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利用滴涂法将Zn掺杂CuO纳米颗粒修饰到玻碳电极表面,通过循环伏安法和计时电流法,研究了Zn掺杂CuO纳米颗粒对H_2O_2的电催化性质。结果表明,制备了粒径为80~100nm的纳米颗粒,且分散良好。Zn掺杂CuO纳米颗粒修饰电极对H_2O_2具有良好的电催化还原作用。在pH=7.0的磷酸盐缓冲液中,当扫描速度介于20~350mV/s时,其氧化峰和还原峰电流均与扫描速度呈线性关系,说明电化学过程受吸附控制。探讨了支持电解质及pH值的影响,当H_2O_2的浓度在1.0×10~(-6)~6.3×10~(-3) mol/L浓度范围内时,还原峰电流与浓度呈良好的线性关系,检出限为0.1μmol/L。该传感器具有选择性高、重现性和稳定性好等特点。 相似文献
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以Bi2O3为前驱体,通过原位溶解-沉积法在KI溶液中制备了BiOI/Bi2O3光催化剂。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等对样品进行了表征。结果表明Bi2O3球形颗粒紧密地贴在BiOI片上。随着KI溶液pH值的降低,Bi2O3逐渐转变为BiOI,且样品的吸收带边逐渐红移。在可见光(λ≥420 nm)下降解甲基橙,在pH=3下制备的BiOI/Bi2O3的活性最强,其原因是BiOI/Bi2O3 p-n异质结促进了光生载流子的分离。 相似文献
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在含有溴化十六烷基三甲基铵(CTAB)的水溶液中,通过水热法制备了超细钨酸锌(ZnWO4)纳米棒。 用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外可见漫反射光谱表征了所制备的样品。 在汞灯照射下,通过降解甲基橙(MO)检测了超细ZnWO4纳米棒的光催化活性。 结果表明,在CTAB胶束作用下,ZnWO4纳米棒更细更长,超细ZnWO4纳米棒光催化活性比普通ZnWO4纳米棒更强,在同样条件下,前者对MO的降解率为90.2%,后者为50%。 相似文献
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通过改进Hummers法制备了氧化石墨烯(GO),采用液相沉淀法合成了Ag3VO4/GO复合物,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱等技术手段对样品进行了测试表征;并在可见光辐射下(λ≥420 nm)考察了复合物催化剂中GO含量对Ag_3VO_4光催化降解甲基橙溶液(MO)的性能影响。结果表明,掺杂质量分数2%的GO复合物光催化活性提高最显著,30 min内对MO的降解率可达到89%以上,是纯Ag_3VO_4光催化活性的3倍。 相似文献
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原位碳、氮共掺杂二氧化钛空心球的制备与可见光光催化性能 总被引:3,自引:0,他引:3
在H2O2-HF 的乙醇-水混合溶液中, 通过水热处理碳氮化钛(TiCN)制备了碳、氮共掺杂TiO2 空心球(CNTH). 用X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X 射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱表征了所制备的样品. 在可见光(λ≥400 nm)照射下, 通过降解甲基蓝检测了碳、氮共掺杂TiO2空心球的光催化活性. 结果表明, 源于TiCN中的部分碳和氮原子原位掺入了TiO2的晶格中, 部分碳掺入TiO2点阵的间隙中. 该材料在整个可见光区展示了增强的可见光吸收, 其带边明显红移. 光催化研究表明在强可见光吸收和独特的空心球结构的协同作用下, 碳、氮共掺杂TiO2空心球展示了比P25更高的可见光光催化活性. 相似文献
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用电沉积方法制备了NiCoCr-Al_2O_3泡沫合金,研究了镀液组分对泡沫合金组分的影响。结果表明,随着镀液中CrCl_3·6H_2O和Al_2O_3的增加,合金中Cr和Al_2O_3含量增加,Cr质量分数高于6.8%,镀层变黑, Al_2O_3质量分数高于8.1%时,合金变脆。合金只有在≥852.37℃热处理后形成了有利于高温抗氧化性的相态,在1 200℃热处理后,合金的高温氧化增重率最低。随着合金中Cr和Al_2O_3含量的增加,合金的高温抗氧化性提高,且Al_2O_3含量对高温抗氧化性影响更显著。 相似文献
8.
研究了在磷酸盐缓冲溶液(pH7.0)中,5-羟基吲哚乙酸(5-HIAA)在MWNT-Nafion修饰电极上的电化学行为。5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上出现一个灵敏的氧化峰。与裸玻碳电极相比,MWNT—Nation修饰电极提高5-HIAA的氧化峰电流。优化了各项测定参数,建立了一种直接测定HIAA的电分析方法。富集电位为-0.5V,富集时间为300s,氧化峰电流与5-HIAA的浓度在9.95×10^-5~7.98×10^-3mol/L之间有良好的线性关系。检出限为2.5×10^-6 mol/L。 相似文献
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研究了在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.0)中,5-羟基吲哚乙酸(5-HIAA)在MWNT-Nafion修饰电极上的电化学行为.5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上出现一个灵敏的氧化峰.与裸玻碳电极相比,MWNT-Nafion修饰电极提高5-HIAA的氧化峰电流.优化了各项测定参数,建立了一种直接测定HIAA的电分析方法.富集电位为-0.5 V,富集时间为300 s,氧化峰电流与5-HIAA的浓度在9.95×10-5~7.98×10-3 mol/L之间有良好的线性关系,检出限为2.5×10-6 mol/L. 相似文献
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