图的L(3,2,1)-标号

无向图G的L(3,2,1)-标号是指从顶点集V(G)到非负整数集Z*的一个映射,满足:对i=1,2,3,只要dG(x,y)=i,则f(x)-f(y)|≥4-i.若一个L(3,2,1)-标号中的所有像元素都不超过整数k,则称之为k-L(3,2,1)-标号.图G的L(3,2,1)-标号数,记作3λ(G),是使得图G存在k-L(3,2,1)-标号的最小整数k.文中给出了路、圈、树等特殊图的L(3,2,1)-标号数,并给出了一般图的L(3,2,1)-标号数的一个上界.     

惠斯通电桥实验误差分析与研究

惠斯通电桥测电阻中的实验误差主要来源于桥臂电阻以及电桥的灵敏度, 因此, 通过理论分析和实验 验证系统地比较了减小实验误差的相关方法, 希望可以为改进实验测量的方法、 精确实验结果提供些许参考     

方酰胺催化的环状磺酰亚胺不对称胺化反应

首次报道了方酰胺催化环状磺酰亚胺α-位的不对称胺化反应。以N-环状磺酰亚胺与偶氮二羧酸酯为原料,在方酰胺催化下经Michael加成反应构建C-N键,合成了一系列新型糖精衍生物;1-(1,1-二氧代苯并异噻唑-3-基)-1-肼二甲酸二苄酯丁烷经还原、关环反应得含尿素结构的并环衍生物,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS表征。并考察了反应温度、反应时间和底物结构对胺化反应的影响。结果表明,以奎宁方酸胺为催化剂时,最佳反应条件为:二氯甲烷为溶剂,4MS为添加剂,于-30℃反应24 h,收率95%～99%,84%e.e.～94%e.e.。     

修饰金鸡纳碱催化的不对称烯丙基烷基化反应

以修饰金鸡纳碱的手性叔胺为催化剂,Morita-Baylis-Hillman碳酸酯与α-取代的β-酮酸酯经不对称烯丙基烷基化反应,以中等收率及较好的非对映选择性和对映选择性合成了一系列具有连续季碳叔碳手性中心的新型烷基取代β-酮酸酯类化合物,其结构经1H NMR和13C NMR表征。     

集装箱翻箱问题的模型分析及算法

针对实际生产中集装箱的装船问题,预翻箱是提高装船准确率和装船效率的一个有效方法.本文利用图论知识构建预翻的数学模型,并用加以限制的广度搜索算法计算出翻箱的最少步骤.     

聚己内酯/纳米二氧化硅复合体系环带球晶形貌及结晶行为研究

采用溶液浇铸的方法制备了聚己内酯(PCL)/疏水性纳米二氧化硅(R974)复合体系薄膜,利用偏光显微镜、差示扫描量热仪、扫描电镜等研究了R974对PCL环带球晶形貌及结晶行为的影响,并从微观层次探讨了PCL/R974环带球晶可能的形成机理。结果表明,PCL/R974环带球晶是由扭转生长的片晶构成。R974的加入可诱导PCL环带球晶的形成,拓宽环带球晶形成温度。R974含量越高,PCL形成环带温度越低,环带周期越小,环带结构越规整。等温结晶时,R974加入并未改变PCL异相成核机理,但会影响其结晶动力学。当R974含量≤4%(wt)时,其异相成核作用占主导,促进了PCL结晶过程;当R974含量4%(wt)时,其对于球晶生长的阻碍大于异相成核作用,最终抑制了PCL的结晶。     

靛红Morita-Baylis-Hillman碳酸酯与环状N-磺酰亚胺的不对称烯丙基烷基化反应研究

本课题组近年来发展的通过路易斯碱催化靛红Morita-Baylis-Hillman(MBH)碳酸酯的烯丙基烷基化反应是合成光学纯3,3-二取代2-氧化吲哚化合物的一种有效方法. 在此基础上, 本文研究了手性叔胺催化靛红MBH碳酸酯与环状N-磺酰亚胺的不对称烯丙基烷基化反应, 通过亲电反应途径以较高的立体选择性(达86% ee, dr＞95∶5)和高收率(达96%)合成C-3位含季碳手性中心的多官能团氧化吲哚产物. 通过简单的转化可以得到含多个手性中心的2-吲哚酮-3,4'-哌啶环类骨架, 这为进一步合成生理活性物质研究奠定了基础.     

乙基锌和芳基硼酸原位制备芳基锌的过程中少量氧气催化的α, β-不饱和酮环氧化反应

乙基锌和芳基硼酸原位制备的芳基锌与α,β-不饱和酮进行环氧化反应。在空气存在下其氧化产物的产率达90%以上。     

Atomic Layer Deposition of Al2O3 on H-Passivated GeSi： Initial Surface Reaction Pathways with H/GeSi（100）-2 × 1

The reaction mechanisms of Al（CH3 ）3 （TMA） adsorption on H-passivated GeSi（100）-2 × 1 surface are investigated with density functional theory. The Si-Ge and Ge-Ge one-dimer cluster models are employed to represent the GeSi（100）-2 × 1 surface with different Ge compositions. For a Si-Ge dimer of a H-passivated SiGe surface, TMA adsorption on both Si-H^＊ and Ge-H^＊ sites is considered. The activation barrier of TMA with the Si-H^＊ site （1.2eV） is higher than that of TMA with the Ge-H^＊ site （0.91 eV）, which indicates that the reaction proceeds more slowly on the Si-H^＊ site than on the Ge-H^＊ site. In addition, adsorption of TMA is more energetically favorable on the Ge-Ge dimer than on the Si-Ge dimer of H-passivated SiGe.     

工业纯钛微弧氧化膜的结构及拉曼光谱分析

采用微弧氧化技术,用处理电压为300,350,400,450,500 V在工业纯钛表面制备了5块氧化膜试样,利用扫描电镜和拉曼光谱研究了处理电压对氧化膜结构的影响.结果表明:氧化膜表面布满了微孔,其尺寸随处理电压的升高而增加,而微孔密度则旱相反的变化趋势.氧化膜主要由锐钛矿和金红石相组成,其相含量与处理电压的大小密切相关.当处理电压较低时,氧化膜主要由锐钛矿相组成;随着处理电压的升高,氧化膜中金红石相的相对含量增加;当处理电压在400～450 V时,金红石相含量增加迅速,并成为主晶相.