低温等离子体在刻蚀和无机合成上的应用

等离子体化学发展二十多年来,在化学的许多领域里取得了重大进展。由于等离子体化学反应有许多优于普通化学反应的特点,所以引起了化学界的普遍重视。本文对低温等离子体在刻蚀和无机合成上的应用做一简略介绍。     

CdO—SnO2复合氧化物的组成与性能

通过控制共沉淀时溶液中Ｃｄ／Ｓｎ摩尔比的方法，合成了物相组成不同的ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物粉料，探讨了相组成与材料电导及气敏性能之间的关系。     

气敏半导体材料Cd2Sb2O6.8的制备及其性能研究

采用共沉淀法，在较低温度下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２ｓＢ２ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气第敏性能的影响，并对其反应过程机进行了探讨。     

SbxSn1-xO2固溶体系电学性能与导电机制研究

本文报道以均匀共沉淀法制得Sb_xSn_1-xO₂体系半导体气敏材料,研究了固溶体组成与电导的变化规律,并对导电机制进行了讨论。结果表明:x<0.30时均可生成固溶体。微量Sb(x=0.04)的掺入即能提高SnO₂电导一个数量级,在x≤0.04区间电导都呈上升趋势,其后一直到固溶范围内随着X增加,电导反而缓慢下降。根据体系中存在的Sb°_Sn和Sb′_Sn两种缺陷,讨论了其电导变化和导电机制。认为平衡Sb°_Sn+2e′=Sb′_Sn对上述导电机制起决定作用。XPS分析对Sb⁵⁺、Sb³⁺的含量进行了确认,交流阻抗谱的测试结果从另一角度对电导行为加以证实。     

等离子体化学气相淀积法生长Y2O3薄膜

采用等离子体激活的化学气相淀积装置系统,以钇的β-二酮类螯合物(Y(DPM)_3)为源物质,于低温低压等离子体条件下,在单晶硅、兰宝石和石英玻璃衬底上生长了Y_2O_3薄膜。对生长层进行形貌观察、表面组成分析、X-射线衍射结构分析和光学性能测试。结果表明,淀积层形貌和结构与衬底性质有关。Y_2O_3生长层与单晶硅和兰宝石衬底存在确定的外延关系,在无定形石英玻璃衬底上的生长层则是附着良好的非晶态膜。     

α－Fe_2O_3／SnO_2气敏薄膜的结构与性质

α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３／ＳｎＯ＿２气敏薄膜的结构与性质娄向东，杨秀清，李靖华，沈荷生，沈瑜生（河南师范大学化学系新乡４５３００２）（中国科学技术大学材料科学与工程系合肥）关键词α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＳｎＯ＿２，双层膜，气敏性能α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３具有刚玉结构...     

ZnSnO3陶瓷材料气敏特性与导电机理

Ｘ－射线光电子光谱（ＸＰＳ）分析表明，在２５～３００℃时，ＺｎＳｎＯ３的表面存在及Ｏ￣－两种吸附氧，且随工作温度的增加，逐渐转变成Ｏ￣－或Ｏ￣（２－）。ＺｎＳｎＯ＿３周表面电阻控制型气敏材料，氧的吸附活化能为０．５２ｅＶ。ＺｎｓｎＯ＿３基元件对各种还原性气体都有一定气敏效应，它对乙醇比汽油的分辨率高５倍以上。     

固溶体α－（Fe_（1－x）Sb_x）_2O_3（0≤x≤0．2）气敏材料

用化学共沉淀法在ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，中掺入锑离子，Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）分析证实，锑离子可固溶于ｎ型半导体ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３中形成ａ－（Ｆｅ＿１－ｘＳｂ＿ｘ）＿２Ｏ＿３（０《ｘ《０．２）固溶体。由于锑离子（Ｓｂ￣５＋）部分取代ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３晶格中Ｆｅ￣３＋的格位，使得该系列材料的电导值增大一个数量级以上，气敏性能明显改善。     

Sol-Gel法制备钙钛矿型复合氧化物YFeO~3气敏材料

用溶胶-凝胶法制备了YFeO~3气敏材料,并对其制备条件,导电行为和气敏效应作了系统研究,结果表明：铁钇物质的量之比n(Fe^3^+):n(Y^3^+)=1:1,800℃下热处理2h可得纯相钙钛矿型复合氧化物YFeO~3;电导测量显示,该材料呈p型半导体导电行为。2h预烧凝胶粉在800℃下热处理3h所得微粉制作的元件的电导突变温度为400℃,对乙醇有较高的灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒敏传感器。     

CdO－SnO_2复合氧化物的组成与性能

通过控制共沉淀时溶液中Ｃｄ／Ｓｎ摩尔比的方法，合成了物相组成不同的ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物粉料，探讨了相组成与材料电导及气敏性能之间的关系。