纳米SiO2/HPAM/SDS分散体系稳定性的改进及其对驱油性能的影响

分析了60℃、1. 0×104mg/L氯化钠盐水和模拟地层水中纳米SiO2/HPAM/SDS分散体系的浊度实验及Zeta电位,发现Ca2+、Mg2+离子是体系失去稳定性的主要原因。根据沉降实验及Zeta电位分析仪探讨了降低p H值和添加络合剂对模拟地层水中纳米SiO2/HPAM/SDS体系稳定性的改善效果及机理,同时利用流变仪及界面张力仪分析了两种方法对体系驱油性能的影响。结果表明,p H值降低,体系的Zeta电位绝对值降低,但SiO2周围H+保护层的形成及水化作用力的增强改善了体系的稳定性;络合剂Na2EDTA、ATM P和Na4EDTA均能增强体系的稳定性,Na2EDTA和ATM P络合Ca2+、Mg2+的同时降低了体系的p H值,而体系的黏度随p H值的降低急剧下降; Na4EDTA加入后,体系的p H值增大,稳定配位化合物的形成使体系的Zeta电位绝对值、黏度、储能模量和损耗模量增加,降低界面张力的能力增强。因此,在SiO2质量分数为0. 5%的体系中加入质量分数为0. 4%的Na4EDTA(最佳质量分数),采收率提高了3. 1%。     

钙镁硅酸盐溶度积常数的测定

借助高频等离子体发射光谱分别测定了一定温度下钙镁硅酸盐(CaO.mSiO2、MgO.mSiO2,其中m为模数)饱和溶液中Ca2 、Mg2 的平衡浓度,从而计算该温度下钙镁硅酸盐的溶度积常数,并研究了温度及水玻璃模数对钙镁硅酸盐溶度积常数的影响。结果表明,在同一温度下钙硅酸盐溶度积常数比镁硅酸盐溶度积常数小,在30℃下,水玻璃模数m为3.29时,钙硅酸盐的溶度积常数为1.14×10-8,而镁硅酸盐的溶度积常数为2.29×10-5;随着温度升高钙镁硅酸盐溶度积常数减小,当温度升高至90℃时,钙硅酸盐的溶度积常数减小至0.92×10-8,而镁硅酸盐的溶度积常数减小至1.68×10-5;在同一温度下随着水玻璃模数的增加,与其对应钙镁硅酸盐溶度积常数减小,由于模数的增加使沉淀中硅酸根离子直径变大,与钙镁离子反应生成钙镁硅酸盐晶体更易于沉淀,且更不易溶解,从而使钙镁硅酸盐的溶度积常数减小。     

单空位缺陷对二维δ-InSe稳定性的影响

二维InSe半导体材料由于其优异的电学性能以及适中可调的带隙等优点,引起了研究者的关注.材料中的空位缺陷不仅影响材料的光电学特性,还影响材料的环境稳定性.相比于InSe材料中的其他相, δ-InSe具有更优异的材料性能,然而关于对该材料环境稳定性影响的研究未见报道.本文基于密度泛函理论,系统研究了O₂环境下二维δ-InSe材料的稳定性问题.结果表明:1)在O₂环境下,完美δ-InSe表面具有良好的惰性和稳定性, O₂分子在其表面从物理吸附到解离吸附需要克服1.827 eV的势垒; 2) Se空位(V_Se)的存在则会促进δ-InSe的氧化反应,被氧化的过程仅需克服0.044 eV的势垒,说明V_Se的存在使δ-InSe在O₂环境下的稳定性显著下降,此外被O₂分子氧化的δ-InSe单层有利于H₂O分子的解离吸附; 3)含有In空位(V_In)的δ-InSe被氧化的速率较慢, O₂     

Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响

In Se作为一种典型的二维层状半导体材料,具有优异的电学性能以及适中可调的带隙,在光电器件中表现出诱人的应用前景.然而有研究表明,单硒空位(Vse)体系的In Se易受O₂分子影响,造成In Se材料降解,严重影响其在电子器件领域的应用.本文基于In Se降解机理,提出了碲(Te)替位掺杂的方法,用于提升该材料的环境稳定性.利用密度泛函理论对不同体系电子结构、吸附能、能量反应路径等进行分析,发现Te掺杂不仅显著改善缺陷引起的In Se降解问题,同时可消除Vse产生的缺陷态,起到缺陷补偿作用.具体研究结果如下:1) O₂分子在Te掺杂In Se表面(In Se-Te)的解离能垒高达2.67 e V,说明其具有较强的抗氧化能力;2) O₂分子在In Se-Te表面保持3.87?的距离,吸附能仅有–0.03 e V,表明O₂分子物理吸附在其单层表面;3) Te掺杂不仅提升材料抗氧化能力,同时还消除了Vse产生的缺陷态.该研究结果将有助于进一步提升In Se二维材料器件的环境稳定性,推动In Se二维器件...     

纳米SiO2/HPAM/NaCl分散体系的稳定性、流变性及驱油性能研究

利用纳米粒度及Zeta电位分析仪、流变仪和悬滴法对纳米SiO_2/HPAM/NaCl体系60℃的稳定性、流变性及油水界面张力进行了研究。结果表明,HPAM的加入使SiO_2悬浮液的Zeta电位更负、粒径明显增加,静置10 d无明显浑浊现象。加入纳米SiO_2后,HPAM溶液的黏度增加,耐温、耐盐和耐剪切性能得到改善。对于质量分数为0.18%的HPAM溶液,SiO_2质量分数小于0.5%时,随SiO_2质量分数的增加,体系的黏度、储能模量和损耗模量增加,临界线性应变减小,蠕变回复能力增强;SiO_2质量分数大于0.5%时,出现了相反的现象;这是因为SiO_2质量分数不同时,HPAM在SiO_2表面的吸附量、吸附构型及两者之间形成的网状结构不同。纳米SiO_2的加入同时强化了HPAM降低油水界面张力的性能,加入质量分数为0.2%和0.5%的SiO_2后,HPAM的采收率分别提高了4.5%和6.0%。     

十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯的水解稳定性

十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯的水解稳定性王业飞＊赵福麟（石油大学采油化学研究室东营２５７０６２）关键词十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯，水解，动力学１９９７－１２－０２收稿，１９９８－０３－１６修回烷基聚氧乙烯醚磷酸酯（ＡＥＰ）和烷基聚氧乙烯醚硫酸酯（ＡＥＳ）由...     

离子液体用作除硫酸钡垢剂的探讨

通过用不同性质的离子液体(1 L)除硫酸钡垢,考察了离子液体的离子类型、温度、垢尺寸对除硫酸钡垢效果的影响. 结果表明,离子液体(CH2CH3)3NHAl2Cl7具有较好溶解硫酸钡的能力,且溶解速率相对较快;随着温度的升高,垢尺寸的减小,除硫酸钡垢效果明显提高(温度由60 ℃升高至70 ℃,垢尺寸由600～1 000 μm减小至100～200 μm,420 min时1 L (CH2CH3)3NHAl2Cl7的除垢率由5.00%增大到31.6%). 离子液体中的阳离子和阴离子类型对除垢效果亦有很大影响,极性大的亲水性离子液体(CH2CH3)3NHAl2Cl7除硫酸钡垢效果远远大于非极性大的疏水性离子液体[BMIM]PF6(同一条件下,(CH2CH3)3NHAl2Cl7的除垢率为22.45%,而[BMIM]PF6仅为0.47%);同时,离子液体(CH2CH3)3NHAl2Cl7除碳酸钙垢效果也比较明显,而除硫酸钙垢效果较差.     

氧乙烯化十二醇醚丙撑磺酸钠合成及表面活性

使用丙烷磺内酯合成了十二烷基氧丙撑磺酸钠、一氧乙烯化和二氧乙烯化十二醇醚丙撑磺酸钠,并用元素分析和核磁共振对其进行了结构鉴定.研究了增加氧乙烯基团后表面活性剂的表面张力、临界胶束浓度、Krafft点及表面分子最小平均面积Amin的变化.