聚乙二醇类表面活性剂对硅表面无电沉积Ag膜光滑作用研究

应用原子力显微镜技术及开路电位－时间谱技术，研究了非子表面活性剂聚乙二醇2000，6000，20000对硅（100）表面电沉积银膜的光滑作用，实验表明硅（100）表面无电沉积银的光滑程度以及镀层的质量均随聚乙二醇聚合度的增加而变好。     

Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积

研究了Pd在氢终止的p型单晶硅(100)表面的自催化化学沉积(AED). 在室温下将刻蚀过的硅片浸入常规的HF-PdCl2-HCl溶液制备了Pd膜. 将沉积了Pd的基底作为工作电极, 用循环伏安法(CV)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Pd膜的阳极溶出行为和形貌. 结果表明, Pd的生长遵循Volmer-Weber (VW)生长模式, Pd膜给出了很好的支持.     

铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究

在具有催化还原活性的金电极表面,以水合肼为还原剂,在pH10.5酒石酸钾钠溶液中,通过化学镀方法,选择性地在金电极表面沉积了单层结构的铜膜。用开路电位时间谱技术(Op～t)、循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)表征了该溶液还原法对铜进行选择性富集的机理和效果。证明在多种金属离子共存的复杂溶液体系中,可以避免其它离子的干扰,使铜选择性地富集到金电极表面。化学镀浴中富集到金电极表面的单层铜膜溶出电流与Cu2+的浓度在3×10-6～1×10-4mol/L范围内呈线性关系。该法已用于矿样中铜的还原富集、分离和测定,分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP/AES)作了比较,结果满意。