退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.     

Structural and physical properties of BiFeO3 thin films epitaxially grown on SrTiO3（001） and polar（111） surfaces

The influence of surface polarity on the structural properties of BiFeO3 （BFO） thin films is investigated. BFO thin films are epitaxially grown on SrTiO3 （STO） （100） and polar （111） surfaces by oxygen plasma-assisted molecular beam epitaxy. It is shown that the crystal structure, surface morphology, and defect states of BFO films grown on STO substrates with nonpolar （001） or polar （111） surfaces perform very differently. BFO/STO （001）is a fully strained tetragonal phase with orientation relationship （001）[100]BFOII（001）[100]STO, while BFO/STO （111） is a rhombohedral phase. BFO/STO （111） has rougher surface morphology and less defect states, which results in reduced leakage current and lower dielectric loss. Moreover, BFO films on both STO （001） and STO （111） are direct band oxides with similar band gaps of 2.65 eV and 2.67 eV, respectively.     

边界条件与一维高分子系统的稳定性

讨论了SSH模型在一维有限系统上的稳定性，提出了几种稳定边界的办法，并对边界条件的作用进行了分析讨论 关键词：     

Nd2Fe14B化合物磁晶各向异性起源的理论研究

本文根据Nd₂Fe₁₄B化合物中存有少量巡游电子的基本实验事实,提出了在Nd₂Fe₁₄B中配位子所产生的晶场和巡游电子所产生的电场共同造成了Nd离子磁晶各向异性的理论模型。提出并解决了计算巡游电子同中心Nd离子相互作用的理论方法。在同时考虑Nd离子所受配位子的晶场和巡游电子的电场的作用情况下,用单离子模型计算了Nd₂Fe₁₄B中Nd离子所产生的磁晶各向异性及其随温度的变化。所 关键词：     

LJ团簇和H2O团簇的局域优化计算

将传统分子动力学方法中时间积分步长定义成粒子的最大加速度、最大速度和变化的最大允许空间步长的函数，并给出了空间步长的确定方法，作为对这个算法有效性的检验，计算了较小Lennard—Jones团簇和H2O团簇的稳定结构，发现了新的（H2O）13的最小能结构。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子Massbauer谱

采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,Mossbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。     

α-Fe_2O_3单离子磁晶各向异性的计算及Morin转变的解释

本文根据晶场理论计算了α-Fe_2O_3的单离子磁晶各向异性。采用点电荷模型,计及近邻及次近邻对晶场的贡献,并考虑到近邻O~(2-)离子对次近邻Fe~(3+)离子的电屏蔽效应,在六级微扰近似下,得到单离子各向异性场H_(si)=102.3×10~2Oe。这一结果结合Artman等人对磁偶极各向异性的计算,导出了α-Fe_2O_3的Morin转变温度T_M=261K,与实验很好地符合。对于低浓度掺杂的α-(Fe_(1-n)Al_n)_2O_3采用线性近似原理,得出了Morin转变温度随n的变化关系。这一结果不但解释了现有的实验事实,而且预示了Morin转变温度随n变化的规律。     

掺杂聚乙炔中的孤子振动定域模

在SSH模型基础上,本文研究了掺杂聚乙炔链中杂质势对孤子振动模的束缚影响。不同边界条件下的数值计算发现Goldstone模将受到杂质钉扎并出现两个新的定域模g₁′和g₂′。另外,还得到了其它已知的定域模g₂,g₃和g₅,这些定域模随杂质势的敏感程度各有不同,在所取参数下取得了与实验基本一致的结果。 关键词：     

硼离子注入多晶铁薄膜的非晶化作用的研究

不同剂量的硼离子注入的多晶铁薄膜的磁导率随注入剂量增加呈现非单调上升,其⁵⁷Fe转换电子穆斯堡尔谱显示了非晶态合金的生成,结果支持临界缺陷密度非晶化模型。 关键词：