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1.
利用p-V图解法阐明功是过程函数是课堂教学通用的手段,在此基础上,通过数学推导进一步证明了功作为系统与环境间传递的能量,是与途径有关的过程函数,这对于深入理解过程函数与状态函数的概念及其2者之间的辩证关系具有重要意义。  相似文献   
2.
以甲基丙烯酸三氟乙酯(TFMA)、苯乙烯(St)和丙烯酸丁酯(BA)为共聚单体,在十二烷基硫酸钠(SDS)/磺酸盐型阴离子氟表面活性剂(S100)/辛基苯基聚氧乙烯醚(OP-10)组成的乳化体系中,采用预聚物和十六醇(HDL)共同组成的复合助稳定剂,对细乳液聚合制备St/BA/TFMA三元共聚物的过程进行了研究.通过F...  相似文献   
3.
固相分光光度法测定枸杞中的痕量锗   总被引:10,自引:0,他引:10  
建立了以苯基荧光酮为显色剂固相分光光度法测定痕量锗的新方法。在0 .1 5 mol/L HCl介质中 ,锗吸附于树脂上 ,再与苯基荧光酮显色 ,直接在最大吸收波长 5 35 nm处对树脂相进行测量。锗含量在 0~ 2 5 0 μg/L范围内符合比尔定律 ,表观摩尔吸光系数为 2 .6× 1 0 6L· mol-1· cm-1。该法已应用于枸杞中痕量锗的测定  相似文献   
4.
采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn100-x合金颗粒膜,系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρxys同电阻率ρxx的关系,讨论了反常霍耳效应的机理.  相似文献   
5.
表面引发聚合反应研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
表面引发聚合反应作为一种新的聚合反应可广泛应用于固体基底的表面修饰与改性。结合分子自组装技术,几乎各种类型的聚合反应都有可能在固体基底表面进行。本文对表面引发聚合反应的研究进展进行了综述,对反应类型、实验方法、研究动向以及在合成聚合物刷、形成图案化聚合物薄膜等方面的应用与发展前景作了介绍与讨论。  相似文献   
6.
7.
本文采用水热法,以Na_2MoO_4为钼源,L-半胱氨酸作为硫源及稳定剂,合成荧光二硫化钼量子点(MoS2QDs),利用紫外-可见光谱、荧光光谱和红外光谱对量子点的结构和性能进行了表征。所合成MoS2QDs呈现较强蓝色荧光的性能,并具有较好的分散性。MoS_2QDs作为探针与Hg~(2+)作用后产生荧光猝灭现象,由此建立了一种测定Hg~(2+)的荧光分析新方法。该方法对Hg~(2+)测定的线性范围是5.0×10-7~2.0×10-4 mol/L,检测限为2.3×10-7 mol/L,相关系数为0.998。该方法具有操作简单、灵敏度高和选择性好等特点,可用于自来水水样中痕量Hg~(2+)的测定。  相似文献   
8.
A Coo.3s (Alq3)o.62 granular film is prepared using a co-evaporating technique on a silicon substrate with a native oxide layer. A crossover of magnetoresistance (MR) from positive to negative is observed. The positive MR ratio reaches 17.5% at room temperature (H = 50kOe), and the negative MR ratio reaches -1.35% at 1514 (H = 10 kOe). Furthermore, a metal-insulator transition is also observed. The transition of resistance and MR results from the channel switching of electron transport between the upper Co-AIq3 granular film and the inversion layer underneath. The negative MR originates from the tunneling magnetoresistance effect due to the tunneling conducting between adjacent Co granules, and the positive MR may be attributed to the transport of high mobility carriers in the SiO2/Si inversion layer.  相似文献   
9.
氧化铟锡(ITO);PEG辅助的溶胶 凝胶法;纳米粉末  相似文献   
10.
石墨是准二维半金属材料,然而在通常细晶粒、无取向的石墨中并没有发现很大的磁电阻效应.在高度取向的石墨中发现了巨大的正磁电阻效应,在8.15 T的外磁场中,4.2,300 K温度下的磁电阻分别高达85300%和4950%.生产这一巨磁电阻效应的机制除正常磁电阻效应外,可能源于磁场诱导的类金属-绝缘体的转变 关键词: 磁电阻效应 石墨  相似文献   
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