航空超短波通信链路余量分析系统设计

为分析飞行器位置、姿态和工作频率对航空超短波通信链路性能的影响,构建了航空超短波通信链路模型,利用FEKO7.0电磁仿真软件计算了机载天线与飞行器一体化电磁辐射特性,基于MATLAB软件设计了系统的主程序,系统主程序通过调用天线的辐射特性数据,结合飞行器的位置、速度和姿态变化,可计算出通信双方之间的天线极化衰减和空间衰减等数据,分析了飞行器在相应状态下航空超短波通信链路性能的数值变化,具有较强的实用性。     

锌掺杂对TiO2染料敏化电池光阳极中电荷俘获态分布及电子复合过程的影响

基于瞬态光电压和瞬态光电流技术研究了锌掺杂的TiO2染料敏化太阳能电池中电子复合及传输的动力学行为.通过实验获得了不同阳极掺杂条件下的电子复合时间常数与电子收集时间常数,考察了锌掺杂对电池阳极材料导带能级和电子俘获态的影响.研究结果表明,锌的掺杂在提高TiO2导带能级的同时延长了俘获态电子的复合时间常数,从而大大提高了电池的开路电压.     

吸附钌吡啶类配合物染料分子对氧化多孔硅光致 发光性质的影响

化学氧化多孔硅经cis-Ru(bpy)~2(CN)~2的乙醇溶液浸泡后,发光峰位红移,强度减弱,激发态寿命缩短。而在trans-Ru(py)~4(CN)~2溶液中浸泡的氧化多孔硅的发光峰位,强度和寿命几乎没有变化。对比两个染料分子的氧化还原电位和光吸收性质得出：与trans-Ru(py)~4(CN)~2相比,cis-Ru(bpy)~2(CN)~2有一个与多孔硅发光能量接近的低能级吸收带,使得多孔硅纳米粒子向该染料分子传递能量成为可能,能量传递的发生引起了发光峰位的红移和激发态寿命的缩短,虽然伴随着发光效率的损耗,但对有目的地选择染料分子来改变多孔硅的发光峰位和获得激发态寿命尽可能小的多孔硅提供了思路,也为深入理解多孔硅的光致发光机制提供了更多的实验事实。     

Controlling growth of aligned carbon nanotubes from porous silicon templates

Fabricating well-aligned carbon nanotubes, especially, on a silicon substrate is very important for their applications. In this paper, an aligned carbon nanotube array has been prepared by pyrolysis of hydrocarbons catalyzed by nickel nanoparticles embedded in porous silicon (PS) templates. High-magnification transmission electron microscopy images confirm that the nanotubes are well graphitized. The PS substrates with pore sizes between 10 and 100 nm play a control role on the growth of carbon nanotubes and the diameters of the tubes increase with the enlargement of the pores of the substrates. However, such a control role cannot be found in the macro-PS substrates.     

阳极氧化与超临界干燥结合制备多孔硅

多孔硅（PS）在室温下发射强可见光，这一发现在国际上引起极大关注，成为材料科学、半导体物理和化学以及信息科学领域研究的热点［1，2］．最近三、四年，国内外对PS制备工艺、影响PS发光的因素、PS发光机制、PS应用前景等方面进行了广泛的研究［2］，但有一些基本问题仍待解决，如关于PS发光机制尚存在分歧；PS电致发光效率低，离应用差距甚远；高多孔度PS微孔结构不稳定等．PS微孔内溶剂蒸发过程中，由于毛细管张力的存在，造成微孔骨架受力不匀．强的应力使PS骨架脆弱，甚至微孔结构坍缩，从而导致PS结构不稳定．对于高多孔度…     

高多孔度多孔硅自支撑膜的制备与表征

发光多孔硅由于在光电子学方面的应用前景而引起人们极大的关注[1]．最近多孔硅发光二极管的研究方面取得了重大进展[2]。但是，有关多孔硅的发光机制仍然存在着争论[1，3，4]，利由于消除了单晶硅衬底的影响，对脱离了硅衬底的多孔硅自支撑膜能够进行普通多孔硅所不能进行的一     

钙－亚硫酰氯电池的研究

应用交流阻抗、恒电流、ＳＥＭ等方法，研究了Ｃａ－ＳＯＣｌ２电池中ＣａＣｌ２（ＳＥＩ）膜的性质；不同电解质和添加剂对电极性能的影响．结果表明，ＣａＣｌ２ＳＥＩ膜在阳极反应时电阻下降。ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２可改变ＣａＣｌ２沉积形态，提高阴极性能．组装的Ｃａ－ＳＯＣｌ２电池可高速率放电，在５０ｍＡ·ｃｍ－２的条件下，达到１７．５ｍＡｈ·ｃｍ－２。     

检测痕量Hg~(2+)的DNA电化学生物传感器

通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富T序列DNA分子(DNA-Fc)固定在金电极表面,得到了一种基于DNA修饰电极的电化学汞离子(Hg2+)传感器.当溶液中有Hg2+存在时,Hg2+可与修饰电极上DNA的T碱基发生较强的特异结合,形成T-Hg2+-T发卡结构,使DNA分子构象发生改变,其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面,电化学响应随之发生变化.示差脉冲伏安法(DPV)结果显示:DNA末端二茂铁基团的还原峰在0.26V(vs饱和甘汞电极(SCE))附近,峰电流随溶液中Hg2+浓度的增加而降低;Hg2+浓度范围在0.1nmol·L-1-1μmol·L-1时,电流相对变化率与Hg2+浓度的对数呈现良好的线性关系.该修饰电极对Hg2+的检测限为0.1nmol·L-1,可作为痕量Hg2+检测的电化学生物传感器.干扰实验也表明,该传感器对Hg2+具有良好的特异性与灵敏度.     

激光珩磨专用机床的运动控制研究

 以发动机气缸/活塞环摩擦副为具体研究对象,研制了一种新型激光珩磨设备。由于发动机汽缸套载重大,且形状不规则,故设备采用激光头既旋转又直线运动的运动方案。该设备在移动轴和转轴中分别安装有高精度光栅尺和高精度增量旋转编码器以提高运动控制系统的精度。为了使微凹腔沿圆周均匀分布,采用了小数分频原理,能够实现任意小数分频。通过对运动控制卡与自制的调Q控制卡的软件编程,实现了运动控制系统与激光系统的协同控制,用以在气缸表面加工出特定的微观形貌。加工方法采用的是“单脉冲同点间隔多次”的激光微加工新方法。利用该方法能够方便地加工出微观或宏观的形貌且能显著地减少激光加工所带来的负面热效应。     

Characteristics of dual-frequency capacitively coupled SF_6/O_2 plasma and plasma texturing of multi-crystalline silicon

Due to it being environmentally friendly, much attention has been paid to the dry plasma texturing technique serving as an alternative candidate for multicrystalline silicon(mc-Si) surface texturing. In this paper, capacitively coupled plasma(CCP) driven by a dual frequency(DF) of 40.68 MHz and 13.56 MHz is first used for plasma texturing of mc-Si with SF6/O2gas mixture. Using a hairpin resonant probe and optical emission techniques, DF-CCP characteristics and their influence on mc-silicon surface plasma texturing are investigated at different flow rate ratios, pressures, and radio-frequency(RF)input powers. Experimental results show that suitable plasma texturing of mc-silicon occurs only in a narrow range of plasma parameters, where electron density n9e must be larger than 6.3 × 10cm-3and the spectral intensity ratio of the F atom to that of the O atom([F]/[O]) in the plasma must be between 0.8 and 0.3. Out of this range, no cone-like structure is formed on the mc-silicon surface. In our experiments, the lowest reflectance of about 7.3% for mc-silicon surface texturing is obtained at an [F]/[O] of 0.5 and ne of 6.9 × 109cm-3.