由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出V_max/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压V_max由隧道电子谱测定,由V_max/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。 关键词：     

高温超导微带滤波器的研究

参照有关文献编制了高温超导体微带带通滤波器设计ＣＡＤ软件，文中介绍了编制的方法和流程图，并与有关实验结果进行比较，表明该软件具有较好的正确性和实用性，此外用软件对ＧｄＢａＣｕＯ／Ａｇ微带滤波器进行设计和实验，得到滤波器性能较大幅度的结果。     

Pt和Pd的超薄覆盖层对Ag膜表面增强喇曼散射的影响

在用化学沉积法制成的银岛膜上,蒸镀上不同厚度的Pt和Pd,测量了吡啶分子在Pt-Ag,Pd-Ag体系的表面增强喇曼散射(SERS)谱,得到SERS谱随覆盖层厚度的增加而衰减的关系曲线,并与电磁衰减理论计算的结果作了比较。此外,在两个体系都发现了新的振动谱线。我们认为它对应于吡啶在Pt和Pd上的吸附态。 关键词：     

CdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。     

YBa_2Cu_3O_7外延薄膜可重复的电子隧道谱

我们用YBa_2Cu_3O_7(YBCO)外延薄膜和蒸发的 Pb 膜制备了隧道结.这些隧道结具有很好的和可重复的特性.在高于块状 YBCO_t 临界温度以上,结的电导 G_n(V,T)与电压 V 和温度 T 有关.在150K,电导曲线可用下列公式来拟合:G_n(V,T)=G_n(0,T)+(V/10mv)^(1.65).低于90K 时,可以看到与 YBCO 的高 T_c 超导电性相伴随的结构;低于 Pb 的 T_c 时,还可以看到 Pb 的能隙以及声子所感应的结构.这些结构在所有的隧道结上是重复的,并且在40多天的时间内可重复测量许多次.由漏电电流很小(小于1%)以及 G(O,T)曲线在90K 处斜率突然变化,我们确信这些结构是 YBCO 的本征性质.我们估计出 YBCO 的能隙参数△=19meV,由此得出2△/kT_c=5.0在1.2K;零偏压电导 G(0,1.2K)是有限值,近于40%G(100mV,1.2K).这说明,在 YBCO 的超导态,Fermi 能级处是有状态的.     

2英寸Tl-2212超导薄膜的制备及特性

优化了各项试验参数,运用后退火方法成功制备了2英寸Tl-2212超导薄膜.为避免真空室污染,制备过程中先利用脉冲激光法在LaAlO3基片上沉积出不含Tl的Ba2CaCu2Ox前驱膜,然后在720～740℃下的流动氩气氛中进行铊化后退火处理,制备的薄膜外观均匀光滑.2θ扫描表明,薄膜具有良好的c轴外延性.SEM图像显示,薄膜以层状生长为主,表面存在孔洞、团状颗粒以及少量针状晶粒.最佳薄膜零电阻温度TC0～108K,临界电流密度Jc>106A/cm2,表面电阻Rs～0.5mΩ.     

高Tc超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶晶界结及双晶结光探测器

在晶界夹角分别为 2 4°,3 2°的 YSZ双晶基片上 ,制备了高 Tc Gd Ba2 Cu3O7-δ双晶超导薄膜 ,采用光刻技术在晶界上刻出了两种不同尺寸的双晶晶界结 ,在液氮温度下观测了结的直流 I-V特性 ,用 1 0 GHz微波辐照双晶结结区 ,观察到了结临界电流的压缩和 Shapiro台阶 ,表明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为。用上述双晶结进行光探测 ,用波长为 0 .63 2 8μm的 He-Ne激光器辐照结区 ,系统的观测了其光响应特性 ,结果如下 :噪声等效功率 NEP =1 .9× 1 0 - 1 3W,归一化探测率 D*=5.3× 1 0 9cm Hz12 W- 1 ,响应率 Rv =4 .2× 1 0 7V/W,响应时间 τ<6.3 5× 1 0 - 7s     

介质谐振器法测量高温超导薄膜微波表面电阻的误差分析

用微扰法研究了两端接地型蓝宝石介质谐振器测量高温超导薄膜微波表面电阻R_S的误差与几何结构和工作频率的关系.结果表明,介质柱直径与高度之比2a/L,金属屏蔽腔内半径与介质柱半径之比b/a以及工作频率f对测量误差和最小可测表面电阻R_smin有很大影响.所得到的曲线可用于蓝宝石介质谐振器的设计中.结果还表明,适当选取2a/L,b/a与f可使测量误差接近于1%,最小可测表面电阻R_smin可达到微欧姆的数量级.这对于高温超导薄膜的检测和微波器件应用说 关键词： 介质谐振器 高温超导薄膜 微波表面电阻 误差分析     

庐山石韦中总黄酮的提取工艺研究

优选庐山石韦中总黄酮类化合物的提取工艺.以芦丁为对照品,就微波提取法、碱提酸析法、丙酮提取法、乙醇提取法对庐山石韦中总黄酮类化合物的提取效果进行了比较,并采用正交试验,以提取物中总黄酮得率为指标进行试验.优选出庐山石韦中总黄酮类化合物的最佳提取工艺为20倍量的55%乙醇溶液在80℃条件下浸提5 h.总黄酮的得率为5.91%.该提取工艺可行.提取率高.     

Mo/Si体系的离子束混合机制研究

本文采用卢瑟福背散射(RBS)分析技术详细测量了Mo/Si体系在Ar⁺和Xe⁷⁺离子束轰击下界面混合和反应随温度、剂量和剂量率的依赖关系。得到了许多新的结果。结果表明,以前的空位扩散机制、单级联间隙原子扩散机制和热峰模型都不能解释Mo/Si体系的离子束混合。我们结合固体扩散理论提出了间隙原子扩散和反应机制,圆满地解释了实验结果。 关键词：