低温一步法活性炭基脱硫剂的制备与评价

以木屑为原料,在低温条件下一步法制得活性炭基吸附剂,考察了吸附剂制备条件和液-固、气-固吸附条件对吸附剂脱硫性能的影响。结果表明,吸附剂的最佳制备条件为,浸渍液与木屑质量比为1：1,浸渍液中硝酸质量分率为30%、吸附剂表面NiO负载量为5%,常温下浸渍24 h,400℃焙烧3 h。该吸附剂在0.2 g吸附剂/10 mL模拟油、温度为40℃及时间为5 h的液-固吸附脱硫的条件下,脱硫率为28.36%,吸附四次后饱和吸附硫容量可达2.34 mgS/g;在气-固吸附温度为250℃、空速为6.3 h^-1的条件下,饱和吸附硫容量为2.37 mgS/g;高温气-固吸附脱硫对吸附剂的影响表明,与脱硫前相比,吸附剂在比表面积、总孔体积、微孔体积均有明显提高,这说明气-固吸附脱硫过程同时实现了活性炭的扩孔活化。甲苯溶剂再生实验表明,经五次再生后吸附剂的再生性能均可达90%以上。     

火焰原子吸收光谱法测定滑子蘑中镉、铜、铅和锌

采用HNO3-HClO4(15∶2)作消解液进行溶样,火焰原子吸收光谱法同时测定滑子蘑中镉、铜、铅、锌的分析方法,优化了仪器工作参数、消解及萃取条件,进行了精密度以及共存离子的干扰实验.在最佳测定条件下,4种元素校准曲线相关性好(r为0.9955-0.9999),仪器精密度为0.6%-2.1%,样品加标回收率为94.2%-104.0%,精密度为2.2%-4.3%,方法快捷、准确、灵敏度高,精密度较好,适用于日常分析检测工作,结果令人满意.     

复合阴极缓冲层Alq_3∶CsF对CuPc/C_(60)电池性能的影响

通过Alq_3∶CsF复合阴极缓冲层来优化CuPc/C_(60)有机小分子太阳能电池的性能。当Alq_3∶CsF厚度为5nm,CsF的掺杂比例为4%时,加入复合阴极缓冲层器件较Alq_3阴极缓冲层器件的能量转化效率提高了49%,到达0.76%,并且在室温、大气的条件下,器件的稳定性也得到了保持,与未加阴极缓冲层的器件相比,半衰期提高了6倍,达到9.8h。通过紫外-可见吸收、外量子效率和单载流子传输器件等研究了器件效率改善的主要原因是掺入CsF后,调节界面能级,改善了Alq_3的电子传输特性,提高了器件的短路电流和填充因子。比较分析复合阴极缓冲层器件于空气中放置不同的时间的电流电压曲线,表明Alq_3∶CsF可以保持Alq_3的良好稳定性,可以很好地阻挡氧气与水分的扩散,提高器件的寿命。     

Fe掺杂GaN光电特性的第一性原理研究

基于密度泛函理论体系,计算了本征GaN材料和12.5%的Fe掺杂GaN体系的光电特性,分析了晶体结构、能带结构和电子态分布、介电函数、吸收系数、折射率、反射率、能量损失谱和消光系数,从理论上讨论了掺杂对体系光电特性的影响.计算所得理想GaN的禁带宽度为3.41 eV,Fe的重掺杂体系明显变窄,为3.06 eV,但仍为直接带隙半导体.本征GaN材料与Fe掺杂GaN体系的静态介电常数为5.74和6.20,折射率为2.39和2.48,能量损失最大值在20.02 eV和18.96 eV,最大吸收系数能量均在13.80 eV左右.计算结果为Fe掺杂GaN高压光电导开关材料及器件的进一步研究提供了有力的理论依据和实验支持.     

ICP-AES法测定滑子蘑中的Cd、Cu、Pb和Zn

建立了采用V(HNO3)∶V(HClO4)=15∶2作消解液进行溶样,ICP-AES法同时测定滑子蘑中Cd、Cu、Pb、Zn的分析方法,进行了ICP工作参数的优化,消解条件的选择及消解结果精密度实验。在最佳测定条件下,4种元素标准曲线相关性好(r为0.9990~0.9995),线性范围宽,精密度RSD为0.4%~4.6%,样品加标回收率为91.0%~101.0%,已用于实际样品的测定。     

近红外Ag_2S量子点的合成及在生物成像中的应用

通过引入巯醇活化单质硫,制备了近红外发射的高质量硫化银半导体量子点(粒径4 nm).该制备方法降低了反应温度,避免了有毒前体的引入,缩短了反应时间,制备出的粒子尺寸均一,单分散性较好.制备的量子点的光致发光光谱表现出了量子尺寸效应,其发射峰位置在700~830 nm范围之间可调.将具有近红外光致发光特性的Ag_2S纳米晶应用于细胞成像,实验结果表明,制备的量子点在细胞成像中清晰可见且毒性较低,表现出了较好的应用潜力.