性自由基物种. Ag3PO4/Ag2CO3光催化剂相对于单纯的Ag3PO4和Ag2CO3有更高的空穴产生能力.当可见光照射到复合催化剂表面时, Ag2CO3导带上的激发电子能够快速转移到Ag3PO4的导带上,同时Ag3PO4价带上的光生空穴能够快速转移到Ag2CO3的价带上. p–n结的形成提高了光生电子和空穴的分离效率,抑制了电子和空穴的再结合,因此,复合光催化剂光催化降解效率提高.综上所述, Ag3PO4/Ag2CO3之间能形成有效p–n结,40%-Ag3PO4/Ag2CO3复合光催化剂表现出最佳的光催化性能.