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1.
研究了CeO_2陶瓷室温下低频和射频的介电谱,并给出了介电常数和介质损耗及其与温度的关系。测量结果表明,此种陶瓷存在弛豫极化,其偶极子的弛豫时间约为5×10~(-9)S。在330℃以下,CeO_2陶瓷的介电常数和介质损耗具有良好的温度特性。在室温下,CeO_2陶瓷在500kHz~50MHz频率范围内具有良好的介电特性。  相似文献   
2.
LaxBa1—xCoO3系导电陶瓷导电性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
对LaxBa1-xCoO导电陶瓷的导电性及其导电机制进行了研究,在x=0.5mol处,导电陶瓷具有金属态导是性,在La0.5Ba0.5CoO3陶瓷中,存在着氧缺位和导电电子,并且此种导电陶瓷具有较高的电子和氧离子混合导电特性。  相似文献   
3.
研究了BaPbO3-Nd2O3系陶瓷的导电性,研究表明,此系统陶瓷的导电载流子是氧缺位中存在的施主电子;添加适量的Nd2O3,可以改善BaPbO3陶瓷的导电性和PTC特性  相似文献   
4.
LaFe1-xNixO3-δ系陶瓷导电性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用标准的固相反应法制得LaFe1-xNixO3-δ系陶瓷,用双臂电桥原理、四探针法对材料的电阻率进行测试。结果表明,LaFe1-xNixO3-δ系陶瓷在0.6〈x〈0.8范围具有金属态导电性,在该系材料中,存在着氧缺位和导电电子,因此具有较高的电子和氧离子混合导电性。制造工艺与氧缺位密切相关,适当提高烧结温度可使室温电阻率降低。温温实验证明,在120K附近材料存在一相变过程。  相似文献   
5.
La0.67Ba0.33MnO3中Bi掺杂产生的低场磁电阻增强效应   总被引:5,自引:1,他引:4  
将Bi2O3掺杂到溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中, 结果发现随着Bi的掺杂, 材料的磁化强度和居里温度基本不变, 但电阻率发生明显变化, 在0~10% (摩尔分数)的掺杂范围内, 电阻率先急速上升后缓慢降低. 掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强, 但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻; 掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强.  相似文献   
6.
7.
Nd2O3改性PbTiO3陶瓷性能的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
通过添加少量的Nd2O3可以改善PbTiO3陶瓷的性能。这种性能的改善是与用Nd2O3改性的PbTiO3陶瓷的显微结构物导电机制密切相关的。本文研究了Nd2O3改性的PbTiO3陶瓷的性能参数。  相似文献   
8.
在La0.67Ca0.33MnO3中用Dy对La进行了部分替代.结果表明, 随替代量增加, 材料的居里温度和相变温度单调下降, 磁电阻比急剧增大.这些变化可以用稀土离子平均直径的减小和自旋团簇模型来解释.掺Dy使材料中形成大量无序自旋团簇, 外加磁场使自旋团簇取向一致, 从而增加了电子在团簇之间跳跃时的迁移率, 产生了磁场所致的庞磁电阻效应.  相似文献   
9.
La0.5-xNdxBa0.5CoO3化合物的磁性和输运特性   总被引:8,自引:4,他引:4  
在La0.5-xNdxBa0.5CoO3化合物中用Nd对La进行了替代研究,结果表明,Nd的掺入未改变Co3d电子的巡游性。随Nd含量增大,材料的分子磁矩单调下降,当Nd含量大于或等于0.45时,材料中出现了磁性相分离,当x≤0.45时,随Nd含量增加,材料的居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应。电阻测量表明,在所研究的温度范围内,在居里点以下,材料属热扩散导电,在居里点以上属极化子的变程跳跃导电。  相似文献   
10.
BaPbO3—Nd2O3系陶瓷导电性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了BaPbO3-Nd2O3系陶瓷的导电性。研究表明,此系统陶瓷的导电载流子是氧缺位中存在的施主电子;添加适量的Nd2O3,可以改善BaPbO3陶瓷的导电性和PTC特性。  相似文献   
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