电沉积法制备用于一维纳米材料电子输运性质测量的基底

应用电沉积方法制备两种低粗糙度、具有导电／绝缘交接结构的测量基底-Au/CuO和HOPG/CuO,并在带导电针尖的原子力显微测量(CT-AFM)平台上建立了简便的一维纳米材料轴向电子输运性质测量方法．在大气室温条件下,对组装在两种基底上的单束碳纳米管轴向电学性质进行了定性测量,结果表明,该碳纳米管呈现金属性．