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1.
沉淀法制备CeO2纳米晶与表征   总被引:59,自引:6,他引:53  
采用乙醇为分散剂和保护剂,用反向沉淀法制备了不同粒径的CeO2纳米晶。XRD分析表明,当焙烧温度为250-800℃时,所合成的CeO2纳米粒子属于立方晶系,空间群为OH^5-FM3M。TEM分析表明,CeO2纳米粒子呈球形,粒度随焙烧温度的增加而增大。热失重分析表明样品的热失重主要受温度的影响,而焙烧时间的影响不大。相对密度分析表明,随CeO2纳米晶粒度的增大,粉末的密度增加。  相似文献
2.
透明纳米CeO2的合成与表征   总被引:23,自引:8,他引:15  
采用胶溶法合成了表面修饰十二烷基苯磺酸钠(DBS)的CeO2纳米粒子有机溶胶,探讨了制轩CeO2纳米有机溶胶的最佳实验条件TEM分析表明,CeO2(DBS)纳米粒子呈球形,约3nm,粒径分布均匀,无团聚现象。ED分析表明,CeO2(DBS)纳米粒子为多晶结构。  相似文献
3.
纳米CeO2/PMMA杂化材料的制备与表征   总被引:16,自引:0,他引:16       下载免费PDF全文
采用在位分散聚合法制备了纳米CeO2/PMMA杂化材料。XRD分析表明,杂化材料 是无定形的。SEM分析表明,杂化材料中CeO2含量不同,材料的断面形貌明显不同 ,随CeO2含量的增加,杂化材料由韧性断裂向脆性断裂转变。EDS面分析表明,Ce 在杂化材料中分布均匀。实验表明,随CeO2含量的增加,杂化材料的透过率与溶解 性降低。  相似文献
4.
纳米CeO2/聚苯乙烯杂化材料的制备及表征   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
用反相胶束微乳液法制备了纳米CeO2/聚苯乙烯杂化材料 .XRD分析表明,纳米CeO2/聚苯乙烯杂化材料中,CeO2是无定形粒子.XPS分析表明,杂化材料并非简单的物理混合,CeO2纳米粒子与有机物之间存在着一定强度的化学键.FTIR分析表明,CeO2粒子的吸收存在蓝移现象.  相似文献
5.
CeO2纳米晶的光伏特性和量子尺寸效应   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
对制备的CeO2纳米晶进行了反射吸收光谱研究,对其在300-450nm的宽带吸收指认为O2p→Ce4f电荷转移跃迁,发现这个吸收带随着样品粒径变小而红移,利用表面光电压谱方法和场调制表面光电压谱方法不同粒径的CeO2纳米晶的光伏特性进行了研究。并对吸收谱带进行了解析。当样品粒径达到纳米尺寸时,在CeO2价带上大约0.9eV处明显地形成一个新能带。这个能带具有较强的定域性,在相应的跃迁的过程中产生具  相似文献
6.
LaFeO~3超微粒子的制备及性质的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
本文使用溶胶-凝胶法制备了平均粒径为12~75nm的LaFeO~3超微粒子。从凝胶至超微粒子的过程中, 失重达90%。纯相晶态的LaFeO~3超微粒子的最低生成温度为600℃。粒子平均粒径随着灼烧温度的升高而显著增大, 通过对不同粒径的LaFeO~3超微粒子表面光电压光谱的研究发现, 随着粒子粒径的增大, 粒子内部逐渐形成长程有序的晶体结构和完整的能带结构。粒子粒径越小, 表面特性越明显。  相似文献
7.
沉淀法制备CeO_2纳米晶与表征   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用乙醇为分散剂和保护剂 ,用反向沉淀法制备了不同粒径的CeO2 纳米晶。XRD分析表明 ,当焙烧温度为 2 5 0~ 80 0℃时 ,所合成的CeO2 纳米粒子属于立方晶系 ,空间群为O5 H FM 3M。TEM分析表明 ,CeO2 纳米粒子呈球形 ,粒度随焙烧温度的增加而增大。热失重分析表明 ,样品的热失重主要受温度的影响 ,而焙烧时间的影响不大。相对密度分析表明 ,随CeO2 纳米晶粒度的增大 ,粉末的密度增加。  相似文献
8.
CeO2纳米晶的光电量子尺寸效应   总被引:5,自引:2,他引:3  
CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有着重要的高科技应用背景[1],但有...  相似文献
9.
纳米AgBr/PMMA光致变色杂化材料制备与表征   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
采用本体聚合法制备了纳米AgBr/PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光致变色杂化材料. XRD分析表明,纳米AgBr/PMMA杂化材料是无定形的. SEM分析表明, AgBr含量不同,杂化材料的断面形貌明显不同,随AgBr含量的增加,杂化材料由韧性断裂向脆性断裂转变. EDS面分析表明, Ag、Br元素在杂化材料中均匀分布.所制备的纳米AgBr/PMMA杂化材料具有一定的光致变色效应.  相似文献
10.
静电纺丝技术制备Gd3Ga5O12:Eu3+多孔发光纳米带   总被引:4,自引:3,他引:1  
采用静电纺丝技术制备了PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带,将其进行热处理,得到了Gd3Ga5O12:Eu3+(简称GGG:Eu3+)多孔发光纳米带.采用XRD,SEM,TEM,TG-DTA,FTIR和荧光光谱等技术对样品进行了表征.PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带为非晶态,经800 ℃焙烧8 h后,获得了单相石榴石型的GGG:Eu3+纳米带,属于立方晶系,空间群为Ia3d.复合纳米带表面光滑,尺寸均一,平均宽度约10 μm,厚度约为100 nm,彼此没有交联;经800 ℃焙烧后GGG:Eu3+多孔纳米带平均宽度约2.5 μm,厚度30 nm,长度大于500 μm,呈多孔网状多晶结构.当焙烧温度高于700 ℃时,复合纳米带中DMF、有机物和硝酸盐分解挥发完全,总失重率为93.1%.焙烧温度为800 ℃时,生成了纯净的无机氧化物.在254 nm的紫外光激发下,GGG:Eu3+纳米带发射出主峰位于591 nm的明亮红光,属于Eu3+的 5D0→7F1跃迁.对GGG:Eu3+纳米带形成机理进行了讨论.  相似文献
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