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1.
针对目前电能表制造企业在应用条形码作为信息获取方式在实际生产中带来的问题,且现有RFID标签无法满足电能表制造实际应用需求,提出将PCB集成化RFID标签引入到电能表的生产制造中。根据制造企业面临的问题给出了制造系统的具体功能结构,结合PCB集成化RFID阐述了智能化制造系统的应用流程,并对其中PCB集成化RFID标签天线的设计给出了介绍。根据试点应用证明该系统能够提高流水线信息获取效率,减小出错的概率,实现了电能表制造企业生产制造的透明化与后台信息管理的透明化。  相似文献   
2.
采用流动注射-石英晶体微天平(FIA-QCM)和紫外光谱法研究了牛/羊血清蛋白(BSA和GSA)与扁桃酸的手性识别。在QCM表面,BSA和GSA的浓度分别为4.9×10-12和8.8×10-12mol/cm2。血清蛋白与R-扁桃酸(R-MA)作用引起QCM振动频率变化值比S-扁桃酸(S-MA)大;相应紫外结合常数也比与S-MA大,说明血清蛋白对R-MA的作用强于与S-对映体。从识别因子分析,GSA对扁桃酸的手性识别能力优于BSA。  相似文献   
3.
周耐根  洪涛  周浪 《物理学报》2012,61(2):28101-028101
运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM 势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、 Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点(4250 K)比Tersoff势(4750 K) 的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM 作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点(3338 K)低于Tersoff势SiC的热力学熔点 (3430 K)的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关, 过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长. 综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.  相似文献   
4.
发射方向调制信号的多波束调制技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了使单天线接收机通过接收解调信号能实现通信和方向测量功能,提出了一种多波束调制的概念.它利用双波束或多波束的空间特性来实现数字调制和方向调制.设计了一个六元线天线发射阵列,将中间的四元天线两两成对激励,形成双波束,用双波束调制实现数字通信和方向粗测,然后对大间距的二元天线用不同的相差激励,形成有错位的多波束,用多波束调制实现数字通信和方向精测.仿真结果表明这种多波束调制实现了在调制信号设计层面上的数字通信与测向的深度综合.  相似文献   
5.
张鹏翔  洪涛  曹克定 《物理学报》1986,35(8):1072-1076
用激发磁波的方式在面内磁化的外延YIG膜上得到了一组等间距、慢衰减的磁模。考虑到磁化强度在模内不均匀性及进动为椭圆进动,导出了模式间距和磁性参数间的关系。和实验比较可以推算出表征不均匀的参数。对于我们的样品,该不均匀性约为2.6—5.8%。 关键词:  相似文献   
6.
研究了北京谱仪(BES)Ⅱ带电径迹测量误差矩阵的修正,使运动学拟合TELESIS方法在BESⅡ物理数据分析中得到应用.1)在BESⅡ数据重建程序中,加入了适当的MDC重建单丝分辨率(250μm)和Q修正.2)在TELESIS程序中,放入了BESⅡ有效物质量对BESⅡ误差矩阵进行多次库仑散射和dE/dX能损效应的修正.3)在此基础上,通过J/ψ→μ+μ的数据样本分析,完成了BESⅡ24×106J/ψ事例RUN-by-RUN的误差矩阵刻度,同时对BESⅡMC数据也作了相应的刻度.经上述误差矩阵修正后,BESⅡ的TELESIS可以较好地满足BESⅡ数据分析工作的要求.  相似文献   
7.
目前,已建立的绝大多数炉内三维数值模拟都以颗粒轨道模型为基础。颗粒相连续介质模型已成功地应用于模拟气固两相射流及煤粉燃烧室内的三维气固两相流动。本文将它应用于四角喷燃炉膛内流动的模拟,作为炉内粉煤燃烧全过程数值模拟的第一步。  相似文献   
8.
A virtual optical probe based on evanescent wave interference   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
孙利群  王佳  洪涛  田芊 《中国物理》2002,11(10):1022-1027
A virtual probe is a novel immaterial tip based on the near-field evanescent wave interference and small aperture diffraction, which can be used in near-field high-density optical data storage, nano-lithography, near-field optical imaging and spectral detection, near-field optical manipulation of nano-scale specimen, etc. In this paper, the formation mechanism of the virtual probe is analysed, the evanescent wave interference discussed theoretically, and the sidelobe suppression by small aperture is simulated by the three-dimensional finite-difference time-domain method. The simulation results of the optical distribution of the near-field virtual probe reveal that the transmission efficiency of the virtual probe is 102-104 times higher than that of the nano-aperture metal-coated fibre probe widely used in near-field optical systems. The full width at half maximum of the peak, in other words, the size of virtual probe, is constant whatever the distance in a certain range so that the critical nano-separation control in the near-field system can be relaxed. We give an example of the application of the virtual probe in ultrahigh-density optical data storage.  相似文献   
9.
有效核势(ECP)方法是计算含有过渡金属体系的电子结构及物理性质的有效方法. 本文比较了一系列典型的ECP基组对计算含过渡金属体系非线性光学性质精度的影响. 分别在HF, MP2和DFT理论水平上对过渡金属元素使用不同的ECP基组, 计算了几个过渡金属有机化合物的静态一阶超极化率β0. 研究结果表明: 使用有效核势计算含过渡金属体系时, 核电子的选取是提高计算精度的前提, ns和np电子应该和nd电子一同作为价电子处理; 对于重原子, 必须考虑自旋-轨道耦合相对论效应. 经过综合评估, 认为使用Stuttgart/Dresden赝势的ECP基组, MHF, 在计算含有过渡金属体系非线性光学性质方面是比较好的基组; Stuttgart RSC 1997和SBKJC VDZ相对而言是较好的基组; 基组Lanl2dz, Hay-Wadt MB (n+1)和Hay-Wadt VDZ (n+1)由于没有考虑自旋-轨道耦合, 计算精确度次之; 而基组CRENBL和CRENBS计算的偏差要大一些, 尤其是CRENBS基组由于价电子选择得太少而导致与实验值的偏差最大.  相似文献   
10.
纤维素超临界水预处理与水解研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用超临界水解工艺进行生物质废弃物(秸秆)能源转化, 使其主要成分纤维素在超临界水中快速水解为低聚糖, 为其进一步葡萄糖转化和乙醇发酵解决技术瓶颈. 其中纤维素在超临界水中的溶解是预处理与水解过程的限速步骤. 研究表明, 反应温度达到380 ℃及以上时, 纤维素可迅速溶解并进行水解, 液化比例可达100%; 在374~386 ℃范围内反应温度对纤维素的转化率有明显作用, 低聚糖和六碳糖的总产率在临界点附近出现最大值. 超临界条件下, 低聚糖和六碳糖转化率在较短反应时间内出现峰值, 而后随反应时间的延长快速下降, 固液比对于纤维素的低聚糖和六碳糖转化也有显著影响. 最优水解条件研究显示, 在380 ℃, 40 mg纤维素/2.5 mL水条件下反应16 s可获得最大的低聚糖产率, 为29.3%, 在380 ℃, 80 mg纤维素/2.5 mL水条件下反应18 s可获得最大的六碳糖产率, 为39.2%.  相似文献   
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