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设计合成了4种对称的以不同供/吸电子基团为共轭桥、两端连接meso位苯或噻吩取代的新型氟化硼二吡咯甲川(BODIPY)衍生物;通过1H NMR,13C NMR和MS等手段对其进行了结构表征;并采用紫外吸收光谱、荧光发射光谱及循环伏安(CV)等方法研究了其光电性能.紫外光谱数据表明,BODIPY结构具有明显的特征吸收,中间的桥联基团无论是强供电子的苯并二噻吩(BDT)还是强吸电子的苯并噻二唑(BT)均不能使整个分子产生明显的分子内电子迁移(ICT).另一方面,meso位的取代基可与BODIPY核产生微弱的ICT,且meso位噻吩取代的分子比meso位苯环取代的分子表现出更强的ICT.紫外光谱数据和电化学测试结果表明,meso位噻吩取代的分子比meso位苯环取代的分子具有更低的氧化电位和更窄的能隙. 相似文献
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本文提出了一种准逆流平行板式膜吸收热泵(液-液膜接触器)并用于流体加热。制冷剂(水)和吸收剂(盐溶液)以逆流和错流相结合的形式(准逆流)流动,被半透膜隔开。该膜只允许水蒸气的渗透,盐溶液从水中吸收水蒸气。潜热和混合热被释放到溶液侧,使低温热量转换为可用的高温热量。为了研究膜式热泵内的热量和质量的耦合传递,选择相邻流道、两块膜及其空气隙作为研究对象建立数学模型。使用有限差分法求解动量、热量和质量传递的控制方程,得到溶液的温升。结果表明,潜热传递参数比显热传递参数对溶液温升的影响更大。 相似文献
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卟啉类化合物由于其独特的结构和特有的性能,使得它在众多领域受到人们的高度重视,有关研究非常活跃[1~2]。目前液晶卟啉的研究受到广泛关注,许多液晶卟啉已经被合成出来[3~4]。Shin-ichi等人于1990年研究了两个四(p-n-烷氧苯基)卟啉及其配合物的液晶性[5],Shimizu等人于1993年系统研究了四(对烷基苯基)卟啉的液晶性[6],这些现象引起了人们对卟啉类化合物液晶性能研究的极大兴趣。我们合成了十四种未见文献报道的新的CO2+、Cu2+、Zn2+、Pb2+四个系列的中位-四(对烷… 相似文献
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设计合成了10个氯化meso-四(对烷氧基苯基)卟啉合铁(Ⅲ)配合物, 其中7个尚未见文献报道. 用1H NMR, MS, IR, UV和元素分析等技术表征了该系列配合物的结构. 用差示扫描量热法和偏光显微镜研究结果表明8个配合物具有液晶性, 其液晶行为分别表现为升温单变液晶和升温降温互变液晶; 有1~2个中介相, 相变区间Δt最宽为128 ℃, Δt最窄为42 ℃, 液晶起始相变温度最高为80 ℃, 最低为42 ℃; 清亮点tc最高为181 ℃, 最低为110 ℃; 考察了烷氧基链长、配位金属离子及配合物分子空间结构对液晶性能的影响. 通过荧光光谱分析进一步验证了氯化卟啉合铁(Ⅲ)可以转化为μ-氧-双卟啉合铁(Ⅲ). 相似文献
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自第一个卟啉液晶化合物[1]被合成以来,人们合成了各种各样的卟啉液晶化合物,并研究了它们的液晶性能[2,3],且出版了专著,系统论述了卟啉液晶化合物的结构特征、物化性能和反应活性,并指出作为新的分子电子存储器的应用前景[4].如何设计合成出相变温度较低、相区较宽、稳定性较好的具有某些特殊功能和作用的卟啉液晶材料仍是液晶材料研究的一个热点.目前对于中位-四(烷氧基苯基)卟啉及其金属配合物的液晶性能研究只有1990年Shimichi报道了中位-四(对烷氧基苯基)卟啉(n=10,12)及其Co,Zn配合物(n=10)的液晶性能[5],我们在前文[6-8]报道了meso-四(对烷氧苯基)卟啉及其Cu,Co,Zn,Pb,Ni,Mn,Fe金属配合物的合成、表征和液晶性能的系统研究,但至今仍没有meso-四(邻烷氧基苯基)卟啉及其金属配合物的液晶性能的研究报道. 相似文献
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meso-四(邻烷氧基苯基)卟啉合钴的合成、表征和性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
合成了meso-四(邻烷氧基苯基)卟啉合钴配合物10个,其中未见文献报道的新化合物8个,研究了其合成、分离、纯化方法,首次得到了该系列化合物的晶体或固体。用1H NMR、MS、IR、UV、元素分析等表征确证了其结构,报道和解析了该类卟啉钴配合物的1H NMR特殊波谱现象。用差示扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(PM)研究了该系列配合物的液晶性能,发现6个配合物具有液晶性。研究了烷氧基链长、金属离子和分子空间结构对卟啉液晶性能的影响,烷氧基链长的增加、金属配合物的形成有利于液晶性能的改善。 相似文献