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采用循环伏安、线性扫描、电化学阻抗和环境扫描电镜对比研究了Pb-Ag和Pb-Ag-Nd阳极的阳极膜和析氧反应.结果表明,合金元素Nd促进了Pb/PbOn/PbSO4(1≤n2)膜层的生长.在高极化电位区间(高于1.20V(vs Hg/Hg2SO4/饱和K2SO4溶液)),Nd有利于低价铅的化合物(PbOn,PbSO4)向α-PbO2和β-PbO2转变.此外,环境扫描电镜形貌和线性扫描分析证明Pb-Ag-Nd表面生成的阳极膜较Pb-Ag的阳极膜更厚且更致密.因此,Pb-Ag-Nd阳极表面的阳极膜可以给合金基底提供更好的保护.另一方面,电化学阻抗测试揭示了两种阳极的析氧反应均受中间产物的形成和吸附控制.Nd可以降低阳极膜/电解液界面处中间产物的吸附阻抗且增加中间产物的覆盖率,从而提高析氧反应活性.综上所述,合金元素Nd可提高Pb-Ag阳极的耐腐蚀性,降低阳极电位进而起到节能降耗的作用. 相似文献
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通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,原位生长的CZTS薄膜具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成.不同基底温度下生长所得薄膜的Cu/(Zn+Sn) 值均约为1,而Zn/Sn值均大于1且随着基底温度升高而减小.所得薄膜在(112)方向上择优取向明显,且结构特征受基底温度和Cu/(Zn+Sn)的共同影响.所得薄膜均具有高达104cm-1的光吸收系数,其带隙宽度随着生长温度的增加而降低,并且在500℃时为(1.51±0.01)eV.薄膜的导电类型均为p型,且具有与器件级Cu(In,Ga)Se2(CIGS)相当的载流子浓度.
关键词:
2ZnSnS4')" href="#">Cu2ZnSnS4
直流反应磁控溅射
原位生长
太阳电池 相似文献
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采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜.利用循环伏安法(CV)、X射线能谱(EDS)和X射线衍射技术(XRD)研究了电沉积过程中CuInSe2的形成机理,并研究了制备工艺对膜层成分、形貌和物相结构的影响.研究结果表明,铟进入固相是通过In3+受Cu3Se2诱导作用欠电势还原或者In3+与H2Se反应这两种途径实现;先沉积的Cu3Se2与新生成的铟或铟硒化合物反应最后生成CuInSe2.在阴极电位为-0.58~-0.9 V(vs.SCE)时出现了不随电位变化的极限还原电流,在该电位范围内进行电沉积获得了化学计量组成稳定可控且相对致密平整的CuInSe2薄膜.电沉积的CuInSe2薄膜经真空退火处理后结晶质量得到明显改善. 相似文献
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合金元素Nd对Pb-Ag阳极在H2SO4溶液中电化学行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用循环伏安、线性扫描、电化学阻抗和环境扫描电镜对比研究了Pb-Ag和Pb-Ag-Nd阳极的阳极膜和析氧反应. 结果表明,合金元素Nd促进了Pb/PbOn/PbSO4 (1≤n<2)膜层的生长. 在高极化电位区间(高于1.20V (vs Hg/Hg2SO4/饱和K2SO4溶液)),Nd有利于低价铅的化合物(PbOn,PbSO4)向α-PbO2和β-PbO2转变. 此外,环境扫描电镜形貌和线性扫描分析证明Pb-Ag-Nd表面生成的阳极膜较Pb-Ag的阳极膜更厚且更致密. 因此,Pb-Ag-Nd阳极表面的阳极膜可以给合金基底提供更好的保护. 另一方面,电化学阻抗测试揭示了两种阳极的析氧反应均受中间产物的形成和吸附控制. Nd可以降低阳极膜/电解液界面处中间产物的吸附阻抗且增加中间产物的覆盖率,从而提高析氧反应活性. 综上所述,合金元素Nd可提高Pb-Ag阳极的耐腐蚀性,降低阳极电位进而起到节能降耗的作用. 相似文献
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Na3AlF6-LiF熔盐体系中硅的电沉积行为 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Na3AlF6-LiF体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅. 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, 在有单质硅存在的情况下, 还发生反应Si(IV)+Si=2Si(II); 一般情况下Al的析出电位比Si要负, 但在电极表面Si离子匮乏的情况下, Al会与Si共沉积; 固态电极上恒流电解沉积硅呈颗粒状并与电解质夹杂, 通过分离可以获得单质硅, 所获硅纯度高于99.9%. 电解精炼在大电流密度条件下可以稳定进行, 阳极电流效率高于95%, 电解精炼硅纯度比直接电沉积硅纯度有明显提高. 相似文献
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在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入,同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相.此外,H2S退火还可改善薄膜的结晶性能,并使S和Ga进入黄铜矿结构,薄膜晶格参数变小. 相似文献