C/C-SiC复合材料的制备及其湿式摩擦磨损性能研究

采用T700炭纤维针刺毡,经超声振动渗硅、化学气相沉积(CVD)、硅化处理及液相浸渍/炭化新工艺制备SiC呈"岛状"分布的C/C-SiC复合材料,利用偏光显微镜和扫描电子显微镜观察其微观组织结构并分析其形成机制,在MM-1000型湿式摩擦磨损试验机上研究C/C-SiC复合材料的摩擦磨损性能.结果表明:在初始转速恒定的条件下,动摩擦系数随制动比压的增加而逐渐减小;当制动比压恒定时,摩擦系数随初始转速的增加呈现出先增大而后降低的趋势;在本文试验条件下,摩擦系数稳定在0.088～0.126之间;在300次磨损试验后,其磨损量检测值为0.     

用电子自旋共振波谱研究ZnS:Mn结构相变的对数直线法

本文提出用电子自旋共振(ESR)波谱的对数直线法确定ZnS:Mn的结构相变温度,在研究微量掺杂离子影响ZnS微晶结构相变温度的实验分析中取得满意的结果,克服了X射线衍射对Mn²⁺浓度在10^-3—10^-6g/g范围内ZnS相变温度不能区分的困难。     

应用色质联机对淫羊藿多糖结构的研究

淫羊藿多糖(Epimedium polysaccharide,EPS)能够刺激机体免疫系统,增强免疫应答功能,同时,淫羊霍多糖还有刺激骨髓DNA合成的作用.近年来对淫羊藿甙及淫羊藿总黄酮的研究较多,而对淫羊藿多糖的研究较少.用化学实验方法研究淫羊藿多糖的结构,存在时间长、实验步骤多等问题.寻找快速、准确的测试手段,对研究淫羊藿多糖的结构有着重要的意义.本文从淫羊藿茎叶中提取水溶性多糖,经甲基化后,再经色质联机(GC-MS)分析,初步确定了糖苷的键型,并用化学实验方法进行了验证.     

金属卟啉催化萘酚过氧化氢氧化(Ⅱ)--制备2-羟基-1,4-萘醌的氧化机理研究

在低温碱性甲醇溶液中一氯化四苯基卟啉铁催化萘酚H2O2氧化高选择性地制取2-羟基-1 4-萘醌(HNQ),以2-萘酚和1-萘酚为底物时HNQ的最高产率分别为57%和40%(纯度>95%).根据金属卟啉催化氧化反应的特性,采用UV-Vis和EPR现场光谱监测催化剂和反应物的光谱变化,提出了羟基游离基加成反应机理.     

Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO／Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示，当退火温度低于等于800℃时，随着退火温度的升高，薄膜的晶体质量得到了改善，这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加，同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了，其峰值为525nm。当退火温度为950℃时，紫外带几乎消失，而只剩下绿带，且与纯硅酸锌样品的CL谱一致，掠入射X射线衍射测量表明，确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此，从ZnO／Si异质结的质量来看，直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结：因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时，不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量，而当退火温度接近或高于800℃时，虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加，但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌，将严重影响ZnO／Si异质结的电学输运特性。     

低温高压下的Na5Eu(WO4)4的发光和晶体场参数

用低温金刚石对顶砧高压显微光谱系统在20—300K低温和0—10GPa高压范围内研究了白钨矿型化学计量的基质发光晶体四钨酸铕钠Na₅Eu(WO₄)₄中Eu³⁺的发光.确定了Eu³⁺荧光谱线和能级在低温下的压力移动率.它随温度变化,表明温度和压力对Eu³⁺谱线作用不是独立无关的.按晶体场理论简化方法推导了能级的晶体场参数表达式,并按实验数据拟合出在不同低温下晶体场参数随压力的移     

低温下使用的金刚石对顶砧高压盒和显微光谱系统

自Bridgeman发明套筒活塞高压装置以来,特别是引入金刚石压砧后,高压物理学发展迅速。这种金刚石对顶砧压力盒,简称为DAC,为研究高压下材料的光学性质提供了极大的方便。为进行高压低温研究,目前国内都是将压机浸入液氮中,或向DAC喷浇液氮。这样只能在77K恒温,且必须取出压机后才能加压。     

Cr3+和Eu3+、Nd3+在不同基质中荧光谱线峰值的压力移动和温度移动关系间的异常

红宝石Cr3+离子的R1荧光谱线的波长随压力作线性移动为基础的压力标是目前世界上高压光学实验中最通用的测压标准.由于许多材料的低温荧光比室温时强,因此高压光学实验常常在低温下做.