An Efficiency Enhanced Graphene/n-Si Schottky Junction for Solar Cells

A novel and facile oxidation-induced self-doping process of graphene-silicon Schottky junction by nitric acid(HNO_3) vapor is reported. The HNO_3 oxidation process makes graphene p-type self-doped, and leads to a higher built-in potential and conductivity to enhance charge transfer and to suppress charge carrier recombination at the graphene-silicon Schottky junction. After the HNO_3 oxidation process, the open-circuit voltage is increased from the initial value of 0.36 V to the maximum value of 0.47 V, the short-circuit current is greatly increased from 0.80μA to 7.71μA, and the ideality factor is optimized from 4.4 to 1.0. The enhancement of the performance of graphene-Si solar cells may be due to oxidation-induced p-type self-doping of graphene-Si junctions.     

基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备

利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.     

工程认证背景下的“大学物理”课程改革及教学研究

本文阐述了工程认证教育背景下,我校大学物理教学中存在的问题及改革的必要性,并根据我校的办学定位对教学目标、教学内容和教学方法进行改革。根据工程认证的要求重新明确了知识、能力、素质培养三个层次的教学目标,并设计了相应的评价体系。根据各个不同专业对教学内容进行调整,在教学内容中突出强调物理思想,突出工程技术中应用的案例介绍。教学方法上通过引导学生自学、探究性学习来调动学生的主动性,侧重培养学生的思维方法,激发学生的创造性,为培养未来的工程师打下良好的知识基础和方法基础。